
- •Билет №1
- •Постоянный электрический ток. Элементы электрической цепи постоянного тока.
- •Схемы электроснабжения промышленных предприятий.
- •Билет №2
- •Электрическое поле. Проводники и диэлектрики в электрическом поле.
- •Электробезопасность при то и ремонте автомобилей.
- •Билет №3
- •Общие сведения о полупроводниках.
- •Билет №4
- •Сопротивление проводников. Источники электроэнергии. Закон Ома.
- •Диоды и стабилитроны.
- •Законы Кирхгофа.
- •Свойства p-n перехода.
- •Билет №6
- •Магнитное поле. Электромагнитная индукция.
- •Полупроводниковые диоды.
- •Билет №7
- •Самоиндукция. Индуктивность. Взаимная индукция.
- •Биполярные и полевые транзисторы.
- •Билет №8
- •Принцип получения переменного тока Период, частота, амплитуда переменного тока.
- •Интегральные схемы микроэлектроники.
Интегральные схемы микроэлектроники.
Интегральная схема представляет собой конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов и других электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле. Интегральные схемы (ИС) являются основным продуктом микроэлектронного производства. ИС является элементной базой средств электронной техники, предназначенной для преобразования, обработки и хранения информации. Интегральной микросхемой (ИМС)называют миниатюрное электронное устройство, выполняющее определенные функции преобразования и обработки сигналов и содержащее большое число активных и пассивных элементов (от нескольких сотен до нескольких десятков тысяч) в сравнительно небольшом корпусе. Часто под интегральной схемой (ИС) понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой (МС) — ИС, заключённую в корпус В зависимости, от технологии изготовления ИМС делятся на полупроводниковые, пленочные и гибридные.
В пленочной ИМС все элементы и межэлементные соединения выполнены только в виде пленок. К вариантами пленочных ИМС относятся тонко- и толстопленочные ИМС . К тонкопленочным условно относятся ИМС с толщиной пленок до 1 мкм, а к толстопленочным — ИМС с толщиной пленок свыше 1 мкм. Полупроводниковая интегральная микросхема характеризуется тем, что все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме на поверхности полупроводника. В состав гибридной ИМС, кроме элементов, неразрывно связанных с поверхностью подложки, входят простые и сложные компоненты (например, кристаллы полупроводниковых ИМС). Гибридные ИМС изготавливаются по тонко- или толстостеночной технологии с применением бескорпусных полупроподниковых приборов и керамических конденсаторов.