
- •1. Цель и задачи курса. Роль приборно-технологического моделирования в проектировании интегральных микросхем.
- •2. Типы и функциональный состав моделей технологических операций.
- •3. Ионная имплантация, механизмы торможения ионов.
- •4. Ионная имплантация, теория лшш.
- •5. Ионная имплантация, диффузионная модель Бирсака.
- •5. Эффект каналирования.
- •7. Системы координат при моделировании ионной имплантации.
- •8. Принцип суперпозиции при расчете функций распределения примеси.
- •9. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Функции Гаусса.
- •10. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Распределения Пирсона-IV.
- •11. Аналитические аппроксимации распределения ионов, учитывающие эффект каналирования.
- •12. Особенности моделирования ионной имплантации в многослойных мишенях.
- •13. Механизмы диффузии, парная диффузия примесь-вакансия.
- •1 4. Уравнения диффузии примеси, макроскопическое и микроскопическое определение коэффициентов диффузии.
- •15. Расчет коэффициента диффузии для моновакансионного механизма.
- •16. Коэффициент диффузии с учетом различных зарядовых состояний.
- •17. Модель связанной диффузии, основные уравнения.
- •18. Модель связанной диффузии, учет протекающих реакций.
- •19. Модель связанной диффузии, уравнения непрерывности.
- •20. Граничные и начальные условия в моделировании диффузии.
- •21. Кластеры и преципитаты.
- •22. Особенности диффузии Бора.
- •23. Особенности диффузии донорных примесей.
- •24. Совместная диффузия примесей.
- •26. Особенности моделирования диффузии в поликристаллическом кремнии.
- •27. Термическое окисление кремния. Модель Дила-Гроува.
- •28. Допущения при выводе модели Дила-Гроува.
- •29. Термическое окисление кремния. Константы линейного и параболического роста.
- •30. Особенности строения пленок оксида кремния. Вязкое течение SiO2.
- •31. Основные этапы численного моделирования процесса окисления. Модель Массуда для начального этапа процесса окисления.
- •32. Моделирование окисления в присутствии маски. Аналитическая модель.
- •33. Моделирование окисления в присутствии маски. Граничные условия.
- •35. Моделирование процесса диффузии в присутствии подвижных границ.
- •36. Моделирование сегрегации примеси.
- •38. Алгоритм струны в моделировании травления и осаждения слоев.
- •39. Расчет процесса травления для заданного показателя анизотропии.
- •40. Моделирование осаждения для различных типов источников частиц.
- •41. Модель баллистического осаждения.
- •42. Моделирование процесса литографии. Основные этапы численного моделирования.
- •43. Расчет изображения на поверхности фоторезиста.
- •44. Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста.
- •45. Моделирование процесса проявления.
- •46. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Дрейфово-диффузионное приближение.
- •47. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Термодинамическая и гидродинамическая модели.
- •48. Дискретизация базовых уравнение. Методы построения сетки.
- •49. Проблемы устойчивости и сходимости численного решения. Коэффициент усиления ошибки.
- •50. Оценка качества сетки.
47. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Термодинамическая и гидродинамическая модели.
Термодинамическая: в уравнения для плотностей токов добавляется градиент темп.
Уравнение Пуассона: ( – электростатический потенциал)
Уравнения непрерывности: и
Плотности токов:
(
– термоэдс)
+
добавляется уравнение теплопроводности:
+
+
+
)
С
– теплоемкости решетки,
– коэффициент теплопроводности, права
часть описывает источник тепла.
Гидродинамическая: (модель энергетического баланса, наряду с методом Монте-Карло используется при масштабирования глубоко в субмикронную область, где диф-др. и термодинамическая модели перестают корректно работать)
Уравнения Пуассона и непрерывности остаются теми же. Добавляются уравнения энергетического баланса:
;
;
W – плотности энергии, S – потоки энергии (зависят от температуры) , индекс L – для решетки.
48. Дискретизация базовых уравнение. Методы построения сетки.
Этапы численного решения: 1) вся геометрическая область, представляющая исследуемую структуру, должна быть разделена на конечное число подобластей, решение в которых может быть наиболее легко получено с требуемой точностью; 2) в каждой из подобластей дифференциальные уравнения должны быть аппроксимированы алгебраическими уравнениями, которые включают только дискретные значения непрерывных переменных, входящих в систему дифференциальных уравнений; 3) должна быть решена, как правило, очень большая система нелинейных алгебраических уравнений, в которых неизвестные величины представляют собой аппроксимации непрерывных переменных в дискретных точках структуры.
Основные алгоритмы дискретизации:
Метод конечных разностей (МКР): Метод конечных элементов (МКЭ):
Значение
функции внутри элемента:
для треугольника ua(x,y) = a0 + a1x + a2y;
для прямоугольника ua(x,y) = a0 + a1x + a2y + a3xy
Метод триангуляции Делоне.
М
ногогранник
Дирихле: Разбиение
Дирихле:
Основан на разбиение Дирихле: {pi} – набор точек на плоскости, i = 1, n. Ячейка Дирихле Ωi= {p: ||p- pi ||< ||p- pj ||, для всех j i}. Ячейка Дирихле Ωi есть множество всех точек плоскости, которые лежат ближе к точке pi, чем к любой другой точке pj. Можно определить также как пересечение полуплоскостей. Подобное множество ячеек называется разбиением Дирихле; оно полностью покрывает плоскость без наложений.
Пусть две точки сетки называются соседними в смысле Дирихле тогда и только тогда, когда они имеют общую грань ненулевой длины многоугольника (ячейки) Дирихле.
Е
сли
соединить все соседние в смысле Дирихле
точки отрезками прямых линий, то получим
разбиение (триангуляцию) Делоне.
Соответствующие линии построений
Дирихле и Делоне взаимно ортогональны.
Если четыре или более точек лежат на
одной окружности, то они могут быть
триангулированы произвольным образом.