
- •Основные сведения из истории развития электроники.
- •Электропроводность полупроводников.
- •Удельная проводимость пп
- •Примесная проводимость
- •Зонная диаграмма пп с донорной примесью
- •Зонная диаграмма пп с акцепторной примесью
- •Понятие о потенциале и уровне Ферми для пп материалов.
- •Электрические переходы между двумя различными материалами
- •Электрические переходы между металлом и пп.
- •Процессы в p-n-переходе.
- •Прямое смещение pn перехода.
- •Обратное смещение pn перехода.
- •Вах pn-перехода
- •Емкость pn- перхода
- •Пробой pn перхода.
- •Устройство: принцип действия и вах полупроводникового диода.
- •Классификация и система обозначения Диодов
- •Устройство, принцип действия и вах стабилитрона.
- •Классификация и система обозначения стабилитронов.
- •Биполярный транзистор: устройство, принцип действия.
- •Типы транзисторов: устройство, принцип действия.
- •Схемы включения транзисторов.
- •Основные соотношения для токов в структуре
- •Математическая модель транзистора.
- •Уравнения Эберса-Молла
- •Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока об: основные соотношения и характеристики
- •Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока оэ: основные соотношения и характеристики
- •Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •Основные режимы работы биполярного транзистора
- •Биполярный транзистор как активный 4-х полюсник
- •H-параметры для биполярного транзистора, характеристики, и способ определения.
- •Основные параметры биполярного транзистора.
- •Эквивалентные схемы биполярных транзисторов для переменного тока.
- •Зависимость основных параметров биполярного транзистора от температуры.
- •Классификация и система обозначения биполярных транзисторов.
- •Структура и принцип работы полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •Основные характеристики полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •Основные параметры полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •Соотношения между параметрами полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •Эквивалентные схемы полевого транзистора для переменного тока.
- •Основные схемы включения полевого транзистора
- •Зависимость параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом от температуры
- •Моп-транзисторы: структура и принцип действия
- •Моп-транзистор с индуцированным каналом
- •Моп-транзистор со встроенным каналом
- •Стоко-затворные характеристики моп транзисторов с индуцированным каналом
- •Статические стоковые характеристики моп-транзисторов с индуцированным каналом
- •Влияние потенциала подложки на характеристики управления моп-транзистора
- •Структура мноп: принцип действия и область использования.
- •Моп-транзистор с плавающим затвором: принцип действия и область применения.
- •Классификация, система обозначения и характеристики полевого транзистора
- •Структура, принцип действия и вах туннельного диода
- •Структура, принцип действия и вах двухбазового диода
- •Основные соотношения для токов и напряжений однопереходного транзистора
- •Транзисторный аналог двухбазового диода.
- •Лавинный транзистор: схема включения и основные параметры
- •Вах лавинного транзистора, область использования
- •Динистор: структура и принцип действия
- •Динистор: вах , основные соотношения для токов
- •Тиристор: структура, принцип действия
- •Тиристор: вах при управлении по катоду, и основные соотношения для токов
- •Классификация и система обозначений тиристоров.
- •Основные достоинства оптоэлектронных приборов
- •Светодиоды: принцип действия, основные характеристики, эквивалентные схемы
- •Основные параметры светодиодов
- •Основные параметры и характеристика фоторезисторов
- •Фотодиоды: структура, принцип действия, основные режимы работы
- •Основные параметры и характеристики фотодиодов
- •Фототранзисторы: принцип действия, основные режимы
- •Основные характеристики и параметры фототранзисторов.
- •Фоторезисторы: структура, классификация, основные параметры
- •Устройства отображения информации: назначение, классификация.
- •Принцип действия и способы управления вакуумными люминесцентными индикаторами.
- •Устройство, принцип действия и область использования жидко-кристаллических индикаторов (жки)
- •Разновидности и способы управления ими
- •Пп знакосинтезирующие индикаторы: устройство, принцип действия
- •Многоэлементные пп зси устройство, область использования.
- •Принцип работы лазера, свойства лазерного излучения
- •Основные типы лазеров, основные области использования лазерного излучения
- •Пп приборы с зарядовой связью: устройство, принцип действия, режимы работы, область применения
- •Усилители электрических сигналов: основные параметры и характеристики
- •Принцип действия усилительного каскада на транзисторе
- •Усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме оэ
- •Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме каскада оэ
- •Температурная компенсация каскада оэ
- •Эмиттерный повторитель: схемы и основные соотношения.
