
- •Основы электроники Учебное пособие
- •Предисловие
- •Оглавление
- •Введение
- •Полупроводниковые приборы
- •1.1 Электропроводность радиоматериалов
- •1.2 Кристаллическое строение и зонная структура полупроводников
- •1.3 Электропроводность собственных полупроводников
- •1.4 Электропроводность примесных полупроводников
- •1.5 Токи в полупроводниках
- •1.6 Неравновесное состояние полупроводников
- •1.7 Фундаментальная система уравнений для полупроводников
- •1.8 Электронно-дырочные переходы
- •1.9 Полупроводниковые диоды
- •1.11 Полевые транзисторы
- •1.12 Биполярные транзисторы
- •1.13 Свойства и применение транзисторов
- •1.14 Цифровые ключи на транзисторах
- •1.15 Тиристоры
- •1.16 Приборы силовой электроники
- •1.17 Фотоэлектрические и излучающие приборы
- •Контрольные вопросы к разделу 1 Полупроводниковые приборы
- •2 Элементы и узлы аналоговых устройств
- •2.1 Классификация аналоговых устройств
- •2.2 Усилители
- •2.3 Интегральные операционные усилители
- •2.4 Обратная связь в усилителях
- •2.5 Функциональные узлы на основе оу
- •2.6 Электронные регуляторы и аналоговые ключи
- •Контрольные вопросы к разделу 2 Элементы и узлы аналоговых устройств
- •3 Цифровые интегральные микросхемы
- •3.1 Общие сведения
- •3.2 Основы алгебры логики
- •3.3 Параметры цифровых интегральных микросхем
- •3.4 Семейства цифровых имс
- •3.5 Комбинационные устройства
- •3.6 Триггеры
- •3.7 Счетчики
- •3.8 Регистры
- •Контрольные вопросы к разделу 3 Элементы и узлы цифровых устройств
- •4 Микроэлектронные преобразователи сигналов
- •4.1 Классификация преобразователей
- •4.2 Аналоговые перемножители сигналов
- •4.3 Микроэлектронные компараторы и преобразователи уровня
- •4.4 Микроэлектронные выпрямители и стабилизаторы напряжения
- •4.5 Цифро-аналоговые преобразователи
- •4.6 Аналого-цифровые преобразователи
- •4.7 Импульсные и нелинейные устройства
- •Контрольные вопросы к разделу 4 Микроэлектронные преобразователи и генераторы импульсных сигналов
- •5 Большие и сверхбольшие интегральные схемы
- •5.1 Поколения микропроцессоров
- •5.2 Структуры микропроцессоров
- •5.3 Микроэвм
- •5.4 Запоминающие устройства
- •5.5 Оперативные запоминающиеся устройства
- •5.6 Постоянные запоминающие устройства
- •5.7 Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства
- •5.8 Цифроаналоговые преобразователи
- •5.9 Аналого-цифровые преобразователи
- •Большие и сверхбольшие интегральные схемы
- •6 Основы наноэлектроники
- •6.1 Физические основы наноэлектроники
- •6.2 Основные способы создания наноструктур
- •6.3 Квантовые наноструктуры: ямы, нити, точки
- •6.4 Нанодиоды
- •6.5 Нанотранзисторы
- •6.6 Оптоэлектронные приборы на наноструктурах
- •6.7 Квантово – точечные клеточные автоматы и беспроводная электронная логика
- •Контрольные вопросы к разделу 6 Основы Наноэлектроники
- •7 Приборы функциональной электроники
- •7.1 Введение в функциональную электронику
- •7.2 Приборы с зарядовой связью
- •7.3 Фотоприемные пзс
- •7.4 Кмоп – фотодиодные сбис
- •7.5 Акустоэлектронные приборы
- •7.6 Магнитоэлектронные приборы
- •Контрольные вопросы к разделу 7 Приборы функциональной электроники
- •Список литературы
- •Приложение a (обязательное) Перечень принятых обозначений
- •Приложение б (обязательное) Перечень принятых сокращений
- •Приложение в Задачи по основным темам курса «Электроника»
7.3 Фотоприемные пзс
Фоточувствительный прибор с зарядовой связью (ФПЗС) представляет собой фоточувствительную МДП ИМС с системой электродов, расположенных на поверхности диэлектрика так близко друг от друга, что существенным становится их взаимовлияние. Электрические поля соседних электродов перекрываются внутри кристалла полупроводника.
