
- •Оглавление
- •Введение
- •Глава 1. Особенности проектирования имс
- •Глава 2. Проектирование гибридных интегральных микросхем (гис)
- •2.1 Конструктивно-технологические особенности.
- •2.2 Определение функциональной сложности.
- •2.3 Методы оптимизации гис по критерию функциональной точности.
- •Глава 3. Расчет и проектирование пленочных резисторов.
- •3.1 Расчет геометрических размеров резисторов.
- •3.2 Выбор и обоснование материала резистивной пленки.
- •3.3. Расчет и проектирование контактного перехода типа “пленка-пленка”.
- •3.4 Проектирование подгоняемых резисторов.
- •3.5. Точность отношения резисторов.
- •Глава 4. Расчет и проектирование пленочных конденсаторов.
- •4.1 Конструктивно-технологические особенности и основные параметры.
- •4.2 Расчет геометрических размеров конденсаторов.
- •4.3 Потери в пленочных конденсаторах.
- •4.4 Планарные конденсаторы.
- •Последовательность расчета геометрических размеров пленочных конденсаторов.
- •4.5. Проектирование прецизионных конденсаторов.
- •Глава 5. Расчет и проектирование rc-структур с распределенными параметрами.
- •5.1 Тонкопленочные rc-структуры с распределенными параметрами.
- •5.2 Режекторные фильтры на основе rc-структур.
- •5.3 Влияние погрешностей геометрии rc-структуры на электрические характеристики режекторных фильтров.
- •5.4 Избирательные rc-усилители.
- •5.5 Активные фильтры на основе rc-структур.
- •5.6. Конструктивный расчет фильтров на основе rc-структур.
- •Глава 6. Основы оптимального проектирования гис
- •6.1 Зависимости погрешности выходного параметра от физических и геометрических параметров элементов.
- •6.2 Исходные данные для проектирования топологии.
- •Схемотехнические данные и требования.
- •Технологические данные и ограничения.
- •3. Конструктивные данные и требования.
- •6.3 Конструктивные методы защиты имс от воздействия дестабилизирующих факторов.
- •6.4 Бескорпусная герметизация гис.
- •Глава 7. Разработка топологии и конструкции гис.
- •7.1. Принципы практического проектирования и компоновки топологической структуры гис.
- •7.2. Разработка коммутационной схемы соединений.
- •Заключение
- •Литература
- •Приложение 1.
- •Приложение 2. Проектирование фильтров на основе rc—структур с распределенными параметрами средствами Microwave Office. Введение
- •Схемы и результаты моделирования
- •Широкая микрополосковая двухпроводная линия из проводников с различным сопротивлением
- •Однопроводная линия над проводящим слоем
- •Базовая схема используется как элемент других схем
- •Заземление подсхемы в схеме
- •Составные или гибридные rc-структуры и lc-цепи
- •Локальные экстремумы
5.2 Режекторные фильтры на основе rc-структур.
Одним из наиболее важных схем на основе RC-структур являются режекторные (нулевые) фильтры. Они могут иметь самостоятельное значение для реализации фильтров заграждающего типа, либо представлять собой составную часть фильтров, реализующих другие характеристики при дробной аппроксимации АЧХ и, наконец, в качестве цепи обратной связи при реализации селективных RC-усилителей.
В таблице 5.3 представлены некоторые варианты схем режекторных фильтров на основе RC-структур:
Таблица 5.3.
Параметр |
1 |
2 |
3 |
4 |
|
|
|
|
|
|
0,338 |
0,338 |
0,0936 |
0,0938 |
|
11,187 |
11,187 |
30,8 |
30,8 |
N |
0,0562 |
0,0562 |
4,58 |
4,58 |
1/N |
17,786 |
17,786 |
0,218 |
0,218 |
|
1 |
1 |
1 |
1 |
|
1 |
1 |
|
|
Рассмотрим более подробно схему №1 (табл. 5.3). По своим характеристикам такой фильтр подобен известному двойному Т-мосту, то есть при определенных соотношениях параметров компонентов он имеет нулевой коэффициент передачи на некоторой частоте. Z-матрица для этой схемы имеет вид:
|
(5.22) |
где
.
Отсюда функция передачи при yH=0
|
(5.23) |
где
.
Условие нулевой передачи определяется соотношением:
|
(5.24) |
Существует бесконечное множество дискретных значений WQК и NK, удовлетворяющих этому условию. Однако практическое значение имеет только первый корень, полученный при
|
(5.25) |
Траектория движения нулей при изменении коэффициента N изображена на рис. 5.3.
Рис. 5.3
График зависимости частоты минимальной передачи фильтра от коэффициента N имеет вид:
Рис. 5.4
Следует отметить, что при изменении нулевой частоты на 10%, глубина затухания на нулевой частоте не превышает 20 дб. Анализ траектории движения нулей показывает, что чувствительность глубины затухания на нулевой частоте к изменению N весьма высокая, в то время как чувствительность обобщенной нулевой частоты к изменению N мала, что практически не позволяет изменять частоту режекции без ухудшения избирательности на нулевой частоте. Идеальной, с точки зрения управления положением нулей коэффициента передачи РФ, является случай, когда SNT()W0=0, а SN W00; то есть тогда, когда траектория движения нулей совпадает с мнимой осью комплексной обобщенной частоты. Следует отметить, что схема №2 (табл. 5.3) описывается функцией передачи, согласно (5.23), где N=NC/C.
Передаточная функция для схем 3 и 4 (табл. 5.3) имеет вид:
|
(5.26) |
Сравнение избирательных свойств рассмотренных схем позволяет выявить преимущества первых двух вариантов, у которых S1,2 = 0,338 > S3,4 = 0,093. Кроме того, при одинаковой постоянной времени RC-структуры первые две схемы обеспечивают и более низкую частоту режекции. Поскольку из схем 1 и 2 первая более технологична, она и получила преимущественное распространение.