Контрольные вопросы

1. Приведите структуру и энергетическую диаграмму р-п перехода, находящегося в термодинамическом равновесии.

2. Приведите структуру и энергетическую диаграмму р-п перехода, находящегося в прямом смещении.

3. Приведите структуру и энергетическую диаграмму р-п перехода, находящегося в обратном смещении.

4. Приведите ВАХ р-п перехода и укажите на ней основные параметры перехода.

5. Приведите классификацию диодов и области их применения.

6. Приведете систему условных обозначений диодов, а также их условно-графические обозначения.

7. Приведите основные параметры выпрямительных диодов.

8. Приведите основные параметры импульсных диодов. Укажите их особенности.

9. Приведите основные параметры стабилитронов. Укажите основные методы стабилизации напряжения с помощью диодов.

10. Приведите основные особенности диодов Шотки.

Лабораторная работа № 3 Исследование статических характеристик основных типов биполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием

Цель работы – изучить физические процессы, статические вольтамперные характеристики, графическое определение малосигнальных параметров биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

[1, с.52-72]; [4, с.208-275]; [8, с.42-52].

Лабораторные схемы

В данной лабораторной работе снимаются статические характеристики и по ним рассчитываются малосигнальные параметры биполярных транзисторов 3 различных типов. Все исследуемые образцы установлены на единой плате и подключаются перестановкой соответствующей перемычки. Нумерация образцов на плате следующая:

1. Кремниевый транзистор Дарлингтона п-р-п типа КТ3102Е.

2. Кремниевый диффузионно-эпитаксиальный транзистор п-р-п типа КТ315Е.

3. Кремниевый диффузионно-эпитаксиальный транзистор п-р-п типа ВС547.

4. Германиевый сплавной биполярный транзистор р-п-р типа МП41А.

В данной лабораторной работе исследуется кремниевый диффузионно-эпитаксиальный транзистор п-р-п типа КТ315Е.

Исследование статических характеристик биполярного транзистора при его включении по схеме с общим эмиттером проводится с помощью лабораторного стенда, упрощенная схема которого приведена на рис.3.1.

Требуемый исследуемый биполярный транзистор подключается к измерительному стенду с помощью установки перемычки J1. Переключатель К4 позволяет изменять полярность напряжения U_КЭ, приложенного к коллектору относительно эмиттера. Величина этого напряжения устанавливается потенциометром R1. Переключатель К5 позволяет изменять полярность напряжения U_БЭ, приложенного к базе относительно эмиттера. Величина этого напряжения определяет величину базового тока I_Б и устанавливается потенциометром R2. Измерение напряжения U_КЭ и величины коллекторного тока I_К, осуществляется вольтметром V1. Измерение напряжения U_КЭ проводится прямым методом в положении «U» переключателя К1. Измерение коллекторного тока I_К проводится косвенно, путем измерения напряжения на резисторе R3 известного сопротивления в положении «U_R» переключателя К1. Измерение базового тока I_К проводится косвенно, путем измерения напряжения на резисторе R4 известного сопротивления в положении «U_R» переключателя К2.