
- •Второе издание удостоено государственной прем!* ссср
- •Кристалла — дислокация
- •В чет состоят основные представления о строении вещества?
- •Классификация материалов £ помощью зонной теории твердого тела и по магнитным свойствам.
- •3. Основные виды поляризации диэлектриков
- •4. Классификация диэлектриков по виду поляризации
- •5. Диэлектрическая проницаемость газов
- •Показатель преломления и диэлектрическая проницаемость некоторых газов
- •3). Число молекул n пропорционально давлению и обратно пропорционально абсолютной температуре.
- •6. Диэлектрическая проницаемость жидких диэлектриков
- •Диэлектрическая проницаемость и ее температурный коэффициент для неполярных и слабополярных жидкостей
- •Жидкости — совола
- •7. Диэлектрическая проницаемость твердых диэлектриков
- •Диэлектрическая проницаемость и показатель преломления некоторых неполярных твердых диэлектриков при температуре 20 “с
- •Значение ег и тк ег ионных кристаллов при температуре 20 °с
- •Различных частотах Значение ег неорганических стекол и органических полярных диэлектриков при 20 °с
- •Сегнетова соль 500—600 Титанат бария 1500—2000 Титанат бария с добавками . . 7000—9000
- •Электропроводность диэлектриков
- •2. Электропроводность газов
- •3 . Электропроводность жидкостей
- •4. Электропроводность твердых тел
- •Натриевый пирекс .... 2-10е Калиевый пирекс 8109 Свинцовое стекло 2-1010
- •5. Поверхностная электропроводность твердых диэлектриков
- •Удельное поверхностное сопротивление некоторых материалов при относительной влажности, равной 70 %
- •Основные механизмы электропроводности газов, диэлектрических жидкостей и твердых диэлектриков.
- •Чем обусловливается поверхностная электропроводность твердых диэлектриков?
- •1. Основные понятия
- •2. Виды диэлектрических потерь в электроизоляционных материалах
- •3. Диэлектрические потери в газах
- •4. Диэлектрические потери в жидких диэлектриках
- •Жидкости
- •5. Диэлектрические потери в твердых диэлектриках
- •Частотах
- •Температуре 50 °с)
- •Температуры
- •2. Пробой газов
- •4. Пробой твердых диэлектриков
- •Электрический пробой макроскопически однородных диэлектриков.
- •Электрическая прочность некоторых твердых диэлектриков в однородном поле при частоте 50 Гц
- •5. Тепловой и электрохимический пробой твердых диэлектриков
- •В чем различие в терминах: пробивное напряжение и электрическая прочность материала?
- •Каковы механизмы пробоя газоп, жидкостей и твердых тел?
- •Выведите выражение для пробивного напряжения при тепловом пробое по упрощенной теории н. II. Семенова и в. А. Фока.
- •"‘Нас Риас
- •Чиваемой поверхности (б)
- •Воздуха и температуры
- •Церезин 1,5-10'19 Полистирол 6,2-10"1?1- Триацетат целлюлозы . . . 2,ь10-в
- •Температурные коэффициенты линейного расширения некоторых диэлектриков
- •4. Химические свойства диэлектриков и воздействие на материалы излучений высокой энергии
- •Какие физико-химические и механические свойства диэлектриков необходимо учитывать при эксплуатации материалов?
- •Какие из этих свойств являются специфическими для диэлектриков?
- •К чему сводится влияние на диэлектрики излучений высокой энергии?
- •5. Общие сведения об органических полимерах
- •— Кремнийорганический; 6 — полиимидный
- •Р /v5 ис. 6-17. Схема установки для пропитки с применением вакуума и давления
- •Различных частотах
- •Мв/м при переменном напряжении частоты 50 Гц.
- •75 МПа, удельная ударная вязкость 20—
- •Изоляции на провод
- •Корпус; 8 — подвод воды для охлаждения червяка; 9 — слив воды
- •Из полиэтилена
- •Свойства гетииакса марок I и V, текстолита марки б и стеклотекстолита марки стэф (образцы толщиной более 10 мм)
- •6Текловолокно
- •18. Слюда и слюдяные материалы
- •(В % по массе)
- •Диаметра провода о
- •Охлаждении
- •Параметры некоторых сверхпроводкнксвых материалов
- •Изменение удельного сопротивления алюминия различной чистоты
- •5. Различные сплавы, припои, неметаллические проводники
- •Растворять и удалять оксиды и загрязнения с поверхности спаиваемых металлов;
- •Защищать в процессе пайки поверхность металла, а также расплавленный припой от окисления; 3) уменьшать поверхностное натяжение расплавленного припоя и смачиваемость им соединяемых поверхностей.
