Домашнее задание

1. Изучить принцип действия и основные схемы включения биполярного транзистора, его основные статические характеристики и параметры, графическое определение малосигнальных параметров транзистора.

2. Начертить упрощенную схему стенда для исследования статических характеристик биполярного транзистора (рис.3.1).

Задание к лабораторной работе

1. Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.

1.1 Установите плату с исследуемыми транзисторами в разъемы на верхней поверхности измерительного стенда.

1.2 В правые гнезда стенда включите вольтметр, установленный в режим измерения постоянных напряжений на пределе 20 В. Включите вольтметр. Этим вольтметром будет измеряться коллекторное напряжение U_КЭ и коллекторный ток I_К.

0. В левые гнезда стенда включите вольтметр, установленный в режим измерения постоянных напряжений на пределе 2 В. Включите вольтметр. Этим вольтметром будет измеряться базовый ток транзистора I_Б.

1.4 Движки потенциометров R1 и R2 установите в крайнее левое положение, что соответствует отсутствию напряжения на транзисторе.

1.5 Включите измерительный стенд в сеть. При этом загорится светодиод.

2. Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.

2.1 Для снятия статических характеристик этого транзистора установите перемычку J1 в положение 2.

2.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «+».

2.3 Установите тумблер К2 в положение «U_R».

2.4 Потенциометром R2 установите требуемый базовый ток I_Б согласно табл. 3.2 (например, 50 мкА). Этот базовый ток в [мА] будет отображаться на вольтметре V2 и будет равняться напряжению в [В], поскольку сопротивление измерительного резистора базового тока равно 1 кОм.

2.5 Установите тумблер К1 в положение «U».

2.6 Потенциометром R1 установите требуемое коллекторное напряжение U_КЭ согласно табл. 3.1 (например, 0,5 В).

2.7 Установите тумблер К1 в положение «U_R». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует коллекторному току в [мА], протекающему через коллектор транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению коллекторного тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 1.1 (в данном примере на пересечении колонки 50 мкА и строки 0,5 В).

2.8 Повторите действия согласно п.2.4…2.7 для последующих значений коллекторного напряжения U_КЭ и базового тока I_Б согласно табл.3.1.

2.9 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях тока базы I_Б. Графически из этих характеристик найти выходную проводимость при I_Б =50 и 100 мкА.

2.10 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряжения U_КЭ равных 0,5 В, 2 В, 8 В. Графически из этих характеристик найти значение коэффициента передачи тока базы при U_КЭ=0,5 и 8 В.

Таблица 3.1 Статические характеристики кремниевого биполярного транзистора

п-р-п типа КТ315Е

Ток I_K = 10*U_R, мА

UКЭ, В	IБ = UR , мкА
	0	50	100	150	200
0	0	0	0	0	0
0,5	0
1	0
2	0
4	0
6	0
8	0
10	0

3. Сделать выводы по работе, в которых отразите полученные результаты.

При определении малосигнальных параметров транзисторов воспользуйтесь пояснениями к рис.3.6.

В табл.3.2 приведены основные параметры исследуемых биполярных транзисторов.

Таблица 3.2 Основные параметры исследуемых биполярных транзисторов

Транзистор	Тип	h21E	h22E, мСим	UКЭнас, В	UКЭмах, В	IКмах, мА	Рмах, мВт
МП41А	Ge, p-n-p	50-100	0,1…1,0	0,4	35	100	150
КТ315Е	Si, n-p-n	50-350	0,2…5	0,4	35	100	150
BC547	Si, n-p-n	110-800	0,2…8	0,2-0,6	45	150	500