Ход работы

1. Поместить плату с исследуемыми образцами в термостат.

2. Измерить сопротивление собственного полупроводника при комнатной температуре. Образцы выбирают с помощью нажатия кнопки “+” на стенде. Значение температуры и сопротивления образцов занести в табл.1.1.

3. Нажать кнопку “НАГРЕВ” на стенде. При этом включится нагрев термостата. Нагрев прекратится при температуре 30⁰ С. При этом за 2 градуса будет подан звуковой сигнал. Дождаться температуры 30⁰ С и повторить измерения при этой температуре. После измерения опять нажать кнопку “НАГРЕВ” на стенде.

4. Замерять по мере прогревания термостата сопротивление образца и температуру среды через каждые 10^о в интервале от комнатной температуры до 90^оС. Результаты измерения занести в табл.1.1.

Таблица 1.1 - К расчету параметров полупроводников

Тi, оС	Ri, Ом	Ti, К	1/Ti, К-1	lnRi	B, К согласно (1.6)	lnR0 согласно (1.5)	lnR0 среднее значение	TPAC, 0C, согласно (1.4)	Ошибка ΔТ=ТРАС-Тi
*
300
400
500
600
700
800
900

* сюда занести значение комнатной температуры по показаниям на дисплее стенда.

Задание к лабораторной работе

1. Построить зависимость lnR_i = (1/T) для собственного полупроводника. По температурной зависимости сопротивления собственного полупроводника определить угловой коэффициент согласно (1.6) и рис.1.1.

2. Рассчитать значение коэффициента lnR₀ для каждой температуры согласно (1.5) и найти его среднее значение.

3. Определить аналитический вид калибровочной прямой температурного датчика.

4. Рассчитать значения температуры для экспериментально полученных значений сопротивления датчика согласно (1.4) и определить ошибку измерения температуры.

5. Результаты расчетов занести в табл.1.1.

6. Сделать выводы о влиянии температуры на электрическую проводимость собственного полупроводника.