- •2. Электропроводность полупроводников
- •I I I I I I лической решетки германия: а — без примесей;
- •Р Тх Тип р Тг Тх Тип п % б) ис. 8-3. Определение типа электропроводности полупроводников: а — при помощи эффекта Холла; б — при помощи нагрева одного из концов испытуемого полупроводника
- •4. Элементы, обладающие свойствами полупроводников
- •От температуры
- •С воздушным охлаждением
- •От температуры
- •5. Полупроводниковые химические соединения и материалы на их основе
- •Свойства полупроводниковых соединений типа ашву
- •В кристалле
- •С магнитным сердечником
- •Точки компенсации (б)
- •Плотность и удельное сопротивление электротехнической стали в зависимости от содержания кремния
- •Предельное значение удельных потерь и магнитной •индукции электротехнической стали класса 2
- •Предельное значение удельных потерь и магнитной индукции электротехнической стали класса 3
- •Свойства железоникелевых сплавов (пермаллоев) после термической обработки
- •Проницаемостью
- •Состав и свойства мартенситных сталей для постоянных магнитов
- •Магнитные свойства магнитов из феррита бария н феррита кобальта
4. Электропроводность твердых тел
Электропроводность твердых тел обусловливается передвижением как ионов самого диэлектрика, так и ионов случайных примесей, а у некоторых материалов может быть вызвана наличием свободных электронов. Электронная электропроводность наиболее заметна при сильных электрических полях. Вид электропроводности устанавливают экспериментально, используя закон Фарадея. Ионная электропроводность сопровождается переносом вещества. При электронной электропроводности это явление не наблюдается. В процессе прохождения электрического тока через твердый диэлектрик содержащиеся в нем ионы примеси могут частично удаляться, выделяясь на электродах, как это наблюдается в жидкостях.
В твердых диэлектриках ионного строения электропроводность обусловлена главным образом перемещением ионов, освобождаемых под влиянием флуктуаций теплового движения. При низких температурах передвигаются слабозакрепленные ионы, в частности ионы примесей. При высоких температурах освобождаются и некоторые ионы из узлов кристаллической решетки.
В диэлектриках с атомной или молекулярной решеткой электропроводность связана только с наличием примесей, удельная проводимость их весьма мала.
В каждом отдельном случае механизм электропроводности определяется на основании данных об энергии активации носителя заряда. Известно, например, что для каменной соли энергия активации ионов натрия при нормальной температуре составляет примерно 0,85 эВ. Энергия активации ионов хлора в три раза больше, а энергия активации электронов равна 6 эВ, тогда как средняя.
Рис. 2-5. Зависимость удельной проводимости диэлектрика (в логарифмическом масштабе) от величины, обратной абсолютной температуре, в области собственной и примесной электропроводности при различном содержании примеси iV* > N2 > yV3 > /V4 I, 2, 3,4 — примесная электропроводность; б — собственная электропроводность
э
нергия
теплового движения при комнатной
температуре составляет всего лишь 0,025
эВ.
Удельная проводимость при некоторой температуре Т выражается той же простой зависимостью, что и для жидкостей [см. формулу (2-8)].
Подвижность электронов на много порядков больше, чем подвижность ионов. В диоксиде титана, например, подвижность электронов составляет примерно 10-4 м2/(с*В), тогда как подвижность ионов в алюмосиликатной керамике всего лишь 10“13—10"1в мг/(с-В). В связи с указанным в диэлектрике g электронной электропроводностью концентрации электронов в Ю9—101? раз меньше, чем концентрация носителей в диэлектрике G ионной электропроводностью, при одинаковом заряде носителей и одинаковом значении удельной проводимости.
Полагая, что при ионной электропроводности число диссоциированных ионов и их подвижность находятся в экспоненциальной зависимости от температуры, имеем
По — «о макс EXp ^ -gjr-^ , U — UMaHC ехр ^ -ЩГ ^ > (2-11)
где п0макс и и„ако соответствуют значения Т — оо, W0 — энергия освобождения ионов; №п — энергия перемещения иона, определяющая переход его из одного неравновесного положения в другое.
Используя формулы (2-8), (2-11) И объединяя постоянные «0Мвкс. <?> “макс в °ДИН коэффициент А, получаем
у = А ехр (—ЫТ), (2-12)
где Ъ = (W0 -f Wn)lk.
