4.2 Описание лабораторной установки

Лабораторная установка включает:

- транзистор типа п-р-п КТ808ГМ;

- набор резисторов;

- источники регулируемого напряжения;

- вольтметры и миллиамперметры.

4.3 Порядок выполнения работы

4.3.1 Ознакомиться с оборудованием и приборами.

4.3.2 Собрать электрическую схему (рис. 4.5) для снятия статических вольт-амперных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

4.3.3 Устанавливая указанные в табл. 4.1 значения U_КЭ и изменяя U_БЭ таким образом, чтобы получить заданные значения I_Б, зафиксировать полученные U_БЭ и занести их в табл 4.1.

4.3.4 Устанавливая указанные в табл. 2 значения I_Б и изменяя указанным образом U_КЭ, зафиксировать полученные значения I_К и занести в табл. 4.2.

4.3.5 По результатам, полученным в табл. 4.1 и табл. 4.2, построить статические входные и выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

4.3.6 Используя формулы (4.3), (4.4), (4.5). (4.6) и графические построения, показанные на рис. 4.3, определить h-параметры транзистора.

4.3.7 Собрать электрическую схему (рис. 4.6) для снятия динамических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

4.3.8 Установить Е_К = 20 и задавая указанные в табл. 4.3 значения I_Б, зафиксировать значения U_КЭ, U_БЭ , U_RК , I_К и занести их в табл. 4.3.

4.3.9 Построить графики зависимостей I_К =(I_Б), I_Б = ( U_БЭ), U_КЭ=( U_БЭ), U_КЭ = ( I_К).

Таблица 4.1

IБ,	UБЭ, В
мА	При UКЭ = 10 В	при UКЭ = 15 В
0
0,5
1
2
4
6
8
10

Рисунок 4.5 - Схема для снятия статических вольт-амперных

характеристик транзистора

Рисунок 4.6 - Схема снятия динамических характеристик усилительного каскада с общим эмиттером

Рисунок 4.7 - Схема снятия характеристик усилительного каскада

с общим коллектором

Таблица 4.2

UКЭ,	IК, мА, при IБ, равном
В	0 мА	1 мА	2 мА	4 мА	6 мА	8 мА	10 мА
0
2
5
10
20
30

4.3.10 Используя графики, построенные согласно пункту 4.3.9, определить коэффициенты усиления по току и напряжению:

К_I =  _К / _Б; К_U = U_КЭ /U_Б, (4.8)

а также входные и выходные сопротивления транзистора:

R_ВХ = U_БЭ / I_Б ; R_ВЫХ = U_КЭ/ I_К (4.9)

Приращения токов и напряжений выбирать на линейных участках характеристик

4.3.11 Определить значения параметров усилительного каскада, используя h-параметры транзистора:

К₁ = h₂₁, К_U = h₂₁ R_к / h₁₁(1 + h₂₂R_н); (4.10)

R_вх = Rб h₁₁/ Rб + h₁₁  h₁₁, R_вых = R_к (4.11)

Сравнить значения параметров, полученные согласно пунктам 4.3.10 и 4.3.11.

4.3.12 Собрать электрическую схему (рис. 4.7) для снятия динамических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим коллектором.

4.3.13 Установить Е_К = 20 В и задавая указанные в табл. 4 значения U_КЭ, зафиксировать значения U_КЭ, U_ВЫХ,I_Б,I_Э и занести их в табл. 4.4.

4.3.14 Построить графики зависимостей I_Э=(I_Б); U_ВЫХ=(U_ВХ);

I_Б = (U_ВХ) и U_ВЫХ = (I_Э).

4.3.15 Используя графики, построенные согласно пункту 4.3.14, определить коэффициенты усиления по току и напряжению

К₁ =I_э/I_Б, К_U = U_вых/U_вх, (4.12)

а также входное и выходное сопротивления усилительного каскада

R_вх = U_вх/ I_Б, R_вых = U _вых/ I_э (4.13)

Таблица 4.3

Rк, Ом	IБ, мА	UБЭ, В	UКЭ, В	URK , В	IК, мА	РКЭ, Вт	РRK, Вт
150	0 1 2 4 6 8 10
1000	0 0,5 1 2 4 6 8

Таблица 4.4

RЭ, Ом	UВХ, В	UВЫХ,В	UКЭ, В	IБ, мА	IЭ, МА
150	0 2 4 6 10 15
1000	0 2 4 6 10 15