Электроды располагаются в виде линейки (строки) или матрицы. Типичные размеры электрода: длина 5 мкм, ширина 40 мкм. Зазоры между электродами (1÷2) мкм. Число электродов в матричном ФПЗС может превышать 106.
Функционально ФПЗС – это прибор, воспринимающий изображение, осуществляющий его разложение на элементарные фрагменты, сканирование (поэлементное электронное считывание) и формирование на выходе видеосигнала, адекватного изображению.
Принцип действия ФПЗС можно пояснить рассматривая классическую трехтактную схему управления, в соответствии с рисунком 7.2.
Рисунок 7.2 – Схема процессов электронной ячейки ФПЗС
Элементарная ячейка ФПЗС содержит три соседних электрода 1, 2, 3 одной строки. В течение первой фразы к электроду 2 прикладывается положительное напряжение хранения (UХР в пределах от 10 до 20 В).
Благодаря возникающему электрическому полю основные носители - дырки оттесняются в глубь полупроводника, а у поверхности образуется обедненный слой глубиной от 0,5 до 2 мкм, представляющий собой потенциальную яму для электронов. Освещение поверхности порождает в объеме полупроводника генерацию электронов и дырок. При этом электроны втягиваются в потенциальную яму и локализуются в тонком (около 10нм) приповерхностном слое. Накопление электронов ведет к образованию зарядового пакета, который определяется локальной интенсивностью и временем засветки. Зарядовый пакет может относительно долго (от 1 мс до 100 мс) сохраняться, однако постепенно термогенерация электронов объемными и поверхностными ловушками приводит к искажению хранимой информации.
Во время второй фазы к электроду 3 прикладывается напряжение считывания UСЧ, превышающее напряжение UХР. Вследствие близости электродов 2 и 3 барьер между ними исчезает и зарядовый пакет перетекает в более глубокую потенциальную яму. На этой фазе так происходит частичная потеря информации: часть электронов зарядового пакета рекомбинирует при взаимодействии с поверхностными ловушками, а часть пропадает вследствие неполного перетекания зарядов. Во время третьей фазы напряжение на электроде 3 уменьшается до напряжения хранения UХР, а с электрода 2 потенциал снимается. На электродах, к которым не приложено напряжение хранения или считывания все время поддерживается небольшое напряжение смещения. Электрод 1 в этом процессе играет роль буфера, иначе слева от электрода 2 оказался бы электрод 3 предыдущей ячейки, и во втором такте зарядовый пакет равновероятно мог перетекать как вправо, так и влево.
Управление ФПЗС желательно осуществлять не прямоугольными, а трапециидальными импульсами, подаваемыми на электроды с небольшим временным перекрытием. В конце каждой строки имеется элемент вывода, например n+ - область под последним электродом. Вытекающий через p – n переход зарядовый пакет создает на нагрузочном резисторе выходной сигнал.
Аналогичный элемент ввода в начале строки служит для потактного введения (электрическим путем) в ФПЗС фоновых постоянных зарядовых пакетов, призванных «забить» поверхностные ловушки и ослабить их негативное действие. Фоновые заряды обеспечивают оптимальный рабочий режим (аналогично смещению используемому в электронных усилительных зарядах).
Таким образом, в ФПЗС пространственное распределение интенсивности излучения преобразуется в рельеф электрических зарядов, локализующихся в приповерхностной области. Зарядовые пакеты перемещаются от элемента к элементу, выводятся наружу и дают последовательность видеоимпульсов, адекватную полю излучения, таким образом, осуществляется стандартный телевизионный алгоритм восприятия образца. В матричном ФПЗС весь кадр образуется одновременно, в линейном – последовательно путем дополнительной развертки по второй координате.