
- •1. Цель и задачи курса. Роль приборно-технологического моделирования в проектировании интегральных микросхем.
- •2. Типы и функциональный состав моделей технологических операций.
- •3. Ионная имплантация, механизмы торможения ионов.
- •4. Ионная имплантация, теория лшш.
- •5. Ионная имплантация, диффузионная модель Бирсака.
- •5. Эффект каналирования.
- •7. Системы координат при моделировании ионной имплантации.
- •8. Принцип суперпозиции при расчете функций распределения примеси.
- •9. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Функции Гаусса.
- •10. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Распределения Пирсона-IV.
- •11. Аналитические аппроксимации распределения ионов, учитывающие эффект каналирования.
- •12. Особенности моделирования ионной имплантации в многослойных мишенях.
- •13. Механизмы диффузии, парная диффузия примесь-вакансия.
- •1 4. Уравнения диффузии примеси, макроскопическое и микроскопическое определение коэффициентов диффузии.
- •15. Расчет коэффициента диффузии для моновакансионного механизма.
- •16. Коэффициент диффузии с учетом различных зарядовых состояний.
- •17. Модель связанной диффузии, основные уравнения.
- •18. Модель связанной диффузии, учет протекающих реакций.
- •19. Модель связанной диффузии, уравнения непрерывности.
- •20. Граничные и начальные условия в моделировании диффузии.
- •21. Кластеры и преципитаты.
- •22. Особенности диффузии Бора.
- •23. Особенности диффузии донорных примесей.
- •24. Совместная диффузия примесей.
- •26. Особенности моделирования диффузии в поликристаллическом кремнии.
- •27. Термическое окисление кремния. Модель Дила-Гроува.
- •28. Допущения при выводе модели Дила-Гроува.
- •29. Термическое окисление кремния. Константы линейного и параболического роста.
- •30. Особенности строения пленок оксида кремния. Вязкое течение SiO2.
- •31. Основные этапы численного моделирования процесса окисления. Модель Массуда для начального этапа процесса окисления.
- •32. Моделирование окисления в присутствии маски. Аналитическая модель.
- •33. Моделирование окисления в присутствии маски. Граничные условия.
- •35. Моделирование процесса диффузии в присутствии подвижных границ.
- •36. Моделирование сегрегации примеси.
- •38. Алгоритм струны в моделировании травления и осаждения слоев.
- •39. Расчет процесса травления для заданного показателя анизотропии.
- •40. Моделирование осаждения для различных типов источников частиц.
- •41. Модель баллистического осаждения.
- •42. Моделирование процесса литографии. Основные этапы численного моделирования.
- •43. Расчет изображения на поверхности фоторезиста.
- •44. Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста.
- •45. Моделирование процесса проявления.
- •46. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Дрейфово-диффузионное приближение.
- •47. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Термодинамическая и гидродинамическая модели.
- •48. Дискретизация базовых уравнение. Методы построения сетки.
- •49. Проблемы устойчивости и сходимости численного решения. Коэффициент усиления ошибки.
- •50. Оценка качества сетки.
20. Граничные и начальные условия в моделировании диффузии.
Для двумерного приближения (сечение XY, координата x – вдоль подложки, координата y – в глубину подложки
Начальное условие: N(x, y, 0) = f(x, y)
Граничное условие в глубине подложки: N(x, ∞, t) = 0; или N(x, ∞, t) = NB – для примеси, совпадающей с исходной примесью в подложке.
Граничные условия на правой и левой границах (поток примеси через линии симметрии равен нулю): ∂N / ∂x = 0 при x = xR; и ∂N / ∂x = 0 при x = xL;
Г
раничные
условия на поверхности подложки (нет
потока примеси через поверхность
подложки): ∂N
/ ∂y
= 0 при y
= 0;
Диффузия в окислительной атмосфере:
m - коэффициент сегрегации, m = NSi/NSio2; b – изменение объема при формировании окисла, b = 0.44;
Условие на границе атмосферы с диффузантом: D(∂N / ∂y) = h(N – N*), h – коэффициент массопереноса, N* - концентрация примеси в газовой фазе.
21. Кластеры и преципитаты.
При высоких концентрациях примеси ее атомы могут образовывать преципитаты и кластеры.
Преципитация происходит при превышении предела растворимости примеси в твердом теле. Преципитаты являются макроскопическими скоплениями атомов примеси, содержащими до 102 – 103 атомов и имеющими размеры до нескольких десятых микрона.
Кластеры содержат от 2 до 6 атомов, связанных друг с другом и с решеткой. Кластеры формируются до достижения предела растворимости. При объединении кластеры могут становиться центрами преципитации.
Главная роль преципитации и кластеризации заключается в том, что количество электрически активных атомов примеси меньше общего количества внедренных атомов. Эффективный коэффициент диффузии при этом снижается, т.к. только часть примеси является мобильной.
Кластеризованная примесь электрически не активна, поэтому общее количество примеси разделяется на 2 части: электрически активную NА и кластеризованную Nкл.
Кластеры возникают и распадаются:
∂NА / ∂t = KdNКЛ - KcNА m;
∂NКЛ / ∂t = - KdNКЛ + KcNА m;
где m – размер кластеров, Kc, Kd – скорости кластеризации и распада кластеров.
Вклад процесса кластеризации должен быть учтен при составлении уравнений непрерывности в модели связанной диффузии.
22. Особенности диффузии Бора.
Основной вклад в диффузию бора вносят 2 типа пар бор – междоузлие.
Э
то
пары, состоящие из замещающего атома
бора, т.е. B-
и междоузлия, нейтрального I0
или однократно положительно заряженного
I+.
При высоких концентрациях бор может образовывать кластеры и преципитаты. Кластеры и преципитаты бор образует совместно с междоузлиями.
Кластеризация бора протекает по уравнениям двух типов:
- с присоединением междоузлия: BnIm + I = BnIm+1;
- с присоединением междоузельного бора: BnIm + Bi = Bn+1Im+1;
Обладают наибольшей энергией связи и наиболее устойчивы кластеры B3I.
В первую тройку, с учетом усреднения по нескольким возможным реакциям образования, входят также кластеры B2I и BI2. Доминирующими зарядовыми состояниями для данных кластеров являются (B3I)-, (B2I)0 и (BI2)+ . Таким образом, с учетом кластеризации основными компонентами процесса диффузии бора являются B-, I0 , I+ , I++