19. Классификация и система обозначения стабилитронов.

Стабилитрон (диод Зенера) — ПП диод, предназначенный для стабилизации напряжения в источниках питания.

Виды стабилитронов:

• прецизионные — обладают повышенной стабильностью напряжения стабилизации, для них вводятся дополнительные нормы на временную нестабильность напряжения и температурный коэффициент напряжения (например: 2С191, КС211, КС520);

• двусторонние — обеспечивают стабилизацию и ограничение двухполярных напряжений, для них дополнительно нормируется абсолютное значение несимметричности напряжения стабилизации (например: 2С170А, 2С182А);

• быстродействующие — имеют сниженное значение барьерной емкости (десятки пФ) и малую длительность переходных процессов (единицы нс), что позволяет стабилизировать и ограничивать кратковременные импульсы напряжения (например: 2С175Е, КС182Е, 2С211Е).

20. Биполярный транзистор: устройство, принцип действия.

Транзистор — прибор содержащий 2 и более перехода имеющий не менее 3 выводов и пригоден к усилению, генерации, и преобразованию электрических сигналов.

Среднюю область называют базой т.к в ней расположены все внедрения.

Принцип действия

В структуре кристалла при указанной полярности системы происходит инжекция дырок в области Б и встречное движение электронов в области Э.

дырки проникающие в базу диффузируют в эту область и достигают второго pn перехода который смещен обратно, при этом большинство дырок не успевает рекомбинировать и попадают в область К.

Электроны которые равны количеству дырок уходят создавая I''б (ток справа ветки цепи).

Относительное число не основных для базы носителей заряда достигших коллекторного перехода характеризует коэф переноса.

полученное выражение является основной физической характеристикой процессов в структуре транзистора.

21. Типы транзисторов: устройство, принцип действия.

Транзистор — прибор, содержащий 2 и более перехода имеющий не менее 3 выводов и пригоден к усилению, генерации, и преобразованию электрических сигналов.

Типы:

1. p-n-p структура

обозначение

1. n-p-n структура (нарисовать) обозначение.

22. Схемы включения транзисторов.

Один и тот же транзистор может обеспечивать в зависимости от способа включения описывает совершенно разные схемы.

Транзисторы p-n-p:

с общей базой

с общим эммитером

Эта схема еще называется эммитерным повторителем

с общим коллектором

Транзистор n-p-n: нарисовать схемы.

23. Основные соотношения для токов в структуре

В структуре кристалла при указанной полярности системы происходит инжекция дырок в области Б и встречное движение электронов в области Э.

дырки проникающие в базу диффузируют в эту область и достигают второго pn перехода который смещен обратно, при этом большинство дырок не успевает рекомбинировать и попадают в область К.

Электроны, которые равны количеству дырок, уходят, создавая I''б (ток справа ветки цепи).

Относительное число не основных для базы носителей заряда достигших коллекторного перехода характеризует коэф переноса.

alpha – коэффициент переноса

полученное выражение является основной физической характеристикой процессов в структуре транзистора.

24. Математическая модель транзистора.

Используются идеальные элементы

В схеме замещения alpha_i — коэф передачи тока при инверсном включении; alpha_N — нормальное включение.

Используя эквивалентную схему можем записать систему характеризующую эту схему

Токи через pn переход можно записать через так называемые токи насыщения

При этом оказывается, что токи насыщения можно выразить через обратные токи одного перехода.

Учитывая это условие можно получить систему выражений для тока эммитера, коллектора и базы. Эта система уравнений получила называние Эберса-Молла.