
- •Основы электроники Учебное пособие
- •Предисловие
- •Оглавление
- •Введение
- •Полупроводниковые приборы
- •1.1 Электропроводность радиоматериалов
- •1.2 Кристаллическое строение и зонная структура полупроводников
- •1.3 Электропроводность собственных полупроводников
- •1.4 Электропроводность примесных полупроводников
- •1.5 Токи в полупроводниках
- •1.6 Неравновесное состояние полупроводников
- •1.7 Фундаментальная система уравнений для полупроводников
- •1.8 Электронно-дырочные переходы
- •1.9 Полупроводниковые диоды
- •1.11 Полевые транзисторы
- •1.12 Биполярные транзисторы
- •1.13 Свойства и применение транзисторов
- •1.14 Цифровые ключи на транзисторах
- •1.15 Тиристоры
- •1.16 Приборы силовой электроники
- •1.17 Фотоэлектрические и излучающие приборы
- •Контрольные вопросы к разделу 1 Полупроводниковые приборы
- •2 Элементы и узлы аналоговых устройств
- •2.1 Классификация аналоговых устройств
- •2.2 Усилители
- •2.3 Интегральные операционные усилители
- •2.4 Обратная связь в усилителях
- •2.5 Функциональные узлы на основе оу
- •2.6 Электронные регуляторы и аналоговые ключи
- •Контрольные вопросы к разделу 2 Элементы и узлы аналоговых устройств
- •3 Цифровые интегральные микросхемы
- •3.1 Общие сведения
- •3.2 Основы алгебры логики
- •3.3 Параметры цифровых интегральных микросхем
- •3.4 Семейства цифровых имс
- •3.5 Комбинационные устройства
- •3.6 Триггеры
- •3.7 Счетчики
- •3.8 Регистры
- •Контрольные вопросы к разделу 3 Элементы и узлы цифровых устройств
- •4 Микроэлектронные преобразователи сигналов
- •4.1 Классификация преобразователей
- •4.2 Аналоговые перемножители сигналов
- •4.3 Микроэлектронные компараторы и преобразователи уровня
- •4.4 Микроэлектронные выпрямители и стабилизаторы напряжения
- •4.5 Цифро-аналоговые преобразователи
- •4.6 Аналого-цифровые преобразователи
- •4.7 Импульсные и нелинейные устройства
- •Контрольные вопросы к разделу 4 Микроэлектронные преобразователи и генераторы импульсных сигналов
- •5 Большие и сверхбольшие интегральные схемы
- •5.1 Поколения микропроцессоров
- •5.2 Структуры микропроцессоров
- •5.3 Микроэвм
- •5.4 Запоминающие устройства
- •5.5 Оперативные запоминающиеся устройства
- •5.6 Постоянные запоминающие устройства
- •5.7 Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства
- •5.8 Цифроаналоговые преобразователи
- •5.9 Аналого-цифровые преобразователи
- •Большие и сверхбольшие интегральные схемы
- •6 Основы наноэлектроники
- •6.1 Физические основы наноэлектроники
- •6.2 Основные способы создания наноструктур
- •6.3 Квантовые наноструктуры: ямы, нити, точки
- •6.4 Нанодиоды
- •6.5 Нанотранзисторы
- •6.6 Оптоэлектронные приборы на наноструктурах
- •6.7 Квантово – точечные клеточные автоматы и беспроводная электронная логика
- •Контрольные вопросы к разделу 6 Основы Наноэлектроники
- •7 Приборы функциональной электроники
- •7.1 Введение в функциональную электронику
- •7.2 Приборы с зарядовой связью
- •7.3 Фотоприемные пзс
- •7.4 Кмоп – фотодиодные сбис
- •7.5 Акустоэлектронные приборы
- •7.6 Магнитоэлектронные приборы
- •Контрольные вопросы к разделу 7 Приборы функциональной электроники
- •Список литературы
- •Приложение a (обязательное) Перечень принятых обозначений
- •Приложение б (обязательное) Перечень принятых сокращений
- •Приложение в Задачи по основным темам курса «Электроника»
7.4 Кмоп – фотодиодные сбис
В настоящее время помимо соверщенствания ФПЗС проводятся интенсивные разработки КМОП – ФД с внутрикристальными схемами управления и обработки изображения.
Рассмотрим принцип работы КМОП – ФД СБИС. Фотоприемное устройство содержит матрицу активных фоточувствительных элементов (активных пикселов), схемы управления, аналоговые усилители считывания на выходе каждого столбца, АЦП и ряд других цифровых блоков, в соответствии с рисунком 7.3.
В таких матрицах схемы управления могут реализовывать произвольную координатную выборку сигналов, что значительно расширяет возможности фильтрации и обработки (в том числе параллельной) сигналов изображения. Задачи выделения окна интереса (ОИ), в котором расположена цель, и слежения за ней решаются путем считывания сигналов только требуемых элементов. А поскольку ОИ занимает небольшую часть кадра, скорость считывания, по сравнению с ФПЗС, в которых необходимо считывать весь кадр, может быть значительно увеличена.
Рисунок 7.3 – Структурная схема КМОП – ФД СБИС
Активный элемент образован фотодиодом (ФД) и четырьмя транзисторами, в соответствии с рисунком 7.4, которые выполняют функции считывания заряда, накопленного фотодиодом.
