
- •1Проводимость полупроводника. Электронно-дырочный переход. Работа перехода при внешнем смещении.
- •2Переход металл-полупроводник.
- •3Пробой р-п перехода.
- •4Классификация т конструкция диодов. Разновидности и их применение.
- •5Биполярные транзисторы. Устройство и принцип действия. Схемы включения транзистора .
- •6Статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером .
- •7Работа транзистора c нагрузкой. Зависимость параметров транзистора от различных факторов.
- •8Полевые транзисторов . Устройство и принцип действия. Характеристики. Типы транзисторов.
- •9Тиристоры. Устройство. Принцип действия характеристики. Типы тиристоров
- •10Термирезисторы.
- •11Фоторезисторы.
- •12Светодиоды Фотодиоды Оптроны.
- •13Общие сведения. Серии. Функциональный состав.
- •14Полупроводниковые индикаторы.
- •15Жидкокристаллические индикаторы.
- •16Газоразрядные индикаторы.
- •17Классификация и основные характеристики усилителей.
- •18Положительная и отрицательная обратная связь (пос.Оос). Ос по напряжению и по току. Последовательная и параллельная ос.
- •19Влияние ос на коэффициент усилия. Влияние ос на входное сопротивление.
- •21Режимы работы усилительного каскада (а,б,с,).
- •22Работа усилителя. Нагрузочная характеристика.
- •23Усилительные каскады на биполярных транзисторах.
- •24Усилительные каскады на полевых транзисторах.
- •25Динамические характеристики усилительных каскадов. Повторители напряжения.
- •26Соединение многокаскадных усилителей.
- •27Однотактные усилители мощности.
- •28Двухтактные усилители мощности.
- •29Усилители постоянного тока. Общие сведения . Дрейф нуля и борьба с ним
- •30Структура и основные параметры оу. Применение оу.
- •31Импульсные усилители (иу).
- •32Генераторы гармонических колебаний. Общие сведения.
- •33Lc-генераторы.
- •34Rc-генераторы. Стабилизация частоты генератора.
- •35Понятие электронный ключ. Виды ключей. Работа транзистора в ключевом режиме.
- •36Дифференцирующие и интегрирующие цепи.
- •37Ключи на моп – транзисторах.
- •38 Логические устройства.
- •39Базовые схемы логических элементов .
- •40Мультивибраторы и одновибраторы.
- •41Мультивибраторы на имс.
- •42Одновибраторы на имс.
- •43Принцип генерирования линейно изменяющихся напряжений. Схемы Глин.
- •44Компараторы напряжений без гистерезиса и компараторы с гистерезисом (триггеры Шмита)
- •45Триггеры на биполярных транзисторах с двумя динамическими входами (r,s). Триггер со счетным входом (t- триггер).
- •46Rs- триггеры d- триггеры на логических ис
- •47Jk- триггер логических ис.
- •48Цифроаналоговые преобразователи.
- •49Аналогоцифровые преобразователи.
- •50Общие сведения об источниках питания.
- •51Однополупериодные и двухполупериодные выпрямители.
- •52Трехфазные выпрямители. Управляемые выпрямители.
- •53Сглаживающие фильтры.
- •Пассивные сглаживающие фильтры
21Режимы работы усилительного каскада (а,б,с,).
Нагрузочная характеристика
В цепь транзистора ( в эмиттерную или коллекторную) включается нагрузка. Наиболее простой случай, когда эта нагрузка активная. При наличии нагрузки напряжение Uкэ не остается постоянным: Uк = Uкэ + Iк Rк
С оотношение показывает, что ток коллектора Iк зависит не только от тока базы, но и от напряжения Uкэ на коллекторном переходе.
Iк = - Uкэ 1)
З ависимость является линейной. Совмещение этой характеристики с выходной характеристикой позволяет построить зависимость Iк(Iб). На выходной характеристике строится прямая АВ, представляющая собой Iк=f(Uкэ) (ХХ).
Точка В соответствует Uкэ=0. В этом случае Iк = . (КЗ).
