Тема 1. Интегральные микросхемы (имс). Общие сведения.

Лекция 2. Интегральная микросхема (2 часа).

План:

1. Принцип интеграции. Понятия: интегральная микросхема (ИМС), элемент и компонент ИМС.

2. Классификация ИМС.

3. Полупроводниковые и гибридные, цифровые и аналоговые ИМС.

Литература:

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов.- 2-е изд.,перераб. и доп.- М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001. -488 с

2. Алексеенко А.Г. Основы микросхемотехники. Элементы морфологии микроэлектронной аппаратуры. Изд. 2-е перераб. и доп.- М.: Сов. радио, 1977.- 405 с.

3. Ефимов И.Е. и др. Микроэлектроника: Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника: Учеб. пособие для вузов.- 2-е изд. ,перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1987. – 416с.

Тема 2. Элементы полупроводниковых имс.

Лекция 3. Элементы биполярных ИМС (2 часа).

План:

1. Основы планарной технологии. Сущность группового метода.

2. Методы изоляции элементов, способы их коммутации.

3. Элементы биполярных ИМС. Многоэмиттерный и многоколлекторный транзисторы.

Литература:

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов.- 2-е изд.,перераб. и доп.- М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001. -488 с

2. Алексеенко А.Г. Основы микросхемотехники. Элементы морфологии микроэлектронной аппаратуры. Изд. 2-е перераб. и доп.- М.: Сов. радио, 1977.- 405 с.

3. Ефимов И.Е. и др. Микроэлектроника: Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника: Учеб. пособие для вузов.- 2-е изд. ,перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1987. – 416с.

Тема 2. Элементы полупроводниковых имс.

Лекция 4. Элементы МДП ИМС и МДП СБИС (2 часа).

План:

1. Элементы МДП ИМС. МДП конденсаторы и резистивные элементы.

2. Особенности интегральных МДП транзисторов.

3. Элементы МДП СБИС: принцип масштабирования, комплементарные структуры, вертикальные МДП транзисторы, структуры "кремний на диэлектрике".

Литература:

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов.- 2-е изд.,перераб. и доп.- М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001. -488 с

2. Алексеенко А.Г. Основы микросхемотехники. Элементы морфологии микроэлектронной аппаратуры. Изд. 2-е перераб. и доп.- М.: Сов. радио, 1977.- 405 с.

3. Ефимов И.Е. и др. Микроэлектроника: Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника: Учеб. пособие для вузов.- 2-е изд. ,перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1987. – 416с.

Тема 2. Элементы полупроводниковых имс.

Лекция 5. ИМС на основе арсенида галлия (2 часа).

План:

1. Элементы ИМС на основе арсенида галлия.

2. Сравнительная характеристика кремния и арсенида галлия как материалов микроэлектроники

3. Разновидности интегральных транзисторов на арсениде галлия.

Литература:

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов.- 2-е изд.,перераб. и доп.- М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001. -488 с

2. Алексеенко А.Г. Основы микросхемотехники. Элементы морфологии микроэлектронной аппаратуры. Изд. 2-е перераб. и доп.- М.: Сов. радио, 1977.- 405 с.

3. Ефимов И.Е. и др. Микроэлектроника: Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника: Учеб. пособие для вузов.- 2-е изд. ,перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1987. – 416с.