
- •Основные сведения из истории развития электроники.
- •Электропроводность полупроводников.
- •Удельная проводимость пп
- •Примесная проводимость
- •Зонная диаграмма пп с донорной примесью
- •Зонная диаграмма пп с акцепторной примесью
- •Понятие о потенциале и уровне Ферми для пп материалов.
- •Электрические переходы между двумя различными материалами
- •Электрические переходы между металлом и пп.
- •Процессы в p-n-переходе.
- •Прямое смещение pn перехода.
- •Обратное смещение pn перехода.
- •Вах pn-перехода
- •Емкость pn- перхода
- •Пробой pn перхода.
- •Устройство: принцип действия и вах полупроводникового диода.
- •Классификация и система обозначения Диодов
- •Устройство, принцип действия и вах стабилитрона.
- •Классификация и система обозначения стабилитронов.
- •Биполярный транзистор: устройство, принцип действия.
- •Типы транзисторов: устройство, принцип действия.
- •Схемы включения транзисторов.
- •Основные соотношения для токов в структуре
- •Математическая модель транзистора.
- •Уравнения Эберса-Молла
- •Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока об: основные соотношения и характеристики
- •Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока оэ: основные соотношения и характеристики
- •Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •Основные режимы работы биполярного транзистора
- •Биполярный транзистор как активный 4-х полюсник
- •H-параметры для биполярного транзистора, характеристики, и способ определения.
- •Основные параметры биполярного транзистора.
- •Эквивалентные схемы биполярных транзисторов для переменного тока.
- •Зависимость основных параметров биполярного транзистора от температуры.
- •Классификация и система обозначения биполярных транзисторов.
- •Структура и принцип работы полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •Основные характеристики полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •Основные параметры полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •Соотношения между параметрами полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •Эквивалентные схемы полевого транзистора для переменного тока.
- •Основные схемы включения полевого транзистора
- •Зависимость параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом от температуры
- •Моп-транзисторы: структура и принцип действия
- •Моп-транзистор с индуцированным каналом
- •Моп-транзистор со встроенным каналом
- •Стоко-затворные характеристики моп транзисторов с индуцированным каналом
- •Статические стоковые характеристики моп-транзисторов с индуцированным каналом
- •Влияние потенциала подложки на характеристики управления моп-транзистора
- •Структура мноп: принцип действия и область использования.
- •Моп-транзистор с плавающим затвором: принцип действия и область применения.
- •Классификация, система обозначения и характеристики полевого транзистора
- •Структура, принцип действия и вах туннельного диода
- •Структура, принцип действия и вах двухбазового диода
- •Основные соотношения для токов и напряжений однопереходного транзистора
- •Транзисторный аналог двухбазового диода.
- •Лавинный транзистор: схема включения и основные параметры
- •Вах лавинного транзистора, область использования
- •Динистор: структура и принцип действия
- •Динистор: вах , основные соотношения для токов
- •Тиристор: структура, принцип действия
- •Тиристор: вах при управлении по катоду, и основные соотношения для токов
- •Классификация и система обозначений тиристоров.
- •Основные достоинства оптоэлектронных приборов
- •Светодиоды: принцип действия, основные характеристики, эквивалентные схемы
- •Основные параметры светодиодов
- •Основные параметры и характеристика фоторезисторов
- •Фотодиоды: структура, принцип действия, основные режимы работы
- •Основные параметры и характеристики фотодиодов
- •Фототранзисторы: принцип действия, основные режимы
- •Основные характеристики и параметры фототранзисторов.
- •Фоторезисторы: структура, классификация, основные параметры
- •Устройства отображения информации: назначение, классификация.
- •Принцип действия и способы управления вакуумными люминесцентными индикаторами.
- •Устройство, принцип действия и область использования жидко-кристаллических индикаторов (жки)
- •Разновидности и способы управления ими
- •Пп знакосинтезирующие индикаторы: устройство, принцип действия
- •Многоэлементные пп зси устройство, область использования.
