
- •Контрольні запитання
- •Наведіть схему заміщення ізоляції і поясніть значення її елементів.
- •3.Наведіть конструкцiю, призначення і принцип дії моста мд-16.
- •4. В яких випадках застосовують нормальну і перевернуту схему включення моста для вимірювання tg?
- •5. З якої причини може спостерігатись різке зростання tgδ при випробуванні ізоляції підвищеною напругою ?
- •7. Які існують види поляризації діелектриків та їх роль в визначенні
- •8. Яка природа електропровідності діелектричних матеріалів, методи її
- •9. Поясніть природу міграційної поляризації, наведіть співвідношення. Що показують можливість контролю якості за параметрами r і c?
- •10. Яка природа абсорбційних явищ в діелектриках і їх роль у визначенні діелектричних втрат?
- •11. З чого складаються діелектричні втрати, які методи їх контролю та
- •12. Фізичний зміст параметра tgδ, його роль у визначенні величини
- •13. Поясніть суть методу контролю ізоляції "опір – час" і спосіб його
- •14. Поясніть суть методу контролю ізоляції «ємність – частота» і спосіб його реалізації.
- •15. Поясніть механізм впливу температури на величину tgδ ?
- •17. Які переваги та недоліки прямої й "перевернутої" схеми мосту
- •18. Як впливає частота робочої напруги на величину tgδ ?
- •19. Чим відрізняються оріентаційна поляризація від міграційної?
- •2 0. Поясніть механізм діелектричних втрат та як їх розраховують ?
9. Поясніть природу міграційної поляризації, наведіть співвідношення. Що показують можливість контролю якості за параметрами r і c?
Міграційна поляризація обумовлена рухом у поле Е вільних зарядів
(іонів). Існує в неоднорідних діелектриках і спостерігається в ізоляції
конструкцій високої напруги, де звичайно використовуються неоднорідні
діелектричні матеріали або комбінації діелектриків.
Характерним прикладом міграційної поляризації є процеси в
двошаровому діелектрику з параметрами: відносними діелектричними
проникностями питомими провідностями,і товщинами
Ємність Сг неоднорідного діелектрика залежить від частоти, тобто виявляється нерівність:
Ця нерівність є умовою неоднорідності діелектрика, або умовою
виникнення міграційної поляризації.
Отже
якщо
,
то на межі розділу шарів накопичується
заряд
абсорбції. За інтенсивністю нагромадження заряду абсорбції оцінюють
ступень неоднорідності ізоляції.
Міграційна поляризація має місце в неоднорідних діелектриках і обумовлена рухом в електричному полі вільних зарядів(зазвичай іонів).
Суть міграційної поляризації можна розглянути на прикладі двошарового діелектрика, розташованого між плоскими електродами.
Залежність
С().
З цього малюнка видно, по-перше, що
геометрична місткість Сг
- це місткість, неоднорідного діелектрика
при нескінченно високій частоті, коли
процеси провідності не впливають на
розподіл напруги по шарах діелектрика.
По-друге, зміни ємності із зростанням
частоти мають такий же вигляд, як зміни
дійсної діелектричної проникності при
підвищенні частоти.
Це означає, що процеси в неоднорідному діелектрику при дії змінної напруги зовні проявляються так, як ніби в цьому діелектрику відбувається поляризація частково миттєва, а частково - з часом релаксації.
Цей відмічений ефект має місце тільки у тому випадку, коли діелектрик неоднорідний.
Цей вираз є одночасно умовою неоднорідності діелектрика і умовою існування в двошаровому діелектрику міграційної поляризації.
Для
міграційної поляризації характерне
накопичення на межі шарів неоднорідного
діелектрика заряду абсорбції. При
тривалому додатку до діелектрика
постійної напруги на шарах встановлюється
напруга U1
і U2.
Відповідно на місткостях шарів С1
і С2
накопичуються заряди. З цього виходить,
що якщо дотримується умова неоднорідності
діелектрика і відповідно
,
те на межі розділу шарів накопичується
заряд абсорбції. З накопиченням заряду
абсорбції пов'язані явища які
використовуються для оцінки стану
неоднорідної ізоляції.
10. Яка природа абсорбційних явищ в діелектриках і їх роль у визначенні діелектричних втрат?
В змінному електричному полі в діелектрику протікають струми провідності, які на схемі (рис.6.1,б) позначені резистором, й струми зміщення, що позначені емністю С. Через ємності ΔС (рис. 6.1) і проводячи домішки r протікають струми, що мають назву струмів абсорбції, або струми поляризації. Крім того, через ізоляцію по каналах суцільної провідності протікає струм провідності, або витоку: iпр=U/RПР (U – напруга, прикладена до діелектрика).
Протікання поляризаційних струмів приводить до розігріву діелектрика, в результаті чого електрична енергія перетворюється в тепло. Такі втрати електроенергії мають назву діелектричних втрат і виникають в основному за рахунок явища міграційної поляризації.
Мета випробувань – своєчасна заміна дефектної ізоляції електроустаткування. Методи випробувань поділяються на неруйнівні (це вимірювання опору R, ємності C, tgd, інтенсивності часткових розрядів) і руйнівні – вимірювання напруги пробою Uпр ізоляції.
Неоднорідну ізоляцію можна уявити як складену з двох шарів різної питомої провідності g і діелектричної проникності e. При включенні
п
остійної
напруги U
=
на межі шарів накопичується заряд
абсорбції. Якщо
ізоляція однорідна, то:
то
r
=
0. Це означає, що заряд абсорбції не
накопичується.
Зі схеми заміщення (рис.8.1) випливає, що при підключенні
н
еоднорідної
ізоляції до джерела постійної напруги,
струм черз неї повільно
змінюється в часі
Тут перша складова U/R – це сталий струм витоку, а другий член
виразу (9.2),- це експоненційно загасаюча вільна складова струму, яка
називається струмом абсорбції (без урахування короткочасного струму