Формула (2-12) показывает, что чем больше значения энергии диссоциации и перемещения, тем сильнее изменяется удельная проводимость с температурой. Численное значение коэффициента b находится из экспериментально полученной зависимости удельной проводимости от величины, обратной температуре.
Ввиду того что обычно W0 > U?n, удельная проводимость при изменении температуры определяется главным образом изменением концентрации носителей.
Формула (2-12) аналогична формуле (2-4), характеризующей удельную проводимость жидкостей, однако коэффициент а в формуле (2-4) отражает подвижность ионов, зависящую от вязкости, в то время как коэффициент b в формуле (2-12), в первую очередь,
учитывает увеличение числа свободных ионов в твердом теле при возрастании температуры. Величина b для твердых веществ изменяется в пределах 10 ООО—22 ООО К.
Если в диэлектрике ток обусловлен передвижением разнородных ионов, то выражение (2-12) имеет вид!
у = 2Л'ехр (— ж)' (2'13)
I
В связи с этим логарифмическая зависимость удельной проводимости от величины, обратной температуре, имеет изломы, что видна из рис. 2-5.
Для приближенных расчетов удельной проводимости твердых диэлектриков можно пользоваться выражением (2-5).
Заменяя в формуле (2-13) у на 1/р, после преобразований получаем выражение зависимости удельного объемного сопротивления от температуры
р = 5 ехр (Ь/Т) (2-14)
или
р = Ро exp (—at). (2-15)
При использовании выражения (2-14) температурный коэффициент удельного сопротивления
ТКр = ctp = — ЫТ\ (2-16)
т. е. является величиной, зависящей от температуры, а при использовании выражения (2-15)
ТКр = сср =—а. (2-17)
В телах кристаллического строения с ионной решеткой электропроводность связана с валентностью ионов. Кристаллы с одновалентными ионами обладают большей проводимостью, чем кристаллы с многовалентными ионами. Так, для кристалла NaCl проводимость значительно выше, чем для кристаллов MgO или А1203.
В кристаллах проводимость неодинакова по разным осям кристалла. Так, проводимость кварца в направлении, параллельном главной оси примерно в 1000 раз больше, чем в направлении, перпендикулярном этой оси, что видно из рис. 2-6.
Для большинства ионных кристаллов коэффициент b в формулах (2-12) и (2-14) близок к 10 000 К.
Удельная проводимость аморфных тел одинакова во всех направлениях и обусловливается составом материалов и наличием примесей. У высокомолекулярных органических и элементоорганических полимеров она зависит также от степени полимеризации (например, для фенолформальдегидной смолы) и от степени вулканизации (для эбонита). Органические неполярные аморфные диэлектрики, например полистирол, отличаются очень малой удельной проводимостью.
Большую группу квазиаморфных тел составляют неорганические стекла. Электропроводность стекол самым тесным образом связана
Рис. 2-6. Зависимость удельного объемного сопротивления кварца от величины, обратной абсолютной температуре / — плавленый кварц (аморфное состояние); 2 — кристаллический кварц (перпендикулярно главной оси); 3 — кристаллический кварц (параллельно главной оси)
Рис. 2-7. Зависимости удельного объемного сопротивления радиофарфора (кривая 1) и фарфора (кривая 2) от температуры
с химическим составом, что дает возможность в некоторых случаях получать заранее заданное значение удельной проводимости.
Кварцевое стекло — плавленый кварц — и плавленый борный ангидрид обладают весьма малой удельной проводимостью. Температурная зависимость удельной проводимости этих стекол значительна: коэффициент Ь «=! 18 ООО К, что указывает на большую энергию освобождения ионов.
Введение в состав стекла оксидов металлов разных групп таблицы Менделеева по-разному отражается на электропроводности. Введение в состав стекла оксидов щелочных металлов первой группы сильно увеличивает удельную проводимость, это увеличение зависит от радиуса иона. Ион натрия, имеющий меньший радиус, чем ион калия, увеличивает удельную проводимость в большей мере, чем последний.
Коэффициент Ь стекла со щелочными ионами близок к 10 ООО К.
Введение в состав стекла тяжелых оксидов (например, оксидов бария или свинца) не только нейтрализует вредное влияние щелочных оксидов, но и приводит к значительному понижению удельной проводимости стекол.
Удельное объемное сопротивление р некоторых типичных стекол при 200 °С:
р, Ом-м