0. Постройте вольтамперную характеристику диода ГД508А. По ней определите прямое падение напряжения на диоде U_ПР и обратный ток диода I_ОБР при обратном напряжении − 6 В. При определении обратного тока следует учесть, что максимальное обратное напряжение этого диода соответствует 8 В.

1. Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.

1. Для снятия вольтамперной характеристики этого диода установите перемычку J1 в положение 4.

2. Снимите прямую ветвь вольтамперной характеристики.

1. Для этого установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К3 в положение «мА».

2. Установите тумблер K1 в положение «U_R». Потенциометром R1 установите напряжение 10 В, что соответствует току, протекающему через диод 10 мА. Значение напряжения в [В] будет полностью соответствовать значению тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R2 в этом случае равно 1 кОм. Переключите тумблер K1 в положение «U». При этом тестер покажет прямое падение напряжения на диоде. Полученные результаты занесите в таблицу 2.1.

3. Повторите п.3.2.2 для значений токов I[мА]=U_R[В], указанных в таблице 2.1.

2. Снимите обратную ветвь вольтамперной характеристики.

   1. Для этого установите тумблер К4 в положение «−», тумблер К3 в положение «мА».

   2. Установите тумблер K1 в положение «U_R». Потенциометром R1 установите напряжение 0,05 В, что соответствует току, протекающему через диод 0,05 мА. Значение напряжения в [В] будет полностью соответствовать значению тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R2 в этом случае равно 1 кОм. Переключите тумблер K1 в положение «U». При этом тестер покажет обратное падение напряжения на диоде. Полученные результаты занесите в таблицу 2.1.

   3. Повторите п.3.3.2 для значений токов I[мА]=U_R[В], указанных в таблице 2.1.

3. Постройте вольтамперную характеристику стабилитрона 1N5201. По ней определите минимальное напряжение стабилизации U_СТмин, максимальное напряжение стабилизации U_СТмах, минимальный I_{СТ мин} и максимальный I_{СТ мах} токи стабилизации, считая, что номинальное напряжение стабилизации этого стабилитрона равно 3,3 В, а отклонение напряжения стабилизации не должно превышать ±5 %. При определении указанных параметров воспользуйтесь пояснениями к рис. 2.8. Рассчитайте дифференциальное сопротивление стабилитрона r_Диф при обратном смещении используя выражение (2.12).

4. Сделайте выводы по работе, сравнив сопоставимые параметры исследуемых диодов. Опишите области применения исследуемых диодов.

При определении параметров диодов, воспользуйтесь пояснениями к рис.2.3 и 2.8. В таблице 2.2 приведены основные параметры исследуемых диодов.

Таблица 2.2 – Параметры исследуемых диодов

Тип диода	Материал	Применение	UПр, В	UОбр max, В	IОбр , мкА	IПр max , мА	UCT, В	ΔUCT, %	IСТ max , мА	IСТ min , мА	rДиф, Ом
ГД508А	Ge	Импульсный	0,6	8	3-20	10	-	-	-	-	-
1N4148	Si	Универсальный	1,0	100	0,025	150	-	-	-	-	-
SB1100	Si	Диод Шотки	0,4	100	0,5-2	500	-	-	-	-	-
1N5201	Si	Стабилитрон	-	-	-	20	3,3	±5	20	1	60
REF 1004-2.5	Si	Опорный стабилитрон	-	-	-	10	2,5	±0,05	20	0,1	0,02