- •Второе издание удостоено государственной прем!* ссср
- •Кристалла — дислокация
- •В чет состоят основные представления о строении вещества?
- •Классификация материалов £ помощью зонной теории твердого тела и по магнитным свойствам.
- •3. Основные виды поляризации диэлектриков
- •4. Классификация диэлектриков по виду поляризации
- •5. Диэлектрическая проницаемость газов
- •Показатель преломления и диэлектрическая проницаемость некоторых газов
- •3). Число молекул n пропорционально давлению и обратно пропорционально абсолютной температуре.
- •6. Диэлектрическая проницаемость жидких диэлектриков
- •Диэлектрическая проницаемость и ее температурный коэффициент для неполярных и слабополярных жидкостей
- •Жидкости — совола
- •7. Диэлектрическая проницаемость твердых диэлектриков
- •Диэлектрическая проницаемость и показатель преломления некоторых неполярных твердых диэлектриков при температуре 20 “с
- •Значение ег и тк ег ионных кристаллов при температуре 20 °с
- •Различных частотах Значение ег неорганических стекол и органических полярных диэлектриков при 20 °с
- •Сегнетова соль 500—600 Титанат бария 1500—2000 Титанат бария с добавками . . 7000—9000
- •Электропроводность диэлектриков
- •2. Электропроводность газов
- •3 . Электропроводность жидкостей
- •4. Электропроводность твердых тел
- •Натриевый пирекс .... 2-10е Калиевый пирекс 8109 Свинцовое стекло 2-1010
- •5. Поверхностная электропроводность твердых диэлектриков
- •Удельное поверхностное сопротивление некоторых материалов при относительной влажности, равной 70 %
- •Основные механизмы электропроводности газов, диэлектрических жидкостей и твердых диэлектриков.
- •Чем обусловливается поверхностная электропроводность твердых диэлектриков?
- •1. Основные понятия
- •2. Виды диэлектрических потерь в электроизоляционных материалах
- •3. Диэлектрические потери в газах
- •4. Диэлектрические потери в жидких диэлектриках
- •Жидкости
- •5. Диэлектрические потери в твердых диэлектриках
- •Частотах
- •Температуре 50 °с)
- •Температуры
- •2. Пробой газов
- •4. Пробой твердых диэлектриков
- •Электрический пробой макроскопически однородных диэлектриков.
- •Электрическая прочность некоторых твердых диэлектриков в однородном поле при частоте 50 Гц
- •5. Тепловой и электрохимический пробой твердых диэлектриков
- •В чем различие в терминах: пробивное напряжение и электрическая прочность материала?
- •Каковы механизмы пробоя газоп, жидкостей и твердых тел?
- •Выведите выражение для пробивного напряжения при тепловом пробое по упрощенной теории н. II. Семенова и в. А. Фока.
- •"‘Нас Риас
- •Чиваемой поверхности (б)
- •Воздуха и температуры
- •Церезин 1,5-10'19 Полистирол 6,2-10"1?1- Триацетат целлюлозы . . . 2,ь10-в
- •Температурные коэффициенты линейного расширения некоторых диэлектриков
- •4. Химические свойства диэлектриков и воздействие на материалы излучений высокой энергии
- •Какие физико-химические и механические свойства диэлектриков необходимо учитывать при эксплуатации материалов?
- •Какие из этих свойств являются специфическими для диэлектриков?
- •К чему сводится влияние на диэлектрики излучений высокой энергии?
- •5. Общие сведения об органических полимерах
- •— Кремнийорганический; 6 — полиимидный
- •Р /v5 ис. 6-17. Схема установки для пропитки с применением вакуума и давления
- •Различных частотах
- •Мв/м при переменном напряжении частоты 50 Гц.
- •75 МПа, удельная ударная вязкость 20—
- •Изоляции на провод
- •Корпус; 8 — подвод воды для охлаждения червяка; 9 — слив воды
- •Из полиэтилена
- •Свойства гетииакса марок I и V, текстолита марки б и стеклотекстолита марки стэф (образцы толщиной более 10 мм)
- •6Текловолокно
- •18. Слюда и слюдяные материалы
- •(В % по массе)
- •Диаметра провода о
- •Охлаждении
- •Параметры некоторых сверхпроводкнксвых материалов
- •Изменение удельного сопротивления алюминия различной чистоты
- •5. Различные сплавы, припои, неметаллические проводники
- •Растворять и удалять оксиды и загрязнения с поверхности спаиваемых металлов;
- •Защищать в процессе пайки поверхность металла, а также расплавленный припой от окисления; 3) уменьшать поверхностное натяжение расплавленного припоя и смачиваемость им соединяемых поверхностей.