- •Принцип работы лазера, свойства лазерного излучения
- •Основные типы лазеров, основные области использования лазерного излучения
- •Пп приборы с зарядовой связью: устройство, принцип действия, режимы работы, область применения
- •Усилители электрических сигналов: основные параметры и характеристики
- •Принцип действия усилительного каскада на транзисторе
- •Усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме оэ
- •Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме каскада оэ
- •Температурная компенсация каскада оэ
- •Эмиттерный повторитель: схемы и основные соотношения.
- •Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме ок
- •Усилительный каскад с общей базой (об схема и основные соотношения)
- •Усилительные каскады на полевых транзисторах: схемы и основные соотношения
- •Истоковый повторитель: схема и основные соотношения
- •Режимы усилительных каскадов
- •Графо-аналитический анализ работы усилительного каскада
Биполярный транзистор как активный 4-х полюсник
Нарисовать четырехполюсник.
h11=u1/i1- входное сопротивление транзистора, измеренное в режиме u2 = 0 - короткого замыкания по переменному току в выходной цепи,
h22=i2/u2- выходная проводимость транзистора, измеренная в режиме i1 = 0 - холостой ход по переменному сигналу во входной цепи,
h21=i2/i1- коэффициент передачи тока, измеренный в режиме u2 = 0 - короткого замыкания по переменному току в выходной цепи (для ОБ h21=α, для ОЭ h21=β),
h12=u1/u2- коэффициент обратной связи по напряжению, измеренный в режиме i1 = 0 - холостого хода по переменному току во входной цепи.
H-параметры для биполярного транзистора, характеристики, и способ определения.
Транзистор можно представить как четырехполюсник.
(нарисовать 4-хполюсник)
Физический смысл выясняется в режим ХХ и КЗ.
ХХ характеризуется отсутствие тока при наличии напряжения. КЗ – отсутствие напряжения при наличии тока.
h11=u1/i1- входное сопротивление транзистора, измеренное в режиме u2 = 0 - короткого замыкания по переменному току в выходной цепи,
h22=i2/u2- выходная проводимость транзистора, измеренная в режиме i1 = 0 - холостой ход по переменному сигналу во входной цепи,
h21=i2/i1- коэффициент передачи тока, измеренный в режиме u2 = 0 - короткого замыкания по переменному току в выходной цепи (для ОБ h21=α, для ОЭ h21=β),
h12=u1/u2- коэффициент обратной связи по напряжению, измеренный в режиме i1 = 0 - холостого хода по переменному току во входной цепи.
Обычно h-параметры определяются приращением тока на напряжение
h-параметры позволяют обобщенную схему замещения транзистора.
Схема замещения транзистора для h-параметров.
Нарисовать четырехполюсник.
h11=u1/i1- входное сопротивление транзистора, измеренное в режиме u2 = 0 - короткого замыкания по переменному току в выходной цепи,
h22=i2/u2- выходная проводимость транзистора, измеренная в режиме i1 = 0 - холостой ход по переменному сигналу во входной цепи,
h21=i2/i1- коэффициент передачи тока, измеренный в режиме u2 = 0 - короткого замыкания по переменному току в выходной цепи (для ОБ h21=α, для ОЭ h21=β),
h12=u1/u2- коэффициент обратной связи по напряжению, измеренный в режиме i1 = 0 - холостого хода по переменному току во входной цепи.
Основные параметры биполярного транзистора.
коэф передачи тока:
ОЭ:
ОБ:
гармоническая частота коэффициента передачи тока – это та частота в которых коэф передачи ток равен 1.
частота усиления это на котором h21 уменьшается в корень из 2 раз.
максимальная частота генерации – наибольшей при которой транзистор может работать в схеме автогенератора.
дифференциальное сопротивление
h11=Rдиф
выходная проводимость – отражает дифференциальное сопротивление коллектора. (h22)
Объемное сопротивление базы rб=10…100 Ом
Емкость коллекторного перехода Cк = (5-50) пФ
Обратные ток коллекторного перехода при заданном напряжении Iкбо
Наибольшая мощность рассеивания
Максимальные ток коллектора
Тепловое сопротивление
delta
T
– перепад температур между кристаллом
и коллектором.