2. струму бази до струму емітера;

3. струму емітера до струму бази;

4. потенціалу емітера до потенціалу бази.

   4. При вмиканні транзистора за схемою зі спільною базою відбувається підсилення сигналу

      1. за струмом і потужністю;

      2. за напругою і потужністю;

      3. за струмом і напругою;

      4. за напругою, струмом і потужністю.

   5. Схема вмикання транзистора зі спільною базою характеризується:

      1. великим вхідним та низьким вихідним опорами;

      2. низьким вхідним та великим вихідним опорами;

      3. низьким вхідним та вихідним опорами;

      4. великими вхідним та вихідним опорами.

   6. При вмиканні транзистора за схемою із спільним емітером відбувається підсилення сиг­налу:

      1. за струмом і напругою;

      2. за струмом і потужністю;

      3. за напругою, струмом і потужністю;

      4. за напругою і потужністю.

   7. Коефіцієнтом передачі транзистора за струмом у схемі із загальним емітером називають відношення приростів:

      1. струму бази до струму колектора.

      2. струму емітера струму до струму бази;

      3. струму бази до струму емітера;

      4. струму колектора до струму бази;

   8. Тиристором називають напівпровідниковий прилад з:

      1. двома взаємодіючими р-n переходами і трьома виводами, призначений для підсилення, генерування і комутації електричних сигналів;

      2. трьома р-n переходами, на вольт-амперній характеристиці якого є ділянка з від'ємним опором і котрий має два стійкі стани - закритий і відкритий;

      3. трьома р-n переходами, на вольт-амперній характеристиці якого є ділянка з від'ємним диференціа­льним опором і котрий має два стійкі стани - закритий і відкритий;

      4. двома р-п переходами і трьома виводами, протікання струму в якому обумовлене рухом носіїв обох полярностей.

   9. Зовнішня напруга до диністора при прямому ввімкнені прикладається так, щоб:

      1. всі переходи були зміщені у зворотньому напрямі;

      2. крайні його р-n переходи були зміщені у зворотньому напрямі, а середній - у прямому;

      3. крайні його р-n переходи були зміщені у прямому напрямі, а середній - у зворотньому;

      4. всі переходи були зміщені у прямому напрямі.

   10. Тріодні тиристори відрізняються від діодних:

       1. матеріалом напівпровідника.

       2. кількістю напівпровідникових областей;

       3. типом провідності базових областей;

       4. додатковим керуючим електродом;

   11. Зміна кута керування тиристора зумовлює зміну:

       1. частоти імпульсів струму через навантаження і амплітудне значення струму.

       2. частоти імпульсів струму через навантаження і середнє значення струму за період;

       3. форми імпульсів струму через навантаження і амплітудне значення струму;

       4. форми імпульсів струму через навантаження і середнє значення струму за період;

   12. В режимі пробою працюють

       1. тунельні діоди;

       2. стабілітрони;

       3. варікапи;

       4. стабілітрони і тунельні діоди.

   13. Недоцільно використовувати транзистори у схемах:

       1. генерації імпульсних сигналів;

       2. генерації високочастотних коливань;

       3. випрямлення змінних струмів;

       4. підсилення потужності сигналів.

   14. Для перетворення параметрів струму в системах енергопостачання доцільно використо­вувати:

       1. біполярні та польові транзистори.

       2. біполярні транзистори;

       3. польові транзистори;

       4. тиристори;

   15. Ширина смуги пропускання (діапазон підсилюваних частот) електронного підсилювача залежить від

       1. частоти вхідного сигналу;

       2. частотних властивостей навантаження підсилювача та зворотних зв'язків;

       3. частотних властивостей транзисторів, способу їх включення та схемних особливостей підсилюва­ча;

       4. амплітуди вхідного сигналу та зворотних зв'язків.

   16. Емітерний повторювач вносить у сигнал зсув фаз:

1..

2..

3..

4..0

Тестові контрольні питання з «Теорії інформації» 115

а) 5. 115

6)10. 115

а) 1000. 115

=6) 2000. 115

а)500. 116

=6) 1000. 116

а) 2. 116

4. Параметр hi і біполярного транзистора характеризує:

1.вхідну провідність;

2.вхідний опір;

3.коефіцієнт передачі за струмом;

4.коефіцієнт передачі за напругою.

19. Параметр 1»2і біполярного транзистора характеризує:

1.вихідну провідність;

2.коефіцієнт передачі за напругою;

3.коефіцієнт передачі за струмом;

4.вихідний опір.

19. Операційні підсилювачі характеризуються:

1.високими значеннями вихідного опору та низькими вхідного;

2.високими значеннями вхідного опору та низькими вихідного;

3.відносно невисоким коефіцієнтом підсилення;

4.підсиленням сигалів вузького частотного діапазону.

19. Які існують способи створення початкового зміщення підсилювального каскаду

1.Фіксованою напругою емітер-колектор.

2.Фіксованим струмом бази, фіксованою напругою база-емітер.

3.Фіксованим струмом колектора.

4.Фіксованим струмом емітера.