- •2. Электропроводность полупроводников
- •I I I I I I лической решетки германия: а — без примесей;
- •Р Тх Тип р Тг Тх Тип п % б) ис. 8-3. Определение типа электропроводности полупроводников: а — при помощи эффекта Холла; б — при помощи нагрева одного из концов испытуемого полупроводника
- •4. Элементы, обладающие свойствами полупроводников
- •От температуры
- •С воздушным охлаждением
- •От температуры
- •5. Полупроводниковые химические соединения и материалы на их основе
- •Свойства полупроводниковых соединений типа ашву
- •В кристалле
- •С магнитным сердечником
- •Точки компенсации (б)
- •Плотность и удельное сопротивление электротехнической стали в зависимости от содержания кремния
- •Предельное значение удельных потерь и магнитной •индукции электротехнической стали класса 2
- •Предельное значение удельных потерь и магнитной индукции электротехнической стали класса 3
- •Свойства железоникелевых сплавов (пермаллоев) после термической обработки
- •Проницаемостью
- •Состав и свойства мартенситных сталей для постоянных магнитов
- •Магнитные свойства магнитов из феррита бария н феррита кобальта
КУдельное поверхностное сопротивление некоторых материалов при относительной влажности, равной 70 %
Диэлектрик |
р£ при неочищенной поверхности, Ом |
после ОЧИСТКИ по* ЕерХИССТИ, Ом |
Щелочное стекло . . |
2- Ю8 |
1- 10й |
Плавленый кварц |
2-10® |
МО18 |
Микалекс |
МО9 |
МО13 |
ОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
]. Какими параметрами оценивают электропроводность диэлектриков?
Основные механизмы электропроводности газов, диэлектрических жидкостей и твердых диэлектриков.
Чем обусловливается поверхностная электропроводность твердых диэлектриков?
ГЛАВА ТРЕТЬЯ
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ
1. Основные понятия
Диэлектрическими потерями называют мощность, рассеиваемую в диэлектрике при воздействии на него электрического поля и вызывающую нагрев диэлектрика.
Потери в диэлектриках наблюдаются как при переменном напряжении, так и при постоянном, поскольку в материале обнаруживается
Рио. 3-1. Зависимость заряда от напряжения для линейного диэлектрика без потерь (а), а потерями (б)
с
квозной
ток, обусловленный проводимостью.
При постоянном напряжении, когда и
нет периодической поляризации, качество
материала характеризуется, как
указывалось выше, значениями удельных
объемного и поверхностного сопротивлений.При
переменном напряжении необходимо
использовать какую-то другую
характеристику качества материала, так
как в этом случае, кроме сквозного тока,
возникают дополнительные причины,
вызывающие потери в диэлектрике.
Диэлектрические потери в электроизоляционном материале можно характеризовать рассеиваемой мощностью, отнесенной к единице объема, или удельными потерями; чаще для оценки способности диэлектрика рассеивать мощность в электрическом поле пользуются углом диэлектрических потерь, а также тангенсом этого угла.
Углом диэлектрических потерь называется угол, дополняющий до 90э угол фазового сдвига ф между током и напряжением в емкостной цепи. Для идеального диэлектрика вектор тока в такой цепи будет опережать вектор напряжения на 90°, при этом угол диэлектрических потерь б будет равен нулю. Чем больше рассеиваемая в диэлектрике мощность, переходящая в теплоту, тем меньше угол фазового сдвига ф и тем больше угол б и его функция tg б.
Недопустимо большие диэлектрические потери в электроизоляционном материале вызывают сильный нагрев изготовленного из него изделия и могут привести к его тепловому разрушению. Даже если напряжение, приложенное к диэлектрику, недостаточно велико для того, чтобы за счет диэлектрических потерь мог произойти недопустимый перегрев, то и в этом случае большие диэлектрические потери могут принести существенный вред, увеличивая, например, активное сопротивление колебательного контура, в котором использован данный диэлектрик, а следовательно, и величину затухания.
