
- •Лабораторная работа № 1 Исследование работы полупроводникового диода
- •Лабораторная работа №2 Исследование работы полупроводникового стабилитрона
- •После проверки схемы преподавателем подать питание на стенд. Показания тока и напряжения записать в таблицу 2.1.
- •Лабораторная работа № 3 Исследование работы тиристора
- •Лабораторная работа № 4 Исследование работы биполярного транзистора
- •Лабораторная работа № 5 Исследование работы выпрямителя и сглаживающего фильтра
- •Лабораторная работа № 6 Исследование работы логических элементов
- •Лабораторная работа № 6 Исследование работы логических элементов
- •Лабораторная работа № 7 Исследование работы rs-триггеров
- •Лабораторная работа № 8 Исследование работы счетчиков
- •Лабораторная работа № 9 Исследование работы регистра
- •Лабораторная работа № 10 Исследование работы мультиплексора и дешифратора
Лабораторная работа № 4 Исследование работы биполярного транзистора
Цель: снятие входных и выходных характеристик транзистора
Оборудование: лабораторный стенд 87Л-01, транзистор КТ361
Порядок выполнения работы:
Собрать схему для снятия входной характеристики транзистора рисунок 4.1:
Рисунок 4.1
Снять входную характеристику Iб=f(Uб), для этого установить напряжение на коллекторе постоянное минимальное (ручка ГН2 в крайнем левом положении), изменяя Iб измерить Uбэ, результаты занести в таблицу 4.1
Собрать схему для снятия выходных характеристик транзистора, рисунок 4.2:
Рисунок 4.2
Снять входную характеристику Iк=f(Uкэ), для этого установить постоянный Iб, изменять Uкэ, замерить Iк. Результаты занести в таблицу 4.2
По полученным данным построить входные Iб=(Uбэ) при Uк=const (рисунок 4.3) и выходные характеристики Iк=f(Uкэ) при Iб=const (рисунок 4.4)
Таблица 4.1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uк=1,6 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uб,мВ |
Iб,мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
50 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
150 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
200 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
250 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
300 |
Рисунок 4.3 Входная характеристика транзистора
Таблица 4.2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iб=0,02мА |
Iб=0,3 мА |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uк,В |
Iк,мА |
Uк,В |
Iк,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
15 |
|
15 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
12 |
|
12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8 |
|
8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 |
|
6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рисунок 4.4 Выходная характеристика транзистора
Выводы:
______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Вопросы к защите:
1) Транзистор: определение, типы, УГО
2) Работа транзистора в режиме переключения
3) Работа транзистора в режиме усиления
4) Характеристики транзистора: входные, выходные, совмещенные