
- •Лекция 1. Введение
- •Классификация электронных устройств
- •2.1. Характеристика полупроводников (пп)
- •2.2. Зонная структура классических полупроводников
- •Удельная электрическая проводимость
- •2.4. Генерация и рекомбинация
- •2.5. Концентрация свободных носителей
- •2.6. Законы движения носителей заряда
- •Окончательно имеем:
- •2.7. Выводы
- •Лекция 3. Диоды
- •Изменятся концентрации неосновных носителей в слоях. Действительно,
- •3.2. Специальные типы переходов
- •Переходы между однотипными полупроводниками
- •3.2.2. Контакты металл-полупроводник
- •3.2.2.1. Выпрямляющие контакты
- •3.2.2.2. Невыпрямляющие контакты (омические)
- •3.3. Физика работы диода
- •3.4. Прямая характеристика реального диода
- •3.5. Обратная характеристика реального диода
- •3.5.1. Тепловой ток
- •3.5.2. Ток термогенерации
- •3.5.3. Ток утечки
- •3.5.4. Пробой перехода
- •3.5.4.1. Полевой пробой
- •3.5.4.2. Лавинный пробой
- •3.5.4.3. Тепловой пробой
- •3.5.4.4. Поверхностный пробой
- •3.5.4.5. Обратимость пробоев
- •3.6. Аппроксимация вах диода
- •3.7. Работа диода с нагрузкой
- •3.7.1. Работа на постоянном токе
- •3.7.2. Работа диода на переменном токе с нагрузкой
- •3.7.3. Работа диода при одновременном воздействии постоянного и переменного напряжений
- •4.1. Общие сведения
- •4.2. Эффект Эрли
- •4.3. Статические характеристики идеализированного транзистора
- •5.1. Коэффициент передачи тока эмиттера
- •5.2. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
- •5.3. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
- •5.4. Коэффициент обратной связи по напряжению
- •5.5. Объемное сопротивление базы
- •5.6. Емкости транзистора
- •5.6.1. Диффузионные емкости
- •5.6.2. Барьерные емкости
- •5.7. Обратный ток коллекторного перехода
- •5.8. Вольт-амперные характеристики транзистора
- •6.1. Общая характеристика
- •6.2. Частотные свойства схемы оэ
- •6.2.1. Постоянная времени и граничная частота коэффициента
- •6.2.2. Модуль коэффициента передачи на высокой частоте
- •6.2.3. Предельная частота коэффициента передачи
- •6.2.4. Постоянная времени коллектора
- •6.2.5. Максимальная частота генерации
- •6.3. Дрейфовые транзисторы
- •Лекция 7. Транзистор как активный линейный
- •7.1. Система z-параметров
- •7.2. Система y-параметров
- •7.3. Система h-параметров
- •7.4. Система g-параметров
3.6. Аппроксимация вах диода
Рассмотрим
ВАХ реального диода (рис. 3.14). Ее можно
разбить на прямые отрезки. Продолжим
их до пересечения с осями координат
(точки А',
С', D'
). Так как области нелинейности меньше
полученных отрезков, то ВАХ можно
представить состоящей из отрезков
D'Е, А'В и
АС'.
Назовем отрезок ОD'
напряжением отсечки диода –
.
Тогда прямую ветвь можно описать
уравнением
.
Напряжение
называют также пороговым напряжением.
В
соответствии с уравнением можно составить
эквивалентную схему диода при прямом
включении (рис. 3.15а). Сопротивление
диода будет определяться как
.
Таким образом, при прямом включении
диод рассматривается как источник эдс
с сопротивлением
.
При вычислении
по графику ВАХ следует учитывать масштаб
тока и напряжения.
При
обратном включении диода рассматривается
отрезок АС'.
В
этом
случае диод является источником обратного
тока. Для кремниевых диодов это ток
утечки (рис. 3.15б). Сопротивление диода
равно
.
В
области пробоя (рис. 3.15в) на отрезке
А'В
сопротивление диода
,
а сам диод вновь рассматривается как
источник эдс.
3.7. Работа диода с нагрузкой
3.7.1. Работа на постоянном токе
Наибольшее распространение получил графоаналитический метод пересечения характеристик, или метод опрокинутой характеристики. Метод используется в том случае, когда электрическая цепь может быть сведена к последовательному соединению элементов. Элементы могут быть разного типа: оба линейные; оба нелинейные; смешанные Элементы могут быть управляемыми и неуправляемыми в разных сочетаниях.
Метод
основан на уравнении Кирхгофа для
последовательной цепи с источником
эдс. В общем виде по рис. 3.16
;
.
Если известны ВАХ элементов, то на
графике строят ВАХ одного элемента, а
ВАХ второго зеркально отражают
относительно оси тока (опрокидывают) и
ее начало сдвигают по оси напряжений
на величину Е.
Для
нашей цепи пусть характеристики будут
такие (рис. 3.17а). При этом любому
значению аргумента (току) будут
соответствовать напряжения на элементах
и
(см. ток
).
По методу опрокинутой характеристики
рисуем ВАХ (рис. 3.17б). При этом точка
пересечения будет соответствовать
общему току
.
Однозначно будут определяться и
напряжения.
Пусть
диод включен в цепь. Мы имеем один
нелинейный элемент (диод), второй линейный
– резистор. По Кирхгофу
.
Опрокинутая характеристика для резистора
строится в режиме холостого хода
и в режиме короткого замыкания
.
При этом, если
,
то ток в цепи равен 0 и мы получаем первую
точку
.
При
в цепи течет ток
– вторая точка (В). Точка пересечения
(А) дает ток и напряжения на элементах
схемы. Прямая линия получила название
нагрузочной прямой, а точка А – рабочей
точки.
Из
геометрических построений следует, что
.
Отрезки ОВ и ОЕ могут быть даны в
соответствующих масштабах тока и
напряжения (в системе СИ – Ампер, Вольт).
Графический
метод хорошо иллюстрирует влияние
источника питания и резистора. При
изменении R
меняется
угол наклона нагрузочной прямой
,
при изменении Е
происходит
параллельный перенос линии нагрузки,
а угол не меняется.
Эту
задачу можно решить методом кусочно-линейной
аппроксимации. Возьмем линейный участок
на прямой ветви ВАХ (рис. 3.20). Для него
на постоянном токе
,
а сопротивление диода равно
.
Тогда согласно Кирхгофу
.
При известных
,
R
и Е
можно найти
,
и ток I.