Рисунок 7.4 – Электрическая схема активного пиксела
На транзисторе VT3 выполнен истоковый повторитель, транзистор VT4 является элементом выборки строк. В режиме интегрирования сигналов изображения импульс R, подаваемый на транзистор VT2 равен 0. Фотодиод накапливает фотогенерируемые электроны. По мере их накопления потенциал диода уменьшается. В результате потенциал общего узла – соединения транзисторов VT1,VT2, VT3 оказывается плавающим. В режиме выборки на транзистор VT2 поступает импульс восстановления R = 1, транзистор VT2 открывается и потенциал плавающего узла восстанавливается до исходного уровня. Затем на все активные элементы выбранной строки подается импульс S1 = 1, который поступает на затвор транзистора VT1, открывая его. Накопленный фотодиодом сигнальный заряд передается на плавающий узел. После прихода импульса выборки строки RS = 1 открывается транзистор VT4. Транзисторы VT3, VT4 и общий нагрузочный транзистор столбца образуют истоковый повторитель, и на шину столбца поступает усиленный по мощности сигнал ФД. Коэффициент передачи по напряжению истокового повторителя близок к единице. На шины столбцов подаются считанные сигналы всех элементов выбранной строки. Дешифратор столбцов последовательно выбирает сигналы шин и передает их на схему аналоговой обработки сигналов отдельных активных элементов матрицы. После окончания режима считывания сигнал RS = 0 и транзистор VT4 закрывается. Начинается накопление зарядов следующего кадра изображения.
Основное достоинство КМОП – ФД в сравнении с ФПЗС - возможность интеграции на одном кристалле функций приема и обработки изображения (возможна реализация однокристальной камеры с цифровым выходом). Другим достоинством КМОП – ФД является низкая потребляемая мощность, возможность программирования интересующих пользователя окон и высокая скорость считывания данных. Основные недостатки – высокий шум, обусловленный тем, что активный элемент содержит несколько МОП – транзисторов и несколько шин, низкая фоточувствительность, более высокий темновой ток, большие размеры активного элемента, меньшая чем у ФПЗС разрешающая способность.
Для устранения шума процесса восстановления в КМОП – ФД было предложено заменить фотодиод фоточувствительным затвором, в потенциальной яме которого накапливаются фотогенерируемые сигнальные заряды, в соответствии с рисунком 7.5.
Рисунок 7.5 – Электрическая схема элемента
с совмещённым элементом
В режиме считывания на затвор транзистора VT1 подается отпирающий его импульс восстановления R1. Потенциал плавающего затвора восстанавливается до исходного уровня.
Потенциальный импульс передачи открывает дополнительный затвор, накопленный сигнальный заряд перетекает в плавающий узел, и потенциальная яма фоточувствительного затвора освобождается, Потенциал узла понижается на величину заряда. Такая схема позволяет выполнить двойную корреляционную выборку (ДКВ), которая практически и устраняет шум процесса восстановления. В этом случае после восстановления плавающего потенциального узла, на затвор транзистора VT3 передается открывающий его импульс выборки строки RS1. Начальное напряжение на затворе транзистора VT2 (в которое входит и шум восстановления) через истоковый повторитель передается на шину столбца и запоминается на её выходе. При поступлении на плавающий затвор сигнального заряда напряжение на транзисторе VT2 понижается на величину поступившего заряда, и это напряжение также передается на выход шины столбца. В результате выходной сигнал представляет собой разность значений напряжения транзистора VT2, что и позволяет устранить шум восстановления. Недостаток схемы с фоточувствительным затвором – снижение фоточувствительности из-за меньшей, в сравнении с фотодиодом прозрачности затвора.
Основные параметры ФПЗС и КМОП – ФД приведены в таблице 7.1.
Таблица 7.1 – Основные параметры ФПЗС и КМОП – ФД
Параметр |
ФПЗС |
КМОП-ФД |
Минимальный размер пиксела, мкм |
3-5 |
6-8 |
Максимальный формат, пикселов |
4080×4080 |
2000×2000 |
Минимальный шум считывания на частоте 10 МГц, число электронов |
8-10(Устройство для асторономических наблюдений и специального назначения), 20-25 (Устройства бытового и промышленного назначения) |
20-40 |
Темновой ток, нА/см2 |
0,01-1 |
2-5 |
Фактор заполнения, FF, % |
70-90 |
30-50 |
Потребляемая мощность при частоте 30 кадров/сек, мкВт/пиксел |
0,03-0,1 |
0,6-0,9 (для однокристальной камеры ) |
Неоднородность чувствительности, % |
2-3 |
3-5 |
Динамический диапазон, дБ |
60-70 |
50-60 (90, при логарифмическм выходе) |
П
Продолжение
таблицы 7.1 |
Отсутствует |
Реализуется |
Интеграция дополнительных функций на кристалле |
Простые аналоговые функции обрабоки |
Программируемые цифровые и аналоговые функции |
Внешние управляющие сигналы |
Источник питания на 5-12 В и 3-9 фазовых импульсов |
Источник питания на 2,5-5 В и одного синхроимпульса |
Технология производства |
Специальная |
Отлаженная КМОП технология |
Реализация цифровой камеры |
ФПЗС, СБИС, управление и АЦП |
Однокристальные |
Предпочтительные области применения |
Научные, космические, медицинские системы |
Однокристальные бытовые (фото- и видео камеры), автомобильные охранные системы, видеотелефоны, СТЗ |