6Статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером .

.

Статические характеристики позволяют качественно и количественно выбрать наилучший режим работы того или иного транзистора, выявить усилительные возможности и др. свойства. Входная статическая характеристика при U_вх=0 представляет собой прямую ветвь

ВАХ эмиттерного ЭДП. При положительном напряжении коллектора характеристика смещается вправо. Смещение вправо объясняется увеличением падения напряжения на переходе КБ и усилением втягивающего действия перехода.

Выходные характеристики выражают зависимость коллекторного тока от напряжения коллектор-эмиттер при постоянных токах базы. Выходная характеристика при нулевом токе базы (I_б=0) аналогична обратной ветви характеристики полупроводникового диода. У кремниевых транзисторов эта ветвь располагается значительно ниже, чем у германиевых, при одинаковых условиях. С увеличением тока базы характеристики сдвигаются вверх.

7Работа транзистора c нагрузкой. Зависимость параметров транзистора от различных факторов.

В цепь транзистора ( в эмиттерную или коллекторную) включается нагрузка. Наиболее простой случай, когда эта нагрузка активная. При наличии нагрузки напряжение U_кэ не остается постоянным:

U_к = U_кэ + I_к R_к

С оотношение показывает, что ток коллектора I_к зависит не только от тока базы, но и от напряжения U_кэ на коллекторном переходе.

I_к = - Uкэ 1)

З ависимость является линейной. Совмещение этой характеристики с выходной характеристикой позволяет построить зависимость I_к(I_б). На выходной характеристике строится прямая АВ, представляющая собой I_к=f(Uкэ) (ХХ).

Точка В соответствует Uкэ=0. В этом случае I_к = . (КЗ).

Точка А соответствует I_к=0. В этом случае U_к =U_кэ. Прямая АВ называется нагрузочной прямой. По точкам пересечения нагрузочной прямой с выходными характеристиками можно построить зависимость I_к=f(I_б), позволяющую произвести соответствующий расчет. Эта линия называется динамической переходной характеристикой.

Положение точки В линии нагрузки зависит от R_к. При R_к=0, I_к = . Линия проходит вертикально из точки А. В этом случае динамическая переходная характеристика пройдет выше построенной и будет называться статической переходной характеристикой (Uкэ не меняется).

При R_к= I_к= , т.е. при увеличении R_к наклон прямой уменьшается, уменьшается и максимальное значение I_к.

Рабочая точка выбирается на нагрузочной прямой. Возможны три основные области работы транзистора.

Участок МN--активная область. Все линейные усилительные схемы работают в этой области. Транзистор работает при прямом смещении на эмиттерном и обратном смещении на коллекторном переходах. Для малого сигнала дифференциальный коэффициент усиления тока

β= ,

соответствующий наклону динамической переходной характеристики в рабочей точке. Для большого сигнала интегральный коэффициент усиления тока

В≈ ,

соответствующий наклону прямой, проходящей через рабочую точку и начало координат.

Область отсечки—область, лежащая ниже линии I_б = 0, т.е. базовый ток I_б должен быть отрицательным. В этом случае оба перехода транзистора работают при обратном смещении. Обратный ток коллекторного перехода скомпенсирован отрицательным напряжением на базе. Транзистор заперт. В кремниевых транзисторах этот ток практически равен нулю. Поэтому линия I_б = 0 проходит по оси координат. Транзисторы запираются при I_б = 0.

Область насыщения—характеризуется прямым смещением обоих переходов транзистора. Это состояние возникает при увеличении тока базы выше прямой ОМ. Ток базы в точке М называется критическим. Для насыщения используют ток базы в К раз больший критического. К называется коэффициентом насыщения. Обычно К=1.5…3.

Области отсечки и насыщения широко используются в импульсной технике, в том числе и в микросхемах. Режимы называют ключевыми. Важными параметрами ключевого режима является время нарастания тока коллектора и время рассасывания носителей заряда.

В связи с трудностью определения внутренних параметров транзистора (сопротивления эмиттера, базы, коллектора) пользуются системой h-параметров, возникающих из схемы замещения транзистора четырехполюсником.

U _вх =h₁₁I_вх + h₁₂U_вых

I_вых=h₂₁I_вх+h₂₂U_вых

h₁₁= при U_вых=0, входное сопротивление (Ом).

h₁₂= при I_вх=0, коэффициент обратной связи по напряжению.

h₂₁= при U_вых = 0, коэффициент прямой передачи по току.

h₂₂= при I_вх = 0, выходная проводимость (Ом^-1,сименс).

h-параметры называются малосигнальными параметрами , так как они справедливы при малых уровнях сигнала. Малосигнальные параметры однозначно определяются в конкретных точках статической характеристики. Например, входное сопротивление h₁₁ определяется наклоном входной характеристики. h₁₁ и h₂₁ можно определить при коротком замыкании выходной цепи. Входные и выходные величины представляются в виде приращений.

Сопротивления коллектора и эмиттера почти не зависят от приложенного напряжения, но обратно пропорциональны протекающим токам.

Наиболее заметно непостоянство коэффициента усиления β= , величина которого зависит от многих факторов (от напряжения на коллекторе. тока эмиттера, температуры) Из-за трудностей учета этих влияний в справочниках приводятся экспериментальные данные β(Т), β(I_э) и др..

С повышением частоты начинают сказываться влияния емкостей, а также конечное время перемещения носителей. Для мощных транзисторов частота снижается до 100…200 кГц. Германиевые транзисторы способны работать при более высоких частотах.

Максимальная мощность транзистора определяется максимальной мощностью рассеяния на коллекторе: маломощные (до 300 мВт), средней мощности (0, 3…5 Вт), большой мощности (свыше 5 Вт). Большая площадь коллекторного перехода. Радиаторы (увеличивают теплоотвод в 5…10 раз).

Силовые низкочастотные транзисторы (I_{к max} =40А, перспектива до400А; U_кб = 400В). Планарная технология (можно на одной подложке изготовить до 1000 шт.с минимальным разбросом параметров). Удобство монтажа, высокая механическая прочность, изоляция кристалла от внешних воздействий.