Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Lab_r_1-8_2010_RTiE_exp.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
943.62 Кб
Скачать

Контрольные вопросы

  1. Какие материалы относятся к классу полупроводников?

  2. Назовите основные параметры полупроводниковых материалов.

  3. Какие факторы определяют электрическую проводимость полупроводников?

  4. Что такое собственная и примесная проводимость?

  5. Какие параметры полупроводников можно определить с помощью температурной зависимости их сопротивления?

  6. Чем отличается температурная зависимость удельного сопротивления собственного полупроводника от примесного?

7. Чем отличается зависимость подвижности собственного и примесного полупроводника от температуры?

8. Что такое примесь замещения и примесь внедрения?

10. Какие параметры примесного полупроводника можно определить по температурной зависимости концентрации свободных носителей заряда?

11. Что такое калибровочная характеристика датчика температуры? Как определить ее коэффициенты экспериментально?

Лабораторная работа №2 Исследование основных типов полупроводниковых диодов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием

Цель работы: ознакомление со свойствами, маркировкой и применением основных типов диодов и стабилитронов.

Литература: [1, с.30-51],[4, с.173-207],[8, с.20-41]

Лабораторная схема

В данной лабораторной работе снимаются вольтамперные характеристики и по ним рассчитываются основные параметры выпрямляющих диодов 3 различных типов и 2 стабилитронов. Все исследуемые образцы установлены на единой плате и подключаются перестановкой соответствующей перемычки. Нумерация образцов на плате следующая:

1. Германиевый микросплавной импульсный диод типа ГД508А.

2. Кремниевый диффузионный импульсный диод типа 1N4148.

3. Кремниевый выпрямительный диод Шотки с толстой базой типа SB1100.

4. Кремниевый диффузионный маломощный стабилитрон типа 1N5201.

5. Кремниевый стабилитрон с напряжением равным ширине запрещенной зоны типа REF 1004-2.5.

В данной лабораторной работе исследуется только импульсный диод типа ГД508А и маломощный стабилитрон типа 1N5201.

В ольтамперные характеристики исследуемых диодов снимаются с помощью стенда, упрощенная схема которого приведена на рис.2.1.

Требуемый исследуемый диод подключается к измерительному стенду с помощью установки перемычки J1. Переключатель К4 позволяет изменять полярность напряжения, приложенного к исследуемому диоду. Изменение амплитуды постоянного напряжения, подаваемого на диод, достигается изменением положения движка потенциометра R1. Измерение напряжения на диоде и тока, протекающего через диод, осуществляется вольтметром V1. Измерение напряжения на диоде проводится прямым методом в положении «U» переключателя К1. Измерение тока проводится косвенно, путем измерения напряжения на резисторе R2 (измерение мА) или R3 (измерение мкА) известного сопротивления в положении «UR» переключателя К1. Выбор предела измерения тока осуществляется переключателем К3.

Домашнее задание

  1. Изучить основные параметры исследуемых диодов, используя справочник и табл.2.2.

  2. Изучить особенности и применение исследуемых диодов.

  3. Подготовить протокол лабораторной работы, в котором начертить схему измерительного стенда и таблицу экспериментальных данных 2.1.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]