
- •2.Күшейткіштің негізгі параметрлері:
- •4. Көпкаскадты күшейткіш
- •10.Күшейткіштердегі кері байланыс.
- •12. Гармониялық тербелістердің генераторлары. Автотербелмелі жүйе.
- •17.Импульс санағыштар.
- •26. Ом және Кирхгоф заңы.
- •1.Кирхгоф заңы
- •34.Электронды-кемтіктікті ауысу.
- •43. Туннельдік диодтардағы тура және кері токтар.
- •44. Туннель диодтың вольт-амперлік сипаттамасы және оның температураға байланысы.
- •46. Эмиттерлік және коллекторлық p-n ауысудың сыйымдылықтары.
- •48.Өрістік транзисторлар. P-n өткелі басқарылатын өрістік транзистор
- •48. Өрістік транзисторлар. P-n өткелі басқараылатын өрістік транзисторлар.
- •49. Жапқышы оқшауланған өрістік транзистер
- •21. 24. Электрлік тізбектің анықтамасы мен жалпы қасиеттері.
12. Гармониялық тербелістердің генераторлары. Автотербелмелі жүйе.
Автотербелістер – сыртқы периодты куштердің әсерінсіз жуйеде журетин өшпейтін тербелістер авто тербелістер деп аталады.
Автотербелмелі жуйе мынадай боліктерден турады:
Энергия көзі
Тербелмелі бөлік
Клапан
Клапан- тербелмелі бөлікке оның тербелістеріне сәйкес керек уакытта энергия көзінен келетін энергияны жіберіп, не жауып отырады.
Тербеліс тізбегіндегі өшпейтин тербелісте пайда болатын теріс кедергінің оған енгізілген теріс кедергінің әсері ретінде қарастыруга болады,Ол тізбектегі оң кедергіні компенсациялайды кедергідегі токтың өсуі кернеудің тусип азаюына сәйкес болады,
0
Мунда
P активті куат пайда болады, сондыктан
генератцияның активті байланысы кейбір
R=0-ге эквивалентті болады. Сонымен қатар
бірқатар қурылгыларда
пайда болады. Сонымен бирге біркатар
қайсыларының ВАС- сында U мен I –дын осы
аймақ маңайында өзгеруге байланысты
қулау аймагы пайда болады.
13. Гармоникалық сигналдардын LC- генераторы. Өздік қозудың шарты. LC- автогенератордың жұмыс істеу режимі. LC-генератор –мұнда гармониялық тербеліс резонансты контурмен немесе басқа да резонансты элементтер (кварц, резонатор және т.б)қуатталады. LC-генаратордың өздігінен қозуының типтік режимі және сыртқы гармоникалық әсерден автогенаратордың жұмыс істеуін зерттеуге арналған. Осы жұмыста бейсызық элементтың тербелмелі сипаттамаларын өлшейді және кері байланыс коэффицентінің жұмсақ және қатты режимның генератциясы үшін генерацияланған тербелістің амплитудасына әсерін эксперименталды түрде зерттеуж автогенаратордағы тербелістің қалыптасу режимі зерттеледі.Типтелген LC-генаратордың принципиялды электрондық схемасы
Оның
құрамына транзистор бетіне коллекторлық
тізбектегі LC-контур мен трансформаторлық
кері байланысқын автогенаратор кіреді.
мұндағы
бейсызық элементтің орамына,
,
коллекторлық токтың бірінші гармоникалық
амплитудасының транзистор базасындағы
кернеу амплитудасының қатынасына тең:
-тербелмелі контурдың эквивалентті
кедергісі. Автогенаратордың статционарлық
тербелісшартын екі шарт түрінде жазуға
болады:
фаза
баланыс
Автогенератордын
стасионарлы режимдегі комплексті
түріндегі кушейту коэффиценті мына
турде жазылады:
(2) Коллекторлық токтың бірінші гармоникалық
амплитудасының транзистор базасындағы
кернеу амплитудасының қатынасына тең.
.
комплекстелген
кері байланыс коэффиценті. Z- тербелмелі
контурдын эквивалентті
кедергісі.Автогенератордың стационарлық
тербеліс шартын екі шарт түрінде жазуға
болады:
(4) ;
(4) формула генерацияланган тербелістердің жиілігін анықтауға мумкиндик береді. Автогенератордағы тербелісті орнықтыру процессі өздігінен қозатын жумсак режим ушин бейсызыкты дифференциалдық теңдеумен өрнектеледі, ол Ван-дер- Поль теңдеуі. Сол теңдеуден амплитуданы тапқанда мына өрнекпен анықталады.
Мұндағы:
стационарлы
режимдегі генератцияланған тербелістердің
амплитудасы.
бастапқы
тербеліс амплитудасы.