Природа диэлектрических потерь в электроизоляционных материалах различна в зависимости от агрегатного состояния вещества. Диэлектрические потери могу г обусловливаться сквозным током или, как указывалось при рассмотрении явления поляризации, активными составляющими токов смещения. При изучении диэлектрических потерь, непосредственно связанных с поляризацией диэлектрика, можно характеризовать это явление поляризации кривыми, представляющими зависимость электрического заряда на электродах конденсатора с данным диэлектриком от приложенного к конденсатору напряжения (рис. 3-1). При отсутствии потерь, вызываемых явлением поляризации, заряд линейно зависит от напряжения (рис. 3-1, а) и такой диэлектрик называется линейным. Если в линейном диэлектрике наблюдается замедленная поляризация, связанная с потерями энергии, то кривая зависимости заряда ог напряжения приобретает вид эллипса (рис. 3-1, б). Площадь этого
N
\
о-
и
-6
\
I
-о
о-
ч И
Рис. 3-2. Векторные диаграммы и эквивалентные схемы диэлектрика с потерями: а — последовательная; б— параллельная
эллипса пропорциональна количеству энергии, которая поглощается диэлектриком за один период изменения напряжения.
Для нелинейного диэлектрика—сегнетоэлектрика—кривая зависимости заряда от напряжения приобретает вид петли гистерезиса, характерной для магнитных материалов (см. рис. 1-10); и в этом случае площадь петли пропорциональна потерям энергии за один период в единице объема диэлектрика.
В технических электроизоляционных материалах, помимо потерь от сквозной электропроводности и потерь от зам£дл_едной поляризации, возникают диэлектрические потери, которые сильно влияют на "Электрические свойства диэлектриков. Эти потери вызываются наличием изолидоаашшх„друг от друга посторонних проводящих или полупроводящих включений углерода, оксидов железа; они значительны даже при малом содержании таких примесей в электроизоляционном материале.
При высоких напряжениях потери в диэлектрике возникают вследствие ионизации газовых включений внутри диэлектрика, особенно интенсивно происходящей при высоких частотах.
Рассмотрим схему, эквивалентную конденсатору с диэлектриком, обладающим потерями, находящемуся в цепи переменного напряжения. Эта схема должна быть выбрана так, чтобы активная мощность, расходуемая в данной схеме, была равна мощности, рассеиваемой в диэлектрике конденсатора, а ток опережал напряжение на тот же угол, что и в рассматриваемом конденсаторе.
Поставленная задача может быть решена заменой конденсатора с потерями идеальным конденсатором с последовательно включенным активным сопротивлением (рис. 3-2, а) или идеальным конденсатором, шунтированным активным сопротивлением (рис. 3-2, б). Такие эквивалентные схемы, конечно, не дают полностью объяснения механизма диэлектрических потерь в реальных диэлектриках.
Последовательная и параллельная схемы, представленные на рис. 3-2, а и б, эквивалентны друг другу, если при равенстве полных сопротивлений гх = г2 = г равны их активные и реактивные составляющие. Это условие будет соблюдено, если углы сдвига тока относительно напряжения ф равны и значения активной мощности одинаковы.
Из теории переменных токов известно, что активная мощность
Ря = UI cos ф. (3-1)
Выразим мощности для последовательной и параллельной схем через емкости С„ и С„ и угол б, который является дополнением угла ф до 90°.
Для последовательной схемы, используя выражение (3-1) и соответствующую векторную диаграмму, имеем
о _ U Ur$ _ u*r„ _ и*г, _и*ыС$ tg« .
* ^ ^ ** + f| *2(l+4) 1 + tg26 ’
II/ \ І І I / 9
т^=|т4?=0'°°89КЧ 24
, _ № 25
’°=тк- <‘-6> 25
у = 2Л'ехр (— ж)' (2'13) 40
\\ 46
=r‘(I+ik)- (3-7) 53
тк'-«‘-т-гг' (57> 85
н н н н 111
н н н н 112
Н,с.<( )о а/ 119
,0 120
Ї/Г\ГО 1/Г\Г Кг V] |\т /[ Ь 7
. Ч-Н2-*- 242
=
ГР
=
Для высококачественных диэлектриков можно пренебречь значением, tg2 б по сравнению с единицей в формуле (3-6) и считать Ср « С4 « « С. Выражения для мощности, рассеиваемой в диэлектрике, в этом случае будут одинаковы для обеих схем:
Ра = U4C tg б, (3-8)
где Ра —активная мощность, Вт; U —напряжение, В; и —угловая частота, с"1; С —емкость, Ф.
