
- •1. Цель и задачи курса. Роль приборно-технологического моделирования в проектировании интегральных микросхем.
- •2. Типы и функциональный состав моделей технологических операций.
- •3. Ионная имплантация, механизмы торможения ионов.
- •4. Ионная имплантация, теория лшш.
- •5. Ионная имплантация, диффузионная модель Бирсака.
- •5. Эффект каналирования.
- •7. Системы координат при моделировании ионной имплантации.
- •8. Принцип суперпозиции при расчете функций распределения примеси.
- •9. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Функции Гаусса.
- •10. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Распределения Пирсона-IV.
- •11. Аналитические аппроксимации распределения ионов, учитывающие эффект каналирования.
- •12. Особенности моделирования ионной имплантации в многослойных мишенях.
- •13. Механизмы диффузии, парная диффузия примесь-вакансия.
- •1 4. Уравнения диффузии примеси, макроскопическое и микроскопическое определение коэффициентов диффузии.
- •15. Расчет коэффициента диффузии для моновакансионного механизма.
- •16. Коэффициент диффузии с учетом различных зарядовых состояний.
- •17. Модель связанной диффузии, основные уравнения.
- •18. Модель связанной диффузии, учет протекающих реакций.
- •19. Модель связанной диффузии, уравнения непрерывности.
- •20. Граничные и начальные условия в моделировании диффузии.
- •21. Кластеры и преципитаты.
- •22. Особенности диффузии Бора.
- •23. Особенности диффузии донорных примесей.
- •24. Совместная диффузия примесей.
- •26. Особенности моделирования диффузии в поликристаллическом кремнии.
- •27. Термическое окисление кремния. Модель Дила-Гроува.
- •28. Допущения при выводе модели Дила-Гроува.
- •29. Термическое окисление кремния. Константы линейного и параболического роста.
- •30. Особенности строения пленок оксида кремния. Вязкое течение SiO2.
- •31. Основные этапы численного моделирования процесса окисления. Модель Массуда для начального этапа процесса окисления.
- •32. Моделирование окисления в присутствии маски. Аналитическая модель.
- •33. Моделирование окисления в присутствии маски. Граничные условия.
- •35. Моделирование процесса диффузии в присутствии подвижных границ.
- •36. Моделирование сегрегации примеси.
- •38. Алгоритм струны в моделировании травления и осаждения слоев.
- •39. Расчет процесса травления для заданного показателя анизотропии.
- •40. Моделирование осаждения для различных типов источников частиц.
- •41. Модель баллистического осаждения.
- •42. Моделирование процесса литографии. Основные этапы численного моделирования.
- •43. Расчет изображения на поверхности фоторезиста.
- •44. Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста.
- •45. Моделирование процесса проявления.
- •46. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Дрейфово-диффузионное приближение.
- •47. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Термодинамическая и гидродинамическая модели.
- •48. Дискретизация базовых уравнение. Методы построения сетки.
- •49. Проблемы устойчивости и сходимости численного решения. Коэффициент усиления ошибки.
- •50. Оценка качества сетки.
35. Моделирование процесса диффузии в присутствии подвижных границ.
Решение уравнения диффузии в присутствии движущихся границ:
Е
сли
границы раздела неподвижны, то процесс
диффузии описывается первым законом
Фика и уравнением непрерывности.
Z – зарядовое состояние иона примеси, μ – подвижность примеси, NI – концентрация электрически активной примеси, E – напряженность электрического поля.
П
усть
v
- скорость
движения
границы, тогда уравнение непрерывности
будет иметь вид:
Откуда (при ) получаем:
Диффузионный поток заменяется суммой диффузионного потока и конвективного потока. При окислении и силицидизации конвективный поток может доминировать
36. Моделирование сегрегации примеси.
С
егрегация
примеси:
Равновесный коэффициент сегрегации –
это отношение равновесных растворимостей
примеси при данной температуре в кремнии
и окисле
Для бора m0 = 0.1 – 0.3 (бор поглощается окислом); для донорных примесей m0 > 10 (донорная примесь выталкивается из окисла в кремний).
В
о
время роста окисла это соотношение
нарушается. Появляется сеграгационный
поток Js:
,
где - константа скорости химической
реакции сегрегации, b=0.44
– коэффициент поглощения кремния
окислом, vOX
– скорость роста окисла. Эффективный
коэффициент сегрегации в процессе роста
окисла, считая, что поток примеси в
окисле пренебрежимо мал:
?37. Моделирование процесса силицидизации.
Если силицидообразующий металл и кремний контактируют во время высокотемпературного отжига, идет образования нового слоя – слоя силицида. К таким металлам относятся Ti, Ta, Co, W, Pt, Mo. Взаимодействовать эти металлы могут с кремнием, поликремнием и кремний - германиевыми слоями SiGe. В отличии от окисления: 1) в процессе силицидизации участвуют три: кремний, силицид и силицидообразующий металл; 2) При силицидизации кремний является активно диффундирующей компонентой, также, как и металл, и подвижных границ в этой задаче уже не две, а три.
Параметрическая модель (исп-ся когда высокая точность не обязательна): суть модели - введение нового слоя силицида в местах протекания реакции металл – кремний.
Рост силицида не моделируется, а сразу устанавливается его конечная толщина, оцениваемая по модифицированному уравнению Дила – Гроува. Толщина металла остается неизменной, слой силицида углубляется в кремний.
Расчет составляющих роста силицида: Граничные условия: 1) для частиц кремния на границе кремний – силицид реакция растворения, на границе силицид - металл - химическая реакция образования силицида; 2) для частиц металла – реакции растворения и образования силицида меняются местами (границами).
Используется
уравнение непрерывности при условии
движущихся границ, включающее сумму
диффузионного и конвективного потоков:
Расчет процесса силицидизации при условии диффузии кремния:
Обратимая реакция растворения Si на границе Si- TiSi2: SiSi = SiTiSi2
R
f
и Rg
– диффузионный поток и поток химической
реакции на границе Si
– TiSi2,
CSi
–концентрация Si
в TiSi2,
Cstar
– равновесная концентрация Si
на границе раздела Si-TiSi2,
Kf
– коэффициент массопереноса, Beta
= 1 (по умолчанию)
Движение
границы Si-TiSi2: Растворение
каждого атома Si
приводит к изменению объема Si:
где Density.Grow
= 5x1022
см-3.
Диффузия
Si
через слой силицида:
где Dstar
– коэффициент диффузии Si
в TiSi2
.
Химическая
реакция образования силицида (необратимая):
R f и Rg – диффузионный поток и поток химической реакции на границе Ti – TiSi2, CSi –концентрация Si в TiSi2, Cstar – равновесная концентрация Si на границе раздела Ti-TiSi2, Kf – коэффициент массопереноса, Beta = 0.5
Изменение
объема Ti
и TiSi2:
где Expansion.Ratio
= 2.42; Density.Grow
= 2.34x1022
см-3