
- •Второе издание удостоено государственной прем!* ссср
- •Кристалла — дислокация
- •В чет состоят основные представления о строении вещества?
- •Классификация материалов £ помощью зонной теории твердого тела и по магнитным свойствам.
- •3. Основные виды поляризации диэлектриков
- •4. Классификация диэлектриков по виду поляризации
- •5. Диэлектрическая проницаемость газов
- •Показатель преломления и диэлектрическая проницаемость некоторых газов
- •3). Число молекул n пропорционально давлению и обратно пропорционально абсолютной температуре.
- •6. Диэлектрическая проницаемость жидких диэлектриков
- •Диэлектрическая проницаемость и ее температурный коэффициент для неполярных и слабополярных жидкостей
- •Жидкости — совола
- •7. Диэлектрическая проницаемость твердых диэлектриков
- •Диэлектрическая проницаемость и показатель преломления некоторых неполярных твердых диэлектриков при температуре 20 “с
- •Значение ег и тк ег ионных кристаллов при температуре 20 °с
- •Различных частотах Значение ег неорганических стекол и органических полярных диэлектриков при 20 °с
- •Сегнетова соль 500—600 Титанат бария 1500—2000 Титанат бария с добавками . . 7000—9000
- •Электропроводность диэлектриков
- •2. Электропроводность газов
- •3 . Электропроводность жидкостей
- •4. Электропроводность твердых тел
- •Натриевый пирекс .... 2-10е Калиевый пирекс 8109 Свинцовое стекло 2-1010
- •5. Поверхностная электропроводность твердых диэлектриков
- •Удельное поверхностное сопротивление некоторых материалов при относительной влажности, равной 70 %
- •Основные механизмы электропроводности газов, диэлектрических жидкостей и твердых диэлектриков.
- •Чем обусловливается поверхностная электропроводность твердых диэлектриков?
- •1. Основные понятия
- •2. Виды диэлектрических потерь в электроизоляционных материалах
- •3. Диэлектрические потери в газах
- •4. Диэлектрические потери в жидких диэлектриках
- •Жидкости
- •5. Диэлектрические потери в твердых диэлектриках
- •Частотах
- •Температуре 50 °с)
- •Температуры
- •2. Пробой газов
- •4. Пробой твердых диэлектриков
- •Электрический пробой макроскопически однородных диэлектриков.
- •Электрическая прочность некоторых твердых диэлектриков в однородном поле при частоте 50 Гц
- •5. Тепловой и электрохимический пробой твердых диэлектриков
- •В чем различие в терминах: пробивное напряжение и электрическая прочность материала?
- •Каковы механизмы пробоя газоп, жидкостей и твердых тел?
- •Выведите выражение для пробивного напряжения при тепловом пробое по упрощенной теории н. II. Семенова и в. А. Фока.
- •"‘Нас Риас
- •Чиваемой поверхности (б)
- •Воздуха и температуры
- •Церезин 1,5-10'19 Полистирол 6,2-10"1?1- Триацетат целлюлозы . . . 2,ь10-в
- •Температурные коэффициенты линейного расширения некоторых диэлектриков
- •4. Химические свойства диэлектриков и воздействие на материалы излучений высокой энергии
- •Какие физико-химические и механические свойства диэлектриков необходимо учитывать при эксплуатации материалов?
- •Какие из этих свойств являются специфическими для диэлектриков?
- •К чему сводится влияние на диэлектрики излучений высокой энергии?
- •5. Общие сведения об органических полимерах
- •— Кремнийорганический; 6 — полиимидный
- •Р /v5 ис. 6-17. Схема установки для пропитки с применением вакуума и давления
- •Различных частотах
- •Мв/м при переменном напряжении частоты 50 Гц.
- •75 МПа, удельная ударная вязкость 20—
- •Изоляции на провод
- •Корпус; 8 — подвод воды для охлаждения червяка; 9 — слив воды
- •Из полиэтилена
- •Свойства гетииакса марок I и V, текстолита марки б и стеклотекстолита марки стэф (образцы толщиной более 10 мм)
- •6Текловолокно
- •18. Слюда и слюдяные материалы
- •(В % по массе)
- •Диаметра провода о
- •Охлаждении
- •Параметры некоторых сверхпроводкнксвых материалов
- •Изменение удельного сопротивления алюминия различной чистоты
- •5. Различные сплавы, припои, неметаллические проводники
- •Растворять и удалять оксиды и загрязнения с поверхности спаиваемых металлов;
- •Защищать в процессе пайки поверхность металла, а также расплавленный припой от окисления; 3) уменьшать поверхностное натяжение расплавленного припоя и смачиваемость им соединяемых поверхностей.
- •2. Электропроводность полупроводников
- •I I I I I I лической решетки германия: а — без примесей;
- •Р Тх Тип р Тг Тх Тип п % б) ис. 8-3. Определение типа электропроводности полупроводников: а — при помощи эффекта Холла; б — при помощи нагрева одного из концов испытуемого полупроводника
- •4. Элементы, обладающие свойствами полупроводников
- •От температуры
- •С воздушным охлаждением
- •От температуры
- •5. Полупроводниковые химические соединения и материалы на их основе
- •Свойства полупроводниковых соединений типа ашву
- •В кристалле
- •С магнитным сердечником
- •Точки компенсации (б)
- •Плотность и удельное сопротивление электротехнической стали в зависимости от содержания кремния
- •Предельное значение удельных потерь и магнитной •индукции электротехнической стали класса 2
- •Предельное значение удельных потерь и магнитной индукции электротехнической стали класса 3
- •Свойства железоникелевых сплавов (пермаллоев) после термической обработки
- •Проницаемостью
- •Состав и свойства мартенситных сталей для постоянных магнитов
- •Магнитные свойства магнитов из феррита бария н феррита кобальта
В чет состоят основные представления о строении вещества?
