
- •Основные сведения из истории развития электроники.
- •Электропроводность полупроводников.
- •Удельная проводимость пп
- •Примесная проводимость
- •Зонная диаграмма пп с донорной примесью
- •Зонная диаграмма пп с акцепторной примесью
- •Понятие о потенциале и уровне Ферми для пп материалов.
- •Электрические переходы между двумя различными материалами
- •Электрические переходы между металлом и пп.
- •Процессы в p-n-переходе.
- •Прямое смещение pn перехода.
- •Обратное смещение pn перехода.
- •Вах pn-перехода
- •Емкость pn- перхода
- •Пробой pn перхода.
- •Устройство: принцип действия и вах полупроводникового диода.
- •Классификация и система обозначения Диодов
- •Устройство, принцип действия и вах стабилитрона.
- •Классификация и система обозначения стабилитронов.
- •Биполярный транзистор: устройство, принцип действия.
- •Типы транзисторов: устройство, принцип действия.
- •Схемы включения транзисторов.
- •Основные соотношения для токов в структуре
- •Математическая модель транзистора.
- •Уравнения Эберса-Молла
- •Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока об: основные соотношения и характеристики
- •Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока оэ: основные соотношения и характеристики
- •Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •Основные режимы работы биполярного транзистора
- •Биполярный транзистор как активный 4-х полюсник
- •H-параметры для биполярного транзистора, характеристики, и способ определения.
- •Основные параметры биполярного транзистора.
- •Эквивалентные схемы биполярных транзисторов для переменного тока.
- •Зависимость основных параметров биполярного транзистора от температуры.
- •Классификация и система обозначения биполярных транзисторов.
- •Структура и принцип работы полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •Основные характеристики полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •Основные параметры полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •Соотношения между параметрами полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •Эквивалентные схемы полевого транзистора для переменного тока.
- •Основные схемы включения полевого транзистора
- •Зависимость параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом от температуры
- •Моп-транзисторы: структура и принцип действия
- •Моп-транзистор с индуцированным каналом
- •Моп-транзистор со встроенным каналом
- •Стоко-затворные характеристики моп транзисторов с индуцированным каналом
- •Статические стоковые характеристики моп-транзисторов с индуцированным каналом
- •Влияние потенциала подложки на характеристики управления моп-транзистора
- •Структура мноп: принцип действия и область использования.
- •Моп-транзистор с плавающим затвором: принцип действия и область применения.
- •Классификация, система обозначения и характеристики полевого транзистора
- •Структура, принцип действия и вах туннельного диода
- •Структура, принцип действия и вах двухбазового диода
- •Основные соотношения для токов и напряжений однопереходного транзистора
- •Транзисторный аналог двухбазового диода.
- •Лавинный транзистор: схема включения и основные параметры
- •Вах лавинного транзистора, область использования
- •Динистор: структура и принцип действия
- •Динистор: вах , основные соотношения для токов
- •Тиристор: структура, принцип действия
- •Тиристор: вах при управлении по катоду, и основные соотношения для токов
- •Классификация и система обозначений тиристоров.
- •Основные достоинства оптоэлектронных приборов
- •Светодиоды: принцип действия, основные характеристики, эквивалентные схемы
- •Основные параметры светодиодов
- •Основные параметры и характеристика фоторезисторов
- •Фотодиоды: структура, принцип действия, основные режимы работы
- •Основные параметры и характеристики фотодиодов
- •Фототранзисторы: принцип действия, основные режимы
- •Основные характеристики и параметры фототранзисторов.
- •Фоторезисторы: структура, классификация, основные параметры
- •Устройства отображения информации: назначение, классификация.
- •Принцип действия и способы управления вакуумными люминесцентными индикаторами.
- •Устройство, принцип действия и область использования жидко-кристаллических индикаторов (жки)
- •Разновидности и способы управления ими
- •Пп знакосинтезирующие индикаторы: устройство, принцип действия
- •Многоэлементные пп зси устройство, область использования.
