
- •1. Цель и задачи курса. Роль приборно-технологического моделирования в проектировании интегральных микросхем.
- •2. Типы и функциональный состав моделей технологических операций.
- •3. Ионная имплантация, механизмы торможения ионов.
- •4. Ионная имплантация, теория лшш.
- •5. Ионная имплантация, диффузионная модель Бирсака.
- •5. Эффект каналирования.
- •7. Системы координат при моделировании ионной имплантации.
- •8. Принцип суперпозиции при расчете функций распределения примеси.
- •9. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Функции Гаусса.
- •10. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Распределения Пирсона-IV.
- •11. Аналитические аппроксимации распределения ионов, учитывающие эффект каналирования.
- •12. Особенности моделирования ионной имплантации в многослойных мишенях.
- •13. Механизмы диффузии, парная диффузия примесь-вакансия.
- •1 4. Уравнения диффузии примеси, макроскопическое и микроскопическое определение коэффициентов диффузии.
- •15. Расчет коэффициента диффузии для моновакансионного механизма.
- •16. Коэффициент диффузии с учетом различных зарядовых состояний.
- •17. Модель связанной диффузии, основные уравнения.
- •18. Модель связанной диффузии, учет протекающих реакций.
- •19. Модель связанной диффузии, уравнения непрерывности.
- •20. Граничные и начальные условия в моделировании диффузии.
- •21. Кластеры и преципитаты.
- •22. Особенности диффузии Бора.
- •23. Особенности диффузии донорных примесей.
- •24. Совместная диффузия примесей.
- •26. Особенности моделирования диффузии в поликристаллическом кремнии.
- •27. Термическое окисление кремния. Модель Дила-Гроува.
- •28. Допущения при выводе модели Дила-Гроува.
- •29. Термическое окисление кремния. Константы линейного и параболического роста.
- •30. Особенности строения пленок оксида кремния. Вязкое течение SiO2.
- •31. Основные этапы численного моделирования процесса окисления. Модель Массуда для начального этапа процесса окисления.
- •32. Моделирование окисления в присутствии маски. Аналитическая модель.
- •33. Моделирование окисления в присутствии маски. Граничные условия.
- •35. Моделирование процесса диффузии в присутствии подвижных границ.
- •36. Моделирование сегрегации примеси.
- •38. Алгоритм струны в моделировании травления и осаждения слоев.
- •39. Расчет процесса травления для заданного показателя анизотропии.
- •40. Моделирование осаждения для различных типов источников частиц.
- •41. Модель баллистического осаждения.
- •42. Моделирование процесса литографии. Основные этапы численного моделирования.
- •43. Расчет изображения на поверхности фоторезиста.
- •44. Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста.
- •45. Моделирование процесса проявления.
- •46. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Дрейфово-диффузионное приближение.
- •47. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Термодинамическая и гидродинамическая модели.
- •48. Дискретизация базовых уравнение. Методы построения сетки.
- •49. Проблемы устойчивости и сходимости численного решения. Коэффициент усиления ошибки.
- •50. Оценка качества сетки.
38. Алгоритм струны в моделировании травления и осаждения слоев.
В модели струны граница между внешней средой и обрабатываемой поверхностью, а также между обработанной и необработанной областями аппроксимируется набором точек, соединенных между собой прямыми отрезками. Прямые отрезки представляют собой сегменты струны, а набор точек, расположенных на границе раздела, - это точки закрепления струны. Результирующий профиль обработанной поверхности определяется положением первоначального профиля, который двигается через среду с учетом того, что скорость распространения в каждой точке является функцией локальных переменных. В каждый текущий момент времени t определяется локальная скорость травления/осаждения в точках закрепления струны;
- по значению локальной скорости рассчитывается перемещение точки за временной шаг Δ t;
- после перемещения точки вновь соединяются прямыми отрезками – сегментами струны, которые составляют рез-ее положение фронта травления/осаждения в момент времени t+ Δ t.
Схема расчета элементарных продвижений точек закрепленния струны:
Направление перемещения определяется биссектрисой угла, образованного нормалями к двум соседним отрезкам. Для изотропного травления: di = V0 ∙ Δ t. Для анизотропного: d = Vn∙cos[(θ1 + θ2)/2] Δ t . Если механизм травления имеет одновременно и изотропную, и анизотропную составляющие, то перемещения могут быть рассчитаны для двух механизмов независимо. Результирующее перемещение находится как сумма двух векторов.
39. Расчет процесса травления для заданного показателя анизотропии.
V
0
= VX
и (Vn
+ V0
)/ V0
= 3,
следовательно Vn =2VX
d1-3 = V0 ∙ Δt + Vn∙cos[(θ1 + θ2)/2] Δt =
= V0 ∙ Δt + 2V0∙cos[(60°+ 60°)/2] Δt = 2 V0 ∙ Δt
d4 = V0 ∙ Δt +2V0∙cos[(60°+0°)/2] Δt = (1+√3) V0 ∙ Δt
d5-7 = V0 ∙ Δt + 2V0∙cos(0°) Δt = 3 V0 ∙ Δt
40. Моделирование осаждения для различных типов источников частиц.
Процесс осаждения моделируется противоположно травлению. Для расчета движения фронта в обратном направлении можно использовать алгоритм травления методом продвижения струны с отрицательной скоростью травления
С
ледует
учитывать особенности процесса, связанные
с разными типами источников осаждаемого
материала. Аппроксимации, описывающие
поступление осаждаемых частиц на
подложку: 1) однородный однонаправленный
поток; 2) однородный двунаправленный
поток; 3) распределенный полусферический
поток.
1
3
2
1) для однородного однонаправленного потока: R(x,y) = C sinα i + C cosα j, α – угол между направлением потока и нормалью к поверхности подложки, i и j – единичные вектора, задающие направления X и Y, соответственно
2) для однородного двунаправленного потока, характеризуемого углами α1 и α2:
R(x,y) = C (sinα1 + sinα2) i + C (cosα1 + cosα2) j
3) для распределенного сферического потока: R(x,y) = C (cosα1 - cosα2) i + C (sinα2 - sinα1) j,
где α1 и α2 – нижний и верхний пределы углов падения потока частиц.