Сопротивление гр в параллельной схеме, как следует из выражения (3-7), во много раз больше сопротивления rs.
Выражение для удельных диэлектрических потерь, т. е. мощности, рассеиваемой в единице объема диэлектрика, имеет вид:
/>=-£-
= ОЩЕ,
tg б £2 = ;
;^0610
£2 = ТаЕ\ (3-9)
где р —удельные потери, Вт/м3; и = 2nf —угловая частота, с-1; Б—напряженность электрического поля, В/м.
46
Табмца 3-1
Значения б и «г диэлектриков с большими потерями
Характеристика |
Увлажненный материал |
|
Фенопласт |
Кабельная бумага |
|
6 |
0,66 |
0,35 |
&г по последовательной схеме • . |
28,00 |
4,80 |
&г по параллельной схеме . * . |
19,50 |
4,30 |
Действительно, емкость между противоположными гранями куба со стороной 1 м будет Сх = е0ег, реактивная составляющая удельной проводимости
Ус — =' I ^“Уо'о“ ’ (3-10)
а активная составляющая
— И-1П
1,8-ю10 ’ ' '
Следует отметить, что емкость диэлектрика с большими потерями становится совершенно условной величиной, зависящей от выбора той или иной эквивалентной схемы. Отсюда и диэлектрическая проницаемость материала с большими потерями при переменном напряжении также условна. Угол диэлектрических потерь от выбора схемы не зависит.
В качестве примера в табл. 3-1 приведены значения ег для некоторых материалов, имеющих высокое значение tg 8.
Определив каким-либо методом при некоторой частоте параметры эквивалентной схемы исследуемого диэлектрика (Ср и гр или С* и ге), в общем случае нельзя считать полученные значения емкости и сопротивления присущими данному конденсатору и пользоваться этими данными для расчета угла потерь при другой частоте. Такой расчет может быть сделан только в том случае, если эквивалентная схема имеет определенное физическое обоснование. Так, например, если известно для данного диэлектрика, что потери в нем определяются только потерями от сквозной электропроводности в широком диапазоне частот, то угол потерь конденсатора с таким диэлектриком может быть вычислен для любой частоты, лежащей в этом диапазоне:
*в®—г®-- <3-12>
где С и гр — постоянные емкость и сопротивление, измеренные при данной частоте.
Потери в таком конденсаторе, как легко видеть, не зависят от частоты:
Р» = иУгр. (3-13)
Наоборот, если потери в конденсаторе обусловливаются главным образом сопротивлением подводящих проводов, а также сопротивлением самих электродов (например, тонкий слой серебра), то рассеиваемая мощность в таком конденсаторе будет возрастать пропорционально квадрату частоты:
Ра = и2а>С = и2(иС(иСгя = и\о2С\. (3-14)
Из последнего выражения можно сделать весьма важный практический вывод: конденсаторы, предназначенные для работы на высокой частоте, должны иметь по возможности малое сопротивление как электродов, так и соединительных проводов и переходных контактов.
В большинстве случаев потери в конденсаторе не могут быть полностью объяснены ни первым, ни вторым из вышеприведенных факторов, и тогда необходимо определять параметры конденсатора именно при той частоте, при которой он будет использоваться.
Рассматривая формулы (3-8) и (3-9), можно видеть, что диэлектрические потери приобретают серьезное значение для материалов, используемых в установках высокого напряжения, в высокочастотной аппаратуре и особенно в высоковольтных высокочастотных устройствах, поскольку диэлектрические потери пропорциональны квадрату приложенного к диэлектрику напряжения и частоте поля. Материалы, предназначаемые для применения в указанных условиях, должны отличаться малыми значениями угла потерь и диэлектрической проницаемости, так как в противном случае мощность, рассеиваемая в диэлектрике, может стать недопустимо большой.
