37. Эквивалентные схемы биполярных транзисторов для переменного тока.

38. Зависимость основных параметров биполярного транзистора от температуры.

Влияние температуры на работу биполярного транзистора обусловлено тремя физическими факторами: уменьшением потенциальных барьеров в переходах, увеличением тепловых токов переходов и увеличением коэффициентов передачи токов с ростом температуры. Уменьшение потенциального барьера  _К с ростом температуры также, как и в изолированном переходе, приводит к усилению инжекции, в результате чего увеличивается входной ток транзистора. На рис. 3.24 приведены входные характеристики транзистора в схеме с общей базой, полученные при различных температурах (заметим, что входные характеристики в схеме ОЭ при различных температурах выглядят аналогично и отличаются лишь масштабом по оси токов так как i_К >>i_Б. Как видно из рисунка 3.24, увеличение входного тока с ростом температуры эквивалентно смещению характеристики в сторону меньших входных напряжений. Это смещение описывается температурным коэффициентом напряжения , который составляет для кремниевых транзисторов  = - 3 мВ/град.

Увеличение температуры приводит к смещению (дрейфу) характеристик в сторону более высоких токов коллектора. При этом в схеме ОБ при фиксированном токе эмиттера i_К=  i_Э температурный дрейф характеристик выражен довольно слабо, что объясняется слабой температурной зависимостью коэффициента передачи тока эмиттера . У характеристик для схемы ОЭ, снимаемых при i_Б =const, в связи с сильной температурной зависимостью коэффициента передачи тока базы  температурный дрейф очень велик - изменение тока коллектора  i_К=   i_Б может достигать несколько десятков и даже сотен процентов. Температурная нестабильность характеристик транзистора в схеме ОЭ требует специальных мер по стабилизации рабочей точки.

39. Классификация и система обозначения биполярных транзисторов.

Структура активной области может быть как "pnp", так и "npn".

Возможные применения: это универсальные усилительные приборы, предназначенные для применения в схемах усиления, генерации и преобразования сигналов.

В обозначении марки транзистора третий элемент (цифра) характеризует подклассы приборов по значениям рассеиваемой ими мощности и предельной частоты.

Основные разновидности биполярных транзисторов:

Маломощные (P макс < 0,3Вт) ( ГТ122, КТ127)

Маломощные, средней частоты (f < 300 МГц) (КТ215)

Маломощные, высокой частоты и СВЧ (f < 300 МГц) (КТ315, 1Т308)

Cредней мощности (0,3Вт < P макс < 1,5Вт) (ГТ405)

Средней мощности, средней частоты (0,3Вт < P макс < 1,5Вт)  

Cредней мощности, высокой частоты (0,3Вт < P макс < 1,5Вт) (ГТ712)

Большой мощности, низкой частоты (P макс > 1,5Вт) (КТ702)

Большой мощности, средней частоты (КТ809)

Большой мощности, высокой частоты и СВЧ (2Т960)

(Обозначения биполярных транзисторов : 1 - pnp типа, 2 - npn типа)

40. Структура и принцип работы полевого транзистора с управляемым p-n переходом

Это ПП прибор, работа которого обусловлена током основных носителей заряда протекающим через проводящий канал, сопротивление которого модулируется (управляется) электрическим полем.

Преимущество: высокое входное сопротивление, малая мощность управления, высоко частотность, работа при низких температурах, высокая технологичность изготовления.

Полевые транзисторы делятся на транзисторы с затвором на p-n переходе, с изолированным затвором и со структурой МДП (Металл Окисел Полупроводник).

Принцип действия состоит в том, что при подачи обратного напряжения затвора и стока изменяется область перехода.