
- •«Передатчики телевизионных вещательных радиостанций»
- •Введение
- •Общие сведения
- •Задание на проектирование Вариант №5
- •Выбор структурной схемы и его обоснование
- •Расчет структурной схемы
- •Параметры элементов структурной схемы передатчика
- •Проектирование транзисторных умк
- •Расчет коллекторной цепи
- •Расчет входной цепи
- •Расчет электрической принципиальной схемы транзисторного усилителя
- •Расчет цепей питания
- •Конструктивный расчет индуктивностей
- •Проектное решение модулятора
- •Расчет промышленного кпд
Расчет цепей питания
В транзисторных усилителях применяют схемы параллельного питания, что возможно во всех диапазонах вследствие малости нагрузочных сопротивлений твердотельных приборов. Блокировочные элементы параллельных цепей питания имеют такие значения:
XСбл = (0,05 - 0,10)Rф = 0,1·75 Ом = 7,5 Ом;
XLбл = (10 - 20)RЭ = 10·3117,5 Ом = 31175 Ом;
Конструктивный расчет индуктивностей
Индуктивность цилиндрической катушки с однослойной намоткой с числом витков NВ при отношении длины l намотки к ее диаметру D
L = (6 – l / D) N 2В D,
где L измеряется в нГ, D - в см.
Произведем
расчет для катушки
.
Возьмем l / D = 4, NВ = 4 и D = 1,05см имеем:
L = (6 – l / D) N 2В D = (6-4)42·1,04см =33,2 нГн .
Рис. 8. Цилиндрическая катушка
Проектное решение модулятора
Рассмотрим устройство формирования ЧМ сигналов прямым методом. В модуляторах этого типа используют линейную зависимость частоты колебаний fГ автогенератора от резонансной fК контура. Последнюю меняют с помощью специальных твердотельных приборов – варикапов. Варикапы под действием приложенного напряжения изменяют свою емкость согласно выражению CВ= CВТ/(1+x)n, где CВТ – емкость варикапа при постоянном напряжении EВТ на нем, x=eВ(t)/EВТ – нормированное мгновенное напряжение на варикапе. Показатель n=0,5 для «резких» переходов. Основные параметры варикапов: максимальная емкость CВ.МАКС для напряжения EВ, выбранного при определении его параметров; КД – коэффициент перекрытия, равный отношению CВ.МАКС/ CВ.МИН; добротность QВ – и частота fВ – при измерении добротности; максимальное обратное напряжение eОБР.МАКС. На рис. 9 предложено схемное решение ЧМАГ, где варикап служит элементом колебательной системы автогенератора. Автогенератор выполнен как емкостная трехточка. База транзистора по высокой частоте соединена с корпусом. Положительная обратная связь создана емкостным делителем напряжения C4C5. Напряжение обратной связи поступает на резистор R4, включенный в эмиттерной цепи транзистора. Резонансная частота контура АГ определяется в основном элементами L3 и C3. Управляющий частотой колебательной системы АГ варикап подключен параллельно емкости контура с помощью емкости связи CСВ (на схеме конденсатор С2). Емкость CДЕЛ делителя обратной связи АГ образована конденсаторами С4 и С5 и межэлектродными емкостями транзистора. Отношение сопротивлений делителя xДЕЛ и характеристического ZС контура определяет коэффициент связи pК активного элемента (транзистора) с его нагрузкой. Емкость CК1(x)=СК0+CМ(x), где СК0 – на схеме соответствует C3.
В рассматриваемой схеме модулятора, имея в виду малые значения номинальных относительных отклонений частоты Δf’НОМ < 10-2 и жесткую норму на защищенность от интегральной помехи, отдают предпочтение варикапу с «резким» переходом, когда n=1/2. Тогда модулирующая емкость контура изменяется нелинейно:
CМ(x)=
CСВCВТ/(
CВТ+CСВ
)
Емкость CК1 в режиме молчания:
CК1= СК0+pВCВТ,
где pВ=CВТ/(CСВ+ CВТ) – коэффициент включения варикапа.
Нормированная крутизна СМХ по первой гармонике S’1= pУ/4,
где pУ – коэффициент управления частотой АГ, равный pВ2CВТ/ CКТ. Номинальная нормированная девиация частоты
Δf’НОМ= S’1XНОМ,
где XНОМ – относительная номинальная квазипиковая амплитуда модулирующего сигнала. Крутизна СМХ по второй гармонике
S2= 3S1/8.
Коэффициент гармоник по уровню второй гармонической модулирующего колебания K2Ώ=3x/16.
При номинальной девиации частоты имеем K2ΏМАКС=3XНОМ /16, откуда следует, что для получения малого уровня нелинейных искажений надо минимизировать XНОМ. Другим следствием нелинейности процесса управления частотой АГ изменением емкости КС является нелинейный сдвиг центральной частоты. Между девиацией частоты Δf’НОМ и этим продуктом нелинейности существует связь:
Δf0.F.НОМ = K2Ώ(Δf’НОМ ) fМТ.
Известно, что собственные шумы транзистора АГ значительно ниже создаваемых варикапом. Помеха определена в основном изменениями напряжения источника смещения EВТ и связанных с ними вариаций положения рабочей точки на вольт-фарадной характеристике варикапа. Электронная стабилизация этого напряжения обязательна, тогда относительные изменения напряжения ΔE’ВТ=ΔEВТ/EВТ составляют (0,1…1,0)×10-3. Квазипиковая амплитуда модулирующего сигнала UF.НОМ должна превышать ΔE ВТ (100,05Аип). Для достижения нормы на защищенность АИП от помехи следует выполнить условие
X
НОМ
≥ (ΔEВТ/
EВТ)
(100,05Аип).
Рис. 9. Модулятор канала звука (ЧМАГ)