Точка А соответствует Iк=0. В этом случае Uк =Uкэ. Прямая АВ называется нагрузочной прямой, или выходной нагрузочной характеристикой, или линией нагрузки. По точкам пересечения нагрузочной прямой с выходными характеристиками можно построить зависимость Iк=f(Iб), позволяющую произвести соответствующий расчет. Эта линия называется динамической переходной характеристикой.
Положение точки В линии нагрузки зависит от Rк. При Rк=0, Iк = . Линия проходит вертикально из точки А. В этом случае динамическая переходная характеристика пройдет выше построенной и будет называться статической переходной характеристикой (Uкэ не меняется).
При Rк= Iк= . При увеличении Rк наклон прямой уменьшается, уменьшается и максимальное значение Iк.
Рабочая точка выбирается на нагрузочной прямой. Возможны три основные области работы транзистора.
Участок МN--активная область. Все линейные усилительные схемы работают в этой области. Транзистор работает при прямом смещении на эмиттерном и обратном смещении на коллекторном переходах. Для малого сигнала дифференциальный коэффициент усиления тока
β= ,
соответствующий наклону динамической переходной характеристики в рабочей точке. Для большого сигнала интегральный коэффициент усиления тока
В≈ ,
соответствующий наклону прямой, проходящей через рабочую точку и начало координат.
Область отсечки—область, лежащая ниже линии Iб = 0, т.е. базовый ток Iб должен быть отрицательным. В этом случае оба перехода транзистора работают при обратном смещении. Обратный ток коллекторного перехода скомпенсирован отрицательным напряжением на базе. Транзистор заперт. В кремниевых транзисторах этот ток практически равен нулю. Поэтому линия Iб = 0 проходит по оси координат. Транзисторы запираются при Iб = 0.
Область насыщения—характеризуется прямым смещением обоих переходов транзистора. Это состояние возникает при увеличении тока базы выше прямой 0М. Ток базы в точке М называется критическим. Для насыщения используют ток базы в К раз больший критического. К называется коэффициентом насыщения. Обычно К=1.5…3.
Области отсечки и насыщения широко используются в импульсной технике, в том числе и в микросхемах. Режимы называют ключевыми. Токи базы выбирают такими, чтобы транзистор переходил из области отсечки в область насыщения и наоборот. Режим работы усилительного каскада в ключевом режиме называется режимом класса D. Важными параметрами ключевого режима являются время нарастания тока коллектора и время рассасывания носителей заряда.
Существует еще три режима работы усилительного каскада: режимы класса А, класса В и класса С.
В
режиме
А
рабочая точка состояния покоя (постоянного
тока коллектора) выбирается в
середине линейного участка динамической
характеристики (точка А). В этом режиме
изменения тока базы передаются в ток
коллектора с минимальными нелинейными
искажениями. Для создания этого режима
на базу должно быть подано постоянное
смещение. Независимо от того, подается
входной сигнал или нет, ток смещения
протекает всегда и усилитель расходует
мощность P
=Ik0EK.
КПД усилителя в режиме А оказывается
менее 25%. Режим используется в при малых
мощностях.
В режиме В рабочая точка выбирается вблизи области отсечки. Вследствие этого в двухполярных входных сигналах усиливается только одна полярность входного напряжения. Режим работы активного элемента принято характеризовать углом отсечки.
Под
углом отсечк
и
понимают выраженную в градусах половину
части периода входного напряжения, в
течение которой в активном элементе
протекает ток. В режиме класса В угол
отсечки Ѳ= 900.
В режиме класса А Ѳ=1800.
КПД режима может достигать 60…70%.
Недостатком режима являются большие
нелинейные искажения. Применяются в
двухтактных усилителях.
С целью уменьшения нелинейных искажений применяют смешанный режим АВ, при котором 900< Ѳ<1800.
В режиме С рабочая точка выбирается в области отсечки! Ѳ<900. Усилитель усиливает только часть входного сигнала, выходящего за область отсечки. Только тогда через него и начинает протекать ток. КПД достигает 85%. Зато большие нелинейные искажения. Применяется в импульсных устройствах и усилителях повышенной мощности.