- •3 Лекция 9
- •9. Физико-химические основы эпитаксиальных процессов
- •9.1. Классификация эпитаксиальных процессов
- •9.2. Феноменологические теории эпитаксии
- •9.3. Методы проведения эпитаксии Конденсация из паровой фазы в вакууме
- •Кристаллизация из газовой фазы
- •Жидкофазная эпитаксия
- •Твердофазная эпитаксия (тфэ)
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия (млэ)
3 Лекция 9
9. Физико-химические основы эпитаксиальных процессов
Термин «эпитаксия» был введен в техническую литературу для обозначения процесса ориентированного наращивания монокристаллического материала на монокристалл-подложку, в результате которого образующаяся новая фаза закономерно продолжает кристаллическую решетку подложки с образованием переходного слоя, способствующего когерентному срастанию двух решеток по плоскостям и направлениям со сходной плотностью атомной упаковки.
Переходный слой представляет собой промежуточную область между двумя срастающимися фазами, свойства которой определяются характером физико-химических взаимодействий в той системе реагентов (включая подложку), в которой протекает данный эпитаксиальный процесс.
Этот слой является переносчиком информации о структуре подложки в растущую кристаллическую фазу.
9.1. Классификация эпитаксиальных процессов
По природе взаимодействийподложка - растущая кристаллическаяфазаэпитаксиальные процессы можно подразделить на несколько типов.
Автоэпитаксия (гомоэпитаксия)- процесс ориентированного наращивания кристаллического вещества, одинакового по структуре и не отличающегося (или отличающегося незначительно) химически от вещества подложки. Отличие может заключаться в различном уровне легирования и типе примесей, что обусловливает возможность формирования гомогенных электронно-дырочных структур.
Гетероэпитаксия -процесс ориентированного наращивания вещества, отличающегося по химическому составу от вещества подложки, но подобного ему по структуре. Этот процесс происходит с образованием переходного слоя, протяженность которого может быть значительной. Гетероэпитаксия осуществима в системах элементов или соединений, не склонных к химическому взаимодействию друг с другом (образованию промежуточных фаз).
Хемоэпитаксия -процесс ориентированного нарастания, в результате которого образование новой кристаллической фазы - хемоэпитаксиального слоя - происходит за счет химического взаимодействия (например, реактивной диффузии) вещества подложки с веществом, поступающим из исходной фазы. Полученный слой по химическому составу отличается как от подложки, так и от исходной фазы, но закономерно продолжает кристаллическую структуру подложки. Как правило, толщина хемоэпитаксиального слоя невелика.
Реотаксия -ориентированное наращивание кристаллического слоя в условиях, близких к равновесным, на подложке как механическом носителе. Подложка может быть стеклообразной, аморфной или иметь структуру, отличную от структуры формирующейся кристаллической фазы. Упорядочение формирующегося слоя происходит за счет высокой подвижности исходных структурных кластеров, попадающих на подложку из внешней среды.
По химическому состоянию веществав период переноса от внешнего источника к подложке (фактически по химическому составу исходной фазы) эпитаксиальные процессы бывают следующими.
Прямые процессы,когда вещество переносится к подложке без промежуточных реакций. Химический состав вещества источника, его состав в процессе переноса и состав эпитаксиального слоя одинаковы. Примерами таких процессов могут быть вакуумное испарение, сублимация, молекулярная эпитаксия.
Непрямые процессы, когда при переносе вещества от источника к подложке происходят химические превращения: пиролиз, восстановление, окисление, диспропорционирование, различные стадии химического синтеза и др. Состав промежуточной фазы отличается и от состава источника, и от состава растущего эпитаксиального слоя. Такие процессы наиболее распространены.