16.19. Есте сақтау құрылғылары. Сандық код түрінде берілген ақпаратты жазуға, есте сақтауға және қолданушыға беруге арналған құрылғы.Ол есептеуіш машиналарда, басқарудың автоматтандырылған жүйелерінде, телемеханикада, бағдарламамен басқарылатын технологиялық агрегаттарда, т.б. қолданылады. Есте сақтау құрылғысында деректер тасығыш ретінде магниттік таспалар мен дискілер, оптикалық дискілер, шалаөткізгіш құрылымдар, магниттік қабықшалар (пленкалар), т.б. пайдаланылады. Есте сақтау құрылғысының негізгі параметрлері — сыйымдылық (бір уақытта сақталатын ақпарат мөлшері — бірнеше ондаған байттан бірнеше Гбайтқа дейін) және айналу уақыты (үзіліссіз екі айналым аралығындағы ең аз уақыт — ондаған наносекундтан бірнеше милисекундқа дейін). Жедел жады (ЖЖ)– ақпаратты сақтау құрылғысы. Компьютер тоққа қосылып тұрғанда ғана ЖЖ-да ақпарат сақталады, яғни ол уақытта жады және RAM деп аталады. Бұл жады екі бөлікке бөлінеді: біріншісі қолданбалы программалар мен операциялық жүйелер үшін қолданылады, ал екіншісі (жоғарғы жады) қызмет көрсету мақсаттары үшін (ДК құрылғыларын тестілеу программаларын және операциялық жүйені алғаш жүктейтін, экранға бейнені жіберетін программаларды сақтауға арналған). Тұрақты есте сақтау құрылғысы– ақпаратты тұрақты есте сақтауға арналған, яғни арнаулы құрылғының көмегіме бір рет жазылады да сонан соң одан тек оқуға болады. ТЕСҚ-сы компьютерді тоққа қосқан соң өзін тексеретін процедура – енгізу-шығару базалық жүйесін (BIOS) қамтиды. Жедел жадының көлемі үшін қатты дискінің сыйымдылығы көрсетіледі. Қатты магниттік дискіге жинақтауыш (НЖМД немесе винчестер) компьютермен жұмыс жасағанда пайдаланатын ақпаратты сақтауға арналған. Тоққа қосылмаған жағдайда да ақпарат қатты дискіде сақталып тұрады, диск сыйымдылығы біршама үлкен. Қажет болса дискіні бірнеше бөліктерге бөлуге болады, әр бөлігі бөлек логикалық дискінің ролін атқарады. Тұрақты есте сақтау құрылғыларының (ТЕСҚ) интегралды микросхемалары тек оларға жазылған ақпаратты оқу режимінде ғана жұмыс істейді. Тұрақты есте сақтау құрылғыларынан ақпаратты оқу жылдамдығы әдетте жоғары, оны ЭЕМ процессорының жұмыс істеу жылдамдығымен салыстыруға болады. Тұрақты есте сақтау құрылғыларына ақпаратты жазу жұмыс істеу процесінде мүмкін емес немесе оны оқу жылдамдығымен салыстырғанда едәуір төмен жылдамдықпенжасалады. Есептеуіш жүйеде ТЕСҚ ақпаратты түрлендіру процесінде өзгермейтін бөлігін сақтау және оперативті оқуға арналған. ТЕСҚ микропроцессорды басқару құрылғысының операциялардың орындалу микропрограммаларын сақтайтын бөлігіретіндедемаңызызор.Техникалық түрде ТЕСҚ ЖЕСҚ-мен салыстырғанда қарапайым дайындалады. ТЕСҚ-ның бір ұяшығы бір-үш элементтен (транзистор, диод) тұрады. Сондықтан ТЕСҚ интегралды схемасының тез әрекет етушілігі, элементтерінің орналасу тығыздығы және сенімділігі ЖЕСҚ интегралды схемасына қарағанда жоғарырақ.Ақпарат есте сақтау ұяшықтар матрицасында сақталады. Адрес кодын дешифратор қабылдап (АДш), әрі қарай адрестік токты қалыптастырушыға жібереді (АҚ), ол басқару блогына микросхеманы таңдау (МТ) сигналы келіп түскен кезде дешифрленген адрестік шина бойынша ток импульсін қалыптастырады. Оқылған ақпарат күшейткіштер блогы арқылы (КБ) шығыс регистріне келіп түседі (ШығРг).ТЕСҚ ИС түрлі физикалық принциптер мен элементтер негізінде жүзеге асырылуы мүмкін және оларға ақпаратты енгізу тәсілдері бойынша үш топқа бөлінеді: жасалу кезінде программаланатын,бірмәрте электрлік программаланатын және жазылған ақпаратты өшіру мүмкіндігі бар көп мәрте электрлік қайта программаланатын (ҚТЕСҚ).