
- •Лабораторная работа « Снятие статических характеристик биполярного транзистора» Краткие теоретические сведения.
- •. Методика графического определения h–параметров транзистора
- •Вторая часть лабораторной работы.
- •Порядок выполнения работы
- •Цель работы: Снятие и анализ стоко-затворных и стоковых характеристик полевого транзистора. Определение крутизны характеристики и активной выходной проводимости. Краткие теоретические сведения.
- •Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n переходом
- •Основные параметры полевого транзистора
- •Порядок выполнения работы
Вторая часть лабораторной работы.
Цель работы: Снятие и анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой .
Порядок выполнения работы
1. Собрать схему исследования транзистора, изображенную на рисунке 11. Для исследования используется транзистор, принятый в первой части работы.
Рис. 11
2. Построить таблицу результатов измерений для построения входных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой (Таблица 3)
Таблица 3
Iэ(мА), А1 |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
20 |
|
Uкб=0B, V2 |
Uэб(В), V1 |
0 |
|
|
|
|
|
|
Uкб=15B, V2 |
Uэб(В), V1 |
0 |
|
|
|
|
|
|
3. Установить на источнике напряжения Е (вольтметр V2) напряжение UКб=0 В 4. Изменяя значение тока источника I1 от 1 до 20 мА, записать соответствующие значения напряжения UЭБ (вольтметрV1) в таблицу. 5. Повторить измерения при выходном напряжении UКБ=15 В.
6. Построить таблицу результатов измерений для построения выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (Таблица 4)
Таблица 4
Uкб (В), V2 |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
20 |
|
Iэ=0мА, А1 |
Iк (мА), А2 |
|
|
|
|
|
|
|
Iэ=2мА, А1 |
Iк (мА), А2 |
|
|
|
|
|
|
|
Iэ=4мА, А1 |
Iк (мА), А2 |
|
|
|
|
|
|
|
Iэ=8мА, А1 |
Iк (мА), А2 |
|
|
|
|
|
|
|
7.Установить на источнике тока I1 ток IЭ=0 мА 8. Изменяя значение напряжения источника э.д.с. E от 0 до 20 В, записать соответствующие значения тока IК (амперметр А2) в таблицу. 9. Повторить измерения при входных токах базы IЭ , указанных в таблице. 10. По результатам измерений построить входные и выходные характеристики транзистора с общей базой, используя пакет Mathcad (рис.12 и 13).
11. Сделать вывод. Вывод должен содержать описание теоретических положений, подтвержденных экспериментально в процессе выполнения работы.
Рис. 12. Входные характеристики
Рис. 13. Семейство выходных характеристик.
Лабораторная работа «Снятие статических характеристик полевого транзистора с управляющим р-n- переходом.»