
- •Введение.
- •Классификация фазовращателей.
- •Дискретность фазирования и расположение излучателей.
- •Изменение характеристик направленности в секторе сканирования.
- •Характеристики управления и общетехнические характеристики.
- •Высокоточный аналоговый фазовращатель для полу активной фар.
- •Фазированные антенные решетки. Перспективные программы ниокр.
- •Технология mmic - новые перспективы.
- •Ниокр в области фазированных антенных решеток.
- •Плазменная антенна с электронным сканированием.
- •Отражательная решетка на 100-мм полупроводниковых пластинах.
- •Широкополосные антенные решетки с разделением апертуры.
- •Антенные решетки с цифровым формированием диаграммы направленности.
Дискретность фазирования и расположение излучателей.
Управление фазовым распределением в ФАР возможно с помощью фазовращателей, дискретных или непрерывных с плавным изменением фазы. Применение тех или других фазовращателей приводит к появлению фазовых ошибок в раскрыве ФАР и ухудшению КНД, УБЛ и точности установки луча. В непрерывных фазовращателях эти ошибки вызваны различными дестабилизирующими факторами (старением, повышенной температурой, флуктуацией управляющих токов, напряжением и т. д.). Для борьбы с ними требуются специальные меры. Это является основным недостатком непрерывных фазовращателей.
Указанные недостатки в значительной степени устраняются применением дискретно-коммутационного способа сканирования. В этом способе фазирование осуществляется с помощью коммутаторов или дискретных фазовращателей, имеющих фиксированные значения фазы, устойчивых к различным дестабилизирующим факторам, что достигается применением в полупроводниках, ферритах и других управляемых средах соответствующих режимов работы, при которых используются устойчивые (крайние) участки их характеристик (насыщения, гистерезиса и т. д.). Управление лучом в этом случае сводится к простейшим операциям включения или выключения отдельных коммутаторов. Этот способ сканирования приводит к появлению коммутационных фазовых ошибок, равных половине дискрета изменения фазы в фазовращателе.
Коммутационные фазовые ошибки вызывают снижение КНД, увеличение УБЛ и дискретность движения луча при сканировании. Аналогичное ухудшение направленности имеет место в ФАР с непрерывными фазовращателями в результате дискретности фазирования от сопряжения с системой управления лучом ЭВМ, тоже дискретной. Влияние коммутационных ошибок на характеристики антенны зависит от начального фазового распределения в ФАР, положения точки начала отсчета фаз и числа излучателей. Из-за наличия коммутационных фазовых ошибок КНД антенны уменьшается.
Уровень бокового излучения (по полю) обусловлен коммутационными фазовыми ошибками плоской АР с равномерным распределением поля.
Дискретность изменения фазы приводит к скачкообразному перемещению луча в пространстве и определяет точность установки луча. На точность влияет положение начала отсчета фазы (в центре или крайний излучатель). Увеличение разрядности дискретного фазовращателя приводит к увеличению потерь, но возрастанию КНД. В зависимости от рабочего диапазона частот, уровня технологии, требований к УБЛ. Могут использоваться фазовращатели с разрядностью от 2 до 5. Значение разрядности определяется в каждом конкретном случае.
Квантование амплитудного распределения в раскрыве связано с размещением излучателей в апертуре антенны. Квантование по уровню - это процесс замены непрерывной функции ее отдельными значениями, отстоящими друг от друга на конечный интервал (уровень). При квантовании значение функции в произвольный момент времени заменяется ее ближайшим значением, называемым уровнем квантования. Интервал между двумя дискретными
значениями уровней называется шагом квантования. Квантование по амплитуде, как и по фазе, обусловливает нарушение непрерывности распределения поля, которое может носить периодический характер и вызывать возникновение дополнительного уровня боковых лепестков, аналогичных по структуре дифракционным лепесткам ДН. Исходным фактором
дискретизации излучающего раскрыва является практически реализуемый шаг в решетке. Размеры поперечного сечения фазовращателя с элементами крепления и управляющими цепями в СВЧ-диапазоне оказываются такого же порядка, как допустимый шаг, определяемый из режима однолучевого сканирования в КВЧ и на более высоких частотах.
Второй возможный путь увеличения шага излучателей - применение неэквидистантного размещения излучателей. В остронаправленной антенне допустимый шаг может быть также увеличен путем ограничения сектора сканирования. В этом случае применяется направленный элемент АР с шириной ДН, в качестве которого может быть использована направленная антенна (апертурный излучатель) или группа синфазновозбужденных слабонаправленных элементов, называемая подрешеткой и управляемая одним фазовращателем. Размеры подрешеток выбираются в соответствии с заданным сектором сканирования и допустимым уровнем дифракционных максимумов высших порядков. Последнее можно пояснить следующим образом. При отклонении луча ФАР к краю сектора сканирования начинается возрастание уровня дальнего бокового лепестка, вызванное наличием в множителе решетки с большим шагом побочных главных лепестков и излучением за пределы сектора сканирования элемента АР .