- •Принцип работы лазера, свойства лазерного излучения
- •Основные типы лазеров, основные области использования лазерного излучения
- •Пп приборы с зарядовой связью: устройство, принцип действия, режимы работы, область применения
- •Усилители электрических сигналов: основные параметры и характеристики
- •Принцип действия усилительного каскада на транзисторе
- •Усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме оэ
- •Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме каскада оэ
- •Температурная компенсация каскада оэ
- •Эмиттерный повторитель: схемы и основные соотношения.
- •Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме ок
- •Усилительный каскад с общей базой (об схема и основные соотношения)
- •Усилительные каскады на полевых транзисторах: схемы и основные соотношения
- •Истоковый повторитель: схема и основные соотношения
- •Режимы усилительных каскадов
- •Графо-аналитический анализ работы усилительного каскада
Устройство, принцип действия и область использования жидко-кристаллических индикаторов (жки)
ЖКИ – это прибор в основе которого положено св-ва в-в менять оптические показатели от электрического поля
Конструкция элементарной ячейки ЖК-индикатора проста и содержит две стеклянные пластины, имеющие на внутренней стороне прозрачное проводящее покрытие. Между пластинами залит ЖК. Толщина ЖК лежит в пределах от 6 до 25 мкм. Такая конструкция по сути представляет собой плоский конденсатор. При отсутствии напряжения на ячейке ЖК-вещество однородно и прозрачно. При приложении к ячейке порогового напряжения возникает волнистая доменная структура. При превышении порогового напряжения доменная структура превращается в ячеистую, затем в жидкости возникает вихревое движение. ЖК теряет оптическую однородность и расе ивает свет во всех направлениях. Этот эффект называют динамическим рассеиванием. В настоящее время распространены индикаторы на основе эффекта динамического рассеивания, а также индикаторы, использующие полевой твист-эффект (закручивание) и эффект типа «гость-хозяин».
В настоящее время наиболее распространены индикаторы, использующие полевой твист-эффект (от англ. twist - закручивание). Работа ячейки со скрещенными поляризатором П и анализатором А показана на рис. 5.3.
В отсутствие напряжения питания на ячейке молекулы ЖК закручены приблизительно на 90° благодаря ориентирующему действию подложек П и А.
Поляризатор - это оптический элемент, пропускающий свет, поляризованный в одном направлении, и гасящий свет, поляризованный в противоположном направлении, в зависимости от ориентации поляризатора. Если оси второго поляризатора, называемого анализатором, параллельны осям первого, то свет проходит через второй поляризатор; если же оси анализатора перпендикулярны, излучение гасится.
Рис. 5.3 - Работа ЖК-индикатора на твист-эффекте при напряжениях:
а - нулевом; б - превышающем пороговое
При работе индикатора на просвет изображение цифры более темное, чем фон. Если при этом мощность установленного источника света составляет 0,5 Вт, то яркость жидкокристаллического индикатора становится сравнимой с яркостью газоразрядного или светодиодного индикатора, используемого в условиях обычной освещенности.
Разновидности и способы управления ими
ЖКИ – это прибор в основе которого положено св-ва в-в менять оптические показатели от электрического поля
В настоящее время распространены индикаторы на основе эффекта динамического рассеивания, а также индикаторы, использующие полевой твист-эффект (закручивание) и эффект типа «гость-хозяин».
В настоящее время наиболее распространены индикаторы, использующие полевой твист-эффект (от англ. twist - закручивание). Работа ячейки со скрещенными поляризатором П и анализатором А показана на рис. 5.3.
В отсутствие напряжения питания на ячейке молекулы ЖК закручены приблизительно на 90° благодаря ориентирующему действию подложек П и А.
Поляризатор - это оптический элемент, пропускающий свет, поляризованный в одном направлении, и гасящий свет, поляризованный в противоположном направлении, в зависимости от ориентации поляризатора. Если оси второго поляризатора, называемого анализатором, параллельны осям первого, то свет проходит через второй поляризатор; если же оси анализатора перпендикулярны, излучение гасится.
Рис. 5.3 - Работа ЖК-индикатора на твист-эффекте при напряжениях:
а - нулевом; б - превышающем пороговое
При работе индикатора на просвет изображение цифры более темное, чем фон. Если при этом мощность установленного источника света составляет 0,5 Вт, то яркость жидкокристаллического индикатора становится сравнимой с яркостью газоразрядного или светодиодного индикатора, используемого в условиях обычной освещенности.