- •Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме ок
- •Усилительный каскад с общей базой (об схема и основные соотношения)
- •Усилительные каскады на полевых транзисторах: схемы и основные соотношения
- •Истоковый повторитель: схема и основные соотношения
- •Режимы усилительных каскадов
- •Графо-аналитический анализ работы усилительного каскада
Усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме оэ
Каскад с ОЭ усиливает и ток и напряжение
Резисторы R1 и R2 обеспечивают такое смещение на базе, что транзистор VT1 находится в проводящем состоянии. При подаче входного сигнала транзистор на участке КБ изменяет проводимость, в следствии, в коллекторной цепи изменяется значение протекающего тока, это приводит к изменению падения напряжения на Rк в следствии чего в точке выхода сигнала меняется значение потенциала и на нагрузку поступает усиленные сигнал.
Rэ обеспечивает температурную компенсацию, а Cэ – обратную связь
Ku=Rк h21/h11
Rin=1/h11
Rout~Rк
Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме каскада оэ
Каскад с ОЭ усиливает и ток и напряжение
Резисторы R1 и R2 обеспечивают такое смещение на базе, что транзистор VT1 находится в проводящем состоянии. При подаче входного сигнала транзистор на участке КБ изменяет проводимость, в следствии, в коллекторной цепи изменяется значение протекающего тока, это приводит к изменению падения напряжения на Rк в следствии чего в точке выхода сигнала меняется значение потенциала и на нагрузку поступает усиленные сигнал.
Rэ обеспечивает температурную компенсацию, а Cэ – обратную связь
Ku=Rк h21/h11
Rin=1/h11
Rout~Rк
а) Коэффициент усиления по напряжению
б) Коэффициент усиления по току
Температурная компенсация каскада оэ
Резисторы R1 и R2 обеспечивают такое смещение на базе, что транзистор VT1 находится в проводящем состоянии. При подаче входного сигнала транзистор на участке КБ изменяет проводимость, в следствии, в коллекторной цепи изменяется значение протекающего тока, это приводит к изменению падения напряжения на Rк в следствии чего в точке выхода сигнала меняется значение потенциала и на нагрузку поступает усиленные сигнал.
Rэ обеспечивает температурную компенсацию, а Cэ – обратную связь
При повышении температуры транзистора все выходные характеристики смещаются в верх, и получается рабочее положение выходит из рабочей точки, для того чтобы контролировать рабочее положение применяется температурная компенсация. В данной схеме это установлен дополнительно резистор Rэ. Принцип действия заключается в том, что при повышении температуры транзистора ток КЭ увеличивается по отношению к нормально температуре, увеличивается падение напряжения на Rэ, так как Uэб величина постоянная, то увеличение потенциала на Rэ воздействовать на смещение базы и ток КЭ уменьшаться, т.е мы будем возвращаться в рассчитанную рабочую точку.
Эмиттерный повторитель: схемы и основные соотношения.
Он усиливает только ток. Часто используется как входной каскад ИУ.
При этом входное сопротивление относительно велико, а выходное — мало
Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме ок
Он усиливает только ток. Часто используется как входной каскад ИУ.
При этом входное сопротивление относительно велико, а выходное — мало
Усилительный каскад с общей базой (об схема и основные соотношения)
Схема каскада с общей базой (ОБ) приведена на рис. 1.24а. Еэ и Rэ предназначены для задания эмиттерного тока в режиме покоя, а остальные элементы каскада выполняют те же функции, что и в схеме ОЭ.
Из схемы замещения рис. 1.24б:
т.е. входное сопротивление определяется сопротивлением смещенного в прямом направлении эмиттерного перехода и не превышает величины 10 - 50 Ом.
Коэффициент усиления по переменному току можно найти, исходя из того, что Iвх IЭ (т.к. Rвх rэ) и Iк = Iэ. Так как коллекторный ток делится между Rк и Rн, соотношение для КI имеет вид:
Рисунок 1.24 - Схема усилительного каскада с общей базой(а) и его схема замещения (б)
Нетрудно увидеть, что коэффициент усиления по току в схеме ОБ существенно( в 10 - 50 раз) меньше, чем в схемах ОЭ и ОК.
Расчет коэффициента усиления по напряжению по аналогии со схемами ОЭ и ОК дает:
и он возрастает с уменьшением внутреннего сопротивления источника сигнала.
Выходное сопротивление каскада ОБ:
Следует отметить, что ввиду наличия емкости коллекторного перехода на повышенных частотах коэффициент передачи тока транзистора становится комплексной величиной, модуль и аргумент которой зависят от частоты усиливаемого сигнала. О частотных свойствах транзистора судят по граничной частоте , при которой коэффициент передачи уменьшается в раз. Частота входит в число основных параметров транзистора и определяет его частотные свойства. При этом схема включения транзистора с общей базой имеет максимальную граничную частоту. Что касается схемы с общим эмиттером, то граничная частота:
т.е. частотные свойства схемы с общим эмиттером значительно хуже.