Контрольные вопросы к разделу 6 Основы Наноэлектроники

1. Дайте определение наноэлектронике.

2. Приведите примеры наноразмерных объектов.

3. Сформулируйте три основных направления развития нанотехнологий.

4. Поясните, что такое СТМ и АСМ.

5. Расскажите об основных тенденциях развития микро и наноэлектроники

6. Охарактеризуйте особенности квантово-механического поведения электронов в твердом теле.

7. Поясните, что означает понятие волновой функции.

8. Поясните, что скрывается за термином – «инженерия волновых функций».

9. Поясните, в чем суть явления размерного квантования.

10. Чем локализованные электроны отличаются от свободных?

11. Приведите примеры наноструктур.

12. Что такое – «двумерный электронный газ»?

13. Дайте характеристику понятия «потенциальная яма».

14. При каких условиях можно наблюдать эффекты размерного квантования.

15. Поясните, по каким характеристикам низкоразмерные структуры отличаются от объемных?

16. Поясните суть интерференционного магнитного эффекта Аарона-Бома.

17. Объясните, в чем отличие резонансного туннелирования от обычного тунелирования.

18. Поясните, какая наноструктура называется сверхрешеткой.

19. Поясните, в чем заключается квантовый эффект Холла?

20. Объясните суть концепции «снизу-вверх».

21. Поясните суть концепции «сверху-вниз».

22. Охарактеризуйте возможности современных технологий.

23. Дайте определение квантовой ямы и приведите основные способы ее конструирования.

24. Поясните, как образуется потенциальная яма в гетеропереходе.

25. Какие полупроводниковые материалы используются при создании гетеропереходов?

26. Перечислите наноэлектронные приборы, работающие на квантовых ямах.

27. Дайте определение квантовой нити и приведите основные способы ее конструирования.

28. Перечислите наноэлектронные приборы, работающие на квантовых нитях.

29. Дайте определение квантовой точки и приведите основные способы ее конструирования.

30. Перечислите наноэлектронные приборы, работающие на квантовых точках.

31. Поясните, что такое «искусственный атом».

32. Поясните суть явления «кулоновская блокада».

33. Поясните, что называется напряжением отсечки в квантовой точке.

34. Поясните принцип действия резонансного туннельного диода.

35. Поясните принцип действия лавинного фотодиода диода.

36. Поясните устройство и принцип действия кремниевого нанотранзистора.

37. В чем заключается технология КНД?

38. Поясните устройство и принцип действия ТМБ и ТПМ.

39. Поясните устройство и принцип действия резонасно-туннельного транзистора на квантовой точке.

40. Поясните принцип действия транзистора с высокой подвижностью носителей.

41. Поясните устройство и принцип действия транзисторов на горячих электронах.

42. Поясните принцип действия транзистора на горячих электронах с резонансным туннелированием.

43. Поясните, в чем заключается механизм баллистического переноса.

44. Поясните принцип действия приборов на основе баллистического транзистора.

45. Поясните устройство и принцип действия одноэлектронного транзистора.

46. Поясните в чем суть явления сотуннелирования.

47. Поясните, как можно реализовать ячейку памяти на основе одноэлектронного транзистора.

48. Поясните конструкцию одноэлектронного транзистора с двумя затворами на одной квантовой яме.

49. Поясните устройство и принцип работы лазеров с квантовыми ямами и точками.

50. Поясните преимущества лазеров на квантовых ямах перед обычными полупроводниковыми лазерами.

51. Поясните принцип работы оптических модуляторов с квантовыми ямами.

52. Поясните принцип действия фотоприемников на квантовых ямах.

53. Дайте определение квантово-точечных клеточных атомов.

54. Охарактеризуйте возможности создания беспроводных электронных элементов логики.