
- •1. Цель и задачи курса. Роль приборно-технологического моделирования в проектировании интегральных микросхем.
- •2. Типы и функциональный состав моделей технологических операций.
- •3. Ионная имплантация, механизмы торможения ионов.
- •4. Ионная имплантация, теория лшш.
- •5. Ионная имплантация, диффузионная модель Бирсака.
- •5. Эффект каналирования.
- •7. Системы координат при моделировании ионной имплантации.
- •8. Принцип суперпозиции при расчете функций распределения примеси.
- •9. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Функции Гаусса.
- •10. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Распределения Пирсона-IV.
- •11. Аналитические аппроксимации распределения ионов, учитывающие эффект каналирования.
- •12. Особенности моделирования ионной имплантации в многослойных мишенях.
- •13. Механизмы диффузии, парная диффузия примесь-вакансия.
- •1 4. Уравнения диффузии примеси, макроскопическое и микроскопическое определение коэффициентов диффузии.
- •15. Расчет коэффициента диффузии для моновакансионного механизма.
- •16. Коэффициент диффузии с учетом различных зарядовых состояний.
- •17. Модель связанной диффузии, основные уравнения.
- •18. Модель связанной диффузии, учет протекающих реакций.
- •19. Модель связанной диффузии, уравнения непрерывности.
- •20. Граничные и начальные условия в моделировании диффузии.
- •21. Кластеры и преципитаты.
- •22. Особенности диффузии Бора.
- •23. Особенности диффузии донорных примесей.
- •24. Совместная диффузия примесей.
- •26. Особенности моделирования диффузии в поликристаллическом кремнии.
- •27. Термическое окисление кремния. Модель Дила-Гроува.
- •28. Допущения при выводе модели Дила-Гроува.
- •29. Термическое окисление кремния. Константы линейного и параболического роста.
- •30. Особенности строения пленок оксида кремния. Вязкое течение SiO2.
- •31. Основные этапы численного моделирования процесса окисления. Модель Массуда для начального этапа процесса окисления.
- •32. Моделирование окисления в присутствии маски. Аналитическая модель.
- •33. Моделирование окисления в присутствии маски. Граничные условия.
- •35. Моделирование процесса диффузии в присутствии подвижных границ.
- •36. Моделирование сегрегации примеси.
- •38. Алгоритм струны в моделировании травления и осаждения слоев.
- •39. Расчет процесса травления для заданного показателя анизотропии.
- •40. Моделирование осаждения для различных типов источников частиц.
- •41. Модель баллистического осаждения.
- •42. Моделирование процесса литографии. Основные этапы численного моделирования.
- •43. Расчет изображения на поверхности фоторезиста.
- •44. Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста.
- •45. Моделирование процесса проявления.
- •46. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Дрейфово-диффузионное приближение.
- •47. Базовые уравнения численного моделирования приборов. Термодинамическая и гидродинамическая модели.
- •48. Дискретизация базовых уравнение. Методы построения сетки.
- •49. Проблемы устойчивости и сходимости численного решения. Коэффициент усиления ошибки.
- •50. Оценка качества сетки.
31. Основные этапы численного моделирования процесса окисления. Модель Массуда для начального этапа процесса окисления.
Основные процессы, учитываемые при численном моделировании окисления: 1) химические реакции на границах раздела слоев, состоящие из растворения частиц; 2) реакции частиц с материалом слоя; 3) образование нового слоя; 4) сегрегация примеси на границах раздела слоев; 5) диффузия примеси; 6) экранирование потоков частиц слоями и границами раздела; 7) механическая деформация слоевой структуры как результат протекания химических реакций.
Расчет окислительного процесса: 1) решение уравнения растворения – диффузии – химической реакции для частиц окислителя, т.е. расчет процесса диффузии частиц окислителя с граничными условиями на границах раздела в виде уравнений химических реакций/растворения; 2) оценка скоростей образования и поглощения на границе раздела и определение граничных условий для расчета механических напряжений; 3) расчет механических напряжений; 4) вычисление граничных условий и решение уравнения диффузии примеси; 5) расчет изменения толщин слоев; 6) локальное обновление сетки в окрестности движущихся границ раздела, интерполяция концентраций, если необходимо, полное обновление сетки.
Модель
Массуда: позволяет
с более высокой точностью моделировать
ускоренный начальный этап окисления
за счет введения дополнительных
параметров С и L,
определяющих начальный этап роста
окисла:
.
В присутствии
N2O
(оксинитридизация) скорость роста
снижается:
32. Моделирование окисления в присутствии маски. Аналитическая модель.
L(y,t) – одномерная толщина окисла в любой точке y, L0 – начальная толщина буферного слоя, L(t) – толщина окисла вне нитридной маски, определяемая по закону Дила – Гроува, γ – параметр бокового распространения окисла под маской.
33. Моделирование окисления в присутствии маски. Граничные условия.
S1:скорость движения границы Si – SiO2 пропорциональна потоку окислителя F: V=(1-b)F/N
где b = 0.44 – отношение объема кремния, перешедшего в окисел, к объему окисла (коэффициент поглощения кремния окислом), N – число молекул окислителя в единице объема окисла.
S2: граница окисла как вязкой жидкости определяется поверхностным натяжением, т.е. разностью давлений внутри и вне (рАТМ) жидкости: p – pАТМ = - γ/R,
где γ – коэффициент поверхностного натяжения, R – локальный радиус кривизны поверхности.
S
3:
под маской
жидкость не проскальзывает, а прилипает,
что выражается условием
t
- единичный
вектор, касательный к поверхности
S4, S5: на линиях симметрии структуры перемещение и давление равны нулю
n - единичный вектор нормали к поверхности
?34. Моделирование окисления в присутствии маски. Численные модели с учетом вязкоупругих свойств.
К
ремний,
по умолчанию, считается упругим
материалом. Диоксид и нитрид кремния
рассматриваются как вязкоупругие
материалы. Вязкая
модель. При
температурах окисления выше 950˚С окисел
можно рассматривать как вязкую жидкость.
Тогда движение его границ определяется
процессом вязкого течения согласно
уравнению:
где
- плотность и вязкость стекла, v –
скорость движения элементов, p – давление,
f – грав. сила. Большая вязкость и
относительно малая скорость роста (v<
1 нм/с) позволяют пренебречь в этом
уравнении грав. и ускоряющим членами.
Тогда имеем уравнение Навье – Стокса,
где вязкая сила урав-ся градиентом
давления
. В
предположении, что окисел можно считать
несжимаемой жидкостью, то уравнение
непрерывности потока для вязкого течения
несжимаемой жидкости имеет вид
. Если окисел
нельзя считать несжимаемым, необходимо
задать соотношение между давлением и
плотностью окисла. Вязкоупругая
модель. Если
принимать во внимание упругопластичные
свойства окисла и рассматривать его
при температуре окисления как сжимаемую
жидкость, то необходимо учитывать
уравнение, описывающее соотношение
между давлением и плотностью, а также
рассчитывать механические напряжения
в структуре. В этой модели принимается
линейная зависимость между механическим
напряжением и тензором деформаций в
окисле. Причины возникновения механических
напряжений: рост материала; уплотнение
материала; различие коэффициентов
термического расширения у различных
материалов; изменение параметров
кристаллической решетки кремния в
присутствии германия или углерода.