Классификация материалов £ помощью зонной теории твердого тела и по магнитным свойствам.
1
с=э
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ ДИЭЛЕКТРИКИ
ГЛАВА ПЕРВАЯ
ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ
М. ДИЭЛЕКТРИК В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
Основным, характерным для любого диэлектрика процессом, возникающим при воздействии на него электрического напряжения, является поляризация —ограниченное смещение связанных зарядов или ориентация дипольных молекул.
О явлениях, обусловленных поляризацией диэлектрика, можно судить по значению диэлектрической проницаемости, а также угла диэлектрических потерь, если поляризация диэлектрика сопровождается рассеянием энергии, вызывающим нагрев диэлектрика. В нагреве технического диэлектрика могут участвовать содержащиеся в нем немногочисленные свободные заряды, обусловливающие возникновение под воздействием электрического напряжения малого сквозного тока, проходящего через толщу диэлектрика и по его поверхности. Наличием сквозного тока объясняется явление электропроводности технического диэлектрика, численно характеризуемой значениями удельной объемной электрической проводимости и удель-
ной поверхностной электрической проводимости, являющимися обратными соответствующим значениям удельных объемного и поверхностного электрических сопротивлений.
Любой диэлектрик может быть использован только при напряжениях, не превышающих предельных значений, характерных для него в определенных условиях. При напряжениях выше этих предельных значений наступает пробой диэлектрика — полная потеря им диэлектрических свойств.
, Значение напряжения, при котором происходит пробой диэлектрика, называется пробивным напряжением, а соответствующее значение напряженности внешнего однородного электрического поля — электрической прочностью диэлектрика.
1-2. ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ
Под влиянием электрического поля связанные электрические заряды диэлектрика смещаются в направлении действующих на них сил и тем больше, чем выше напряженность поля. При снятии электрического поля заряды возвращаются в прежнее состояние. В полярных диэлектриках, содержащих дипольные молекулы, воздействие электрического поля вызывает еще и ориентацию диполей в направлении поля; при отсутствии поля диполи дезориентируются вследствие теплового движения.
Большинство диэлектриков характеризуется линейной зависимостью электрического смещения от напряженности электрического поля, созданного в диэлектрике. Особую группу составляют диэлектрики, в которых с изменением напряженности поля смещение меняется нелинейно, обнаруживая насыщение при некотором значении напряженности поля. Такие диэлектрики называются сегне- тоэлектриками.
Наименование «сегнетоэлектрик» связано с тем, что нелинейность поляризации впервые была обнаружена у сегнетовой соли (подробнее см. стр. 28, 29).
Любой диэлектрик с нанесенными на него электродами, включенный в электрическую цепь, может рассматриваться как конденсатор определенной емкости (рис. 1-1, а).
Заряд конденсатора, как известно, равен
<
(1-1)
3 = си,где С — емкость конденсатора; £/ — приложенное напряжение.
Заряд <2 при заданном значении приложенного напряжения слагается из заряда ф0, который присутствовал бы на электродах, если бы их разделял вакуум, и заряда фд, который обусловлен поляризацией диэлектрика, фактически разделяющего электроды:
С
(1-2)
— Со + с,Одной из важнейших характеристик диэлектрика является его относительная диэлектрическая проницаемость ег. Эта величина представляет собой отношение заряда <}, полученного при некотором
Рис. 1-1. Диэлектрик сложного состава с различными механизмами поляризации в электрическом поле (а) и его эквивалентная схема (б)
V — источник напряжения; С„ и С» — емкость и заряд в вакууке соответстветво; С и @ — соответственно емкости и заряды от электронной; ионной, дилольно-релаксавивкной, ив»«0" релаксационной, электронно-релаксационной, миграционной н спонтанной поляризацией; Г — сопротивления, эквивалентные потерян энергии при этих механизмах поляризаций; Ян з — сопротивление изоляции сквозному теку через диэлектрик
напряжении на конденсаторе, содержащем данный диэлектрик, к заряду <20, который можно было бы получить в конденсаторе тех же размеров и при том же напряжении, если бы между электродами находился вакуум:
''=1=^“'+-!- <ьз> Из выражений (1-3) следует, что относительная диэлектрическая проницаемость любого вещества больше единицы и равна единице толъж©> для вакуума.
Относительная диэлектрическая проницаемость любого вещества не зависит от выбора системы единиц. В дальнейшем для характеристики1 качества диэлектриков используется именно эта величина, причем слово «относительная» для краткости опускается.
Соотношение (1-1), приведенное выше, может быть представлен© в виде
<2 — (2оег — Си — С61/ет, (1-4)
где С0 — емкость, которую имел бы данный конденсатор, если бы его электроды разделял вакуум.
Из формулы (1-4) следует, что диэлектрическую проницаемость вещества ег можно определить как отношение емкости конденсатора с данным диэлектриком к емкости конденсатора тех же размеров, диэлектриком которого является вакуум.