Рис. 3-6. Зависимость tg 6 от температуры для высушенной бумаги при различных

Частотах

Р ис. 3-7. Температурная зависимость tg 6 титаносодержащей керамики при ча­стоте 50 Гц

емые релаксационной поляризацией, вызывающей повышенные ди электрические потери. К этим веществам относятся: муллит, вхо­дящий в состав изоляторного фарфора, кордиерит — компонент ке­рамики с малым температурным коэффициентом расширения, Р-глинозем, получающийся при обжиге глиноземистых изделий, 7-глинозем, циркон, входящий в состав огнеупорной керамики, и др. (подробнее см. стр. 174).

Так как для большинства видов электрокерамики число ионов, участвующих в релаксационной поляризации, непрерывно возра­стает с температурой, то максимум б отсутствует и температур­ная зависимость tg б подобно температурной зависимости удельной проводимости в первом приближении имеет экспоненциальный ха­рактер (рис. 3-7).

Диэлектрические потери в аморфных веществах ионной струк­туры — неорганических стеклах — связаны с явлением поляриза­ции и электропроводности.

Рассматривая механизм диэлектрических потерь в стеклах, сле­дует различать:

а) потери, мало зависящие от температуры и возрастающие прямо пропорционально частоте ^ б не зависит от частоты);

б) потери, заметно возрастающие с температурой по закону экс­поненциальной функции и мало зависящие от частоты ^ б умень­шается с возрастанием частоты).

Потери первого вида обусловливаются релаксационной поляриза­цией и сильно выражены во всех технических стеклах. Чисто квар­цевое стекло обладает весьма малыми релаксационными потерями. Введение в плавленый кварц небольшого количества оксидов вы­зывает заметное возрастание диэлектрических потерь из-за наруше­ния структуры стекла.

Термическая обработка — отжиг или закалка — заметно влияет на угол диэлектрических потерь стекла в связи с изменением его структуры.

В табл. 3-2 показано влияние способа термической обработки некоторых стекол на тангенс угла потерь

Потери второго вида вызываются передвиже­ниями слабосвязанных ионов и должны рас­сматриваться как поте­ри, обусловленные элек­тропроводностью. Та­кие потери появляются обычно при температу­рах выше 50—100 °С.

Ч

Влияние термической обработки на тангенс угла потерь стекол при 20 °С и / = 1 МГц

		б
Способ обработки	Стекло си-
	ликатно-нат- риевое	свинцовое
Длительный отжиг	0,0073	0,0012
Закалка	0,1250	0,0020

ем большую сквоз­ную электропровод­ность имеет стекло,тем при более низкой температуре наблюдается возрастание тангенса угла потерь.|

Тангенс угла диэлектрических потерь для стекол разного со­става уменьшается с ростом удельного сопротивления (рис. 3-8).

Тангенс угла диэлектрических потерь алюмооксида очень мал и почти не зависит от температуры, напротив, 6 электротехниче­ского фарфора велик и резко зависит от температуры (рис. 3-9).

Диэлектрические потери в неорганических стеклах определяются входящими в стекло оксидами. Наличие в стекле щелочных оксидов (Ка_гО, К₂0) при отсутствии тяжелых оксидов (ВаО, РЬО) вызывает значительное повышение диэлектрических потерь стекла. Введение тяжелых оксидов уменьшает tg б щелочных стекол.

Д

Рис. 3-І

иэлектрические потери в сенгетоэлектриках выше, чем у обыч­ных диэлектриков. Особенностью сегнетоэлектриков, как указыва-

ід8	103
	I1
	/
	/
/	Г
/
							2
							3 £

0 40 80 120 160200 240 280 °С

Рис. 3-9

Рис. 3-8. Зависимость 10 б от температуры при частоте 1 МГц для щелочных стекол, имеющих различное удельное объемное сопротивление (значения р измерялись при