14. Биполярные транзисторы, схемы замещения, частотные сворйства, усилительные свойства, ключ на транзисторе, обр.
Б
иполярный
транзистор
— трёхэлектродный полупроводниковый
прибор, один из типов транзистора.
Электроды подключены к трём последовательно
расположенным слоям полупроводника с
чередующимся типом примесной проводимости.
По этому способу чередования различают
npn и pnp транзисторы. Схематическое
устройство транзистора показано рисунке
►.
◄
Упрощенная
схема
замещения
биполярных
транзисторов:
a
–
n-
p-n типа; б – p-n-p типа.
Частотные свойства обусловлены емкостью эмитторного и коллекторного перехода. При повышении частоты уменьшается реактивное сопротивление переходов:
Для
компенсации падения
необходимо уменьшать емкость перехода
С.
Усилительные свойства транзистора проявляются в том, что если теперь к эмиттеру и базе приложить малое электрическое напряжение — входной сигнал, то в цепи коллектор — эмиттер потечет ток, по форме повторяющий входной ток входного сигнала между базой и эмиттером, но во много раз больший по значению. Частотными свойствами транзистора учитывается тот факт, что транзистор способен усиливать электрические сигналы с частотой, не превышающей определенного для каждого транзистора предела. Частоту, на которой транзистор теряет свои усилительные свойства, называют предельной частотой усиления транзистора.
Электронные ключи основаны на работе биполярных транзисторов. Когда на базе транзистора «0» относительно эмиттера, транзистор «закрыт», ток через него не идёт, на коллекторе всё напряжение питания (сигнал высокого уровня — «1»). Когда на базе транзистора «1», он «открыт», возникает ток коллектор-эмиттер и падение напряжения на сопротивлении коллектора, напряжение на коллекторе, а с ним и напряжение на выходе, уменьшается до низкого уровня «0».
1 5. Принцип работы, структура и вольтамперные характеристики динисторов и тиристоров, их основные параметры, вах, обр. Запираемые (двухоперационные) тиристоры.
Т
иристор
– п/пр прибор с тремя и более n-p-переходами,
которые ◄ переключаются их открытого
состояния в закрытое и наоборот.
Структура тиристора ► Структура тиристора представляет собой последовательность четырёх слоёв p и n типа, соединенных последовательно.
В
АХ
1 – приложение прямого внешнего напряжения большая его часть падает на коллекторе (тиристор закрыт).
2 – после открытия коллекторного перехода (рабочий режим).
Между участками 1 и 2 на ВАХ находится переходный участок, соответствующий переходному состоянию тиристора.
П
араметры
тиристоров:
1. Напряжение включения
2. Прямое напряжение
3. Обратное напряжение
4. Максимально допустимый прямой ток
5. Обратный ток
6. Максимальный ток управления электрода
7. Время задержки включения/выключения
8. Максимально допустимая рассеиваемая мощность
Д
инистор
– тиристор с односторонней проводимостью
и не имеющий управляющего электрода;
В
структуру
динистора входят
2 эмитерных перехода (ЭП) и один коллекторный
(КП).
ВАХ аналогична ВАХ тиристора.►
Двухоперационные тиристоры или запираемые тиристоры. Они являются полностью управляемыми полупроводниковыми приборами.
В
АХ
аналогична Вах обычного тиристора.
Запираемый тиристор — это тиристор, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот при подаче на управляющий электрод сигналов соответствующей полярности.