- •1Проводимость полупроводника. Электронно-дырочный переход. Работа перехода при внешнем смещении.
- •2Переход металл-полупроводник.
- •3Пробой р-п перехода.
- •4Классификация т конструкция диодов. Разновидности и их применение.
- •5Биполярные транзисторы. Устройство и принцип действия. Схемы включения транзистора .
- •6Статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером .
- •7Работа транзистора c нагрузкой. Зависимость параметров транзистора от различных факторов.
- •8Полевые транзисторов . Устройство и принцип действия. Характеристики. Типы транзисторов.
- •9Тиристоры. Устройство. Принцип действия характеристики. Типы тиристоров
- •10Термирезисторы.
- •11Фоторезисторы.
- •12Светодиоды Фотодиоды Оптроны.
- •13Общие сведения. Серии. Функциональный состав.
- •14Полупроводниковые индикаторы.
- •15Жидкокристаллические индикаторы.
- •16Газоразрядные индикаторы.
- •17Классификация и основные характеристики усилителей.
- •18Положительная и отрицательная обратная связь (пос.Оос). Ос по напряжению и по току. Последовательная и параллельная ос.
- •19Влияние ос на коэффициент усилия. Влияние ос на входное сопротивление.
- •21Режимы работы усилительного каскада (а,б,с,).
- •22Работа усилителя. Нагрузочная характеристика.
- •23Усилительные каскады на биполярных транзисторах.
- •24Усилительные каскады на полевых транзисторах.
- •25Динамические характеристики усилительных каскадов. Повторители напряжения.
- •26Соединение многокаскадных усилителей.
- •27Однотактные усилители мощности.
- •28Двухтактные усилители мощности.
- •29Усилители постоянного тока. Общие сведения . Дрейф нуля и борьба с ним
- •30Структура и основные параметры оу. Применение оу.
- •31Импульсные усилители (иу).
- •32Генераторы гармонических колебаний. Общие сведения.
- •33Lc-генераторы.
- •34Rc-генераторы. Стабилизация частоты генератора.
- •35Понятие электронный ключ. Виды ключей. Работа транзистора в ключевом режиме.
- •36Дифференцирующие и интегрирующие цепи.
- •37Ключи на моп – транзисторах.
- •38 Логические устройства.
- •39Базовые схемы логических элементов .
- •40Мультивибраторы и одновибраторы.
- •41Мультивибраторы на имс.
- •42Одновибраторы на имс.
- •43Принцип генерирования линейно изменяющихся напряжений. Схемы Глин.
- •44Компараторы напряжений без гистерезиса и компараторы с гистерезисом (триггеры Шмита)
- •45Триггеры на биполярных транзисторах с двумя динамическими входами (r,s). Триггер со счетным входом (t- триггер).
- •46Rs- триггеры d- триггеры на логических ис
- •47Jk- триггер логических ис.
- •48Цифроаналоговые преобразователи.
- •49Аналогоцифровые преобразователи.
- •50Общие сведения об источниках питания.
- •51Однополупериодные и двухполупериодные выпрямители.
- •52Трехфазные выпрямители. Управляемые выпрямители.
- •53Сглаживающие фильтры.
- •Пассивные сглаживающие фильтры
22Работа усилителя. Нагрузочная характеристика.
Изображена
нагрузочная характеристика полевого
транзистора. По ней построена динамическая
входная характеристика, на линейную
область которой проецируется синусоидальное
входное напряжение. На нагрузочной
характеристике строят точки, соответствующие
точкам 1…5 входного напряжения. Выходное
напряжение построено в четвертом
квадранте. Из рисунка видно, что выходное
напряжение находится в противофазе с
входным. Схема, соответствующая
нагрузочной характеристике, показана
ниже. На схеме для создания начального
с
мещения
во входную цепь включен источник
напряжения Uзи.
На входе усилителя действует синусоидальное
переменное напряжение Uвх
. При
отсутствии переменного сигнала в цепи
стока протекает ток Iст0,
соответствующий точке А входной
характеристики. На сопротивлении RС
создается падение напряжения URc=
Iст0Rc..
На
транзисторе падает напряжение
Uси0=Ес-Iст0Rc.
При увеличении входного напряжения (точка 2) выходное напряжение уменьшается, при уменьшении (точка 4)—увеличивается. За счет источника Ес на выходе транзистора входное напряжение усиливается. Усиление зависит не только от характеристик транзистора, но и от сопротивления RС. Конденсатор С не позволяет поступать на выход усилителя постоянной составляющей. Емкость его должна быть достаточной, чтобы на нем падала малая часть переменного напряжения.
Подобный усилитель можно создать и на биполярном транзисторе.
23Усилительные каскады на биполярных транзисторах.
Смещение тока базы можно создать не специальным источником напряжения, а за счет токов, протекающих в цепи коллектора или эмиттера. В зависимости от способа смещения эмиттерного перехода различают: а) усилители с фиксированным током базы; б) усилители с фиксированным напряжением база-эмиттер; в) усилители со смещением за счет ОС.
Во
всех случаях необходимо определить
статический ток базы, как это делалось
до сих пор, т.е. построить нагрузочную
характеристику в соответствии с
выражением
Uкэ = E -Iк Rк,
выбрать точку А на линейном участке динамической входной характеристики и перейти к расчету схемы.
1. Схема а). В статическом режиме ток базы зависит от резистора Rб и определяется выражением
Iб0
=
≈
,
откуда можно определить ток базы Iб.
2. Схема б). С помощью делителя R1 R2 на базу можно подать постоянное напряжение UR2= Iд R2=Uбэ0 , где Iд—ток делителя. Зная ток делителя, легко определить R2 и R1. Для маломощных усилителей выбирают Iд= (5…10)Iб0, для мощных каскадов Iд= (2…5)Iб0.
Схемы а) и б) имеют крупный недостаток: любое изменение Iб0 (например, при изменении температуры) вызывает изменение режима работы усилителя (изменение тока коллектора и эмиттера), т.е. изменение статического режима.
3.Схема в). Схема в) отличается от схемы б) сопротивлением Rэ в цепи эмиттера, которое создает последовательную ООС по току. Сопротивление Rэ, в основном, служит для уменьшения температурной нестабильности и для смещения базы относительно эмиттера.
Напряжение Uбэ= UR2 - URЭ = UR2- IЭRэ.
При увеличении температуры ток IЭ растет. Растет и падение напряжения IЭRэ. Uбэ убывает, что ведет к уменьшению токов транзистора. Таким образом осуществляется ОС по току: ток эмиттера вызывает падение напряжения на Rэ, которое складывается (вычитается) с напряжением на сопротивлении R2 (последовательная ОС). Так как напряжение вычитается, ОС получается отрицательной—последовательная ООС по току. Температурное изменение токов транзистора компенсируется изменением смещения базы за счет ООС.
Схема может иметь разновидности. В частности, может отсутствовать делитель R1 R2 фиксированной подачи напряжения на базу. Смещение за счет тока RЭ может передаваться на базу через выходное сопротивление предыдущего каскада.
При расчетах принимают URЭ= (0,1…0,2)Е.
RЭ
=
.
IЭ0 выбирается по нагрузочной характеристике.
R2=
R2
=
=
.
Вид стабилизации называется эмиттерной стабилизацией. Чаще всего производится температурная компенсация.
Иногда используется коллекторная стабилизация, при которой используется ОС по напряжению на сопротивлении в цепи коллектора
