
- •Основы электроники Учебное пособие
- •Предисловие
- •Оглавление
- •Введение
- •Полупроводниковые приборы
- •1.1 Электропроводность радиоматериалов
- •1.2 Кристаллическое строение и зонная структура полупроводников
- •1.3 Электропроводность собственных полупроводников
- •1.4 Электропроводность примесных полупроводников
- •1.5 Токи в полупроводниках
- •1.6 Неравновесное состояние полупроводников
- •1.7 Фундаментальная система уравнений для полупроводников
- •1.8 Электронно-дырочные переходы
- •1.9 Полупроводниковые диоды
- •1.11 Полевые транзисторы
- •1.12 Биполярные транзисторы
- •1.13 Свойства и применение транзисторов
- •1.14 Цифровые ключи на транзисторах
- •1.15 Тиристоры
- •1.16 Приборы силовой электроники
- •1.17 Фотоэлектрические и излучающие приборы
- •Контрольные вопросы к разделу 1 Полупроводниковые приборы
- •2 Элементы и узлы аналоговых устройств
- •2.1 Классификация аналоговых устройств
- •2.2 Усилители
- •2.3 Интегральные операционные усилители
- •2.4 Обратная связь в усилителях
- •2.5 Функциональные узлы на основе оу
- •2.6 Электронные регуляторы и аналоговые ключи
- •Контрольные вопросы к разделу 2 Элементы и узлы аналоговых устройств
- •3 Цифровые интегральные микросхемы
- •3.1 Общие сведения
- •3.2 Основы алгебры логики
- •3.3 Параметры цифровых интегральных микросхем
- •3.4 Семейства цифровых имс
- •3.5 Комбинационные устройства
- •3.6 Триггеры
- •3.7 Счетчики
- •3.8 Регистры
- •Контрольные вопросы к разделу 3 Элементы и узлы цифровых устройств
- •4 Микроэлектронные преобразователи сигналов
- •4.1 Классификация преобразователей
- •4.2 Аналоговые перемножители сигналов
- •4.3 Микроэлектронные компараторы и преобразователи уровня
- •4.4 Микроэлектронные выпрямители и стабилизаторы напряжения
- •4.5 Цифро-аналоговые преобразователи
- •4.6 Аналого-цифровые преобразователи
- •4.7 Импульсные и нелинейные устройства
- •Контрольные вопросы к разделу 4 Микроэлектронные преобразователи и генераторы импульсных сигналов
- •5 Большие и сверхбольшие интегральные схемы
- •5.1 Поколения микропроцессоров
- •5.2 Структуры микропроцессоров
- •5.3 Микроэвм
- •5.4 Запоминающие устройства
- •5.5 Оперативные запоминающиеся устройства
- •5.6 Постоянные запоминающие устройства
- •5.7 Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства
- •5.8 Цифроаналоговые преобразователи
- •5.9 Аналого-цифровые преобразователи
- •Большие и сверхбольшие интегральные схемы
- •6 Основы наноэлектроники
- •6.1 Физические основы наноэлектроники
- •6.2 Основные способы создания наноструктур
- •6.3 Квантовые наноструктуры: ямы, нити, точки
- •6.4 Нанодиоды
- •6.5 Нанотранзисторы
- •6.6 Оптоэлектронные приборы на наноструктурах
- •6.7 Квантово – точечные клеточные автоматы и беспроводная электронная логика
- •Контрольные вопросы к разделу 6 Основы Наноэлектроники
- •7 Приборы функциональной электроники
- •7.1 Введение в функциональную электронику
- •7.2 Приборы с зарядовой связью
- •7.3 Фотоприемные пзс
- •7.4 Кмоп – фотодиодные сбис
- •7.5 Акустоэлектронные приборы
- •7.6 Магнитоэлектронные приборы
- •Контрольные вопросы к разделу 7 Приборы функциональной электроники
- •Список литературы
- •Приложение a (обязательное) Перечень принятых обозначений
- •Приложение б (обязательное) Перечень принятых сокращений
- •Приложение в Задачи по основным темам курса «Электроника»
2.4 Обратная связь в усилителях
На практике ОУ обычно используют с цепями обратной связи (ОС). Под ОС понимают полную или частичную передачу сигнала с выхода усилителя на его вход в соответствии с рисунком 2.19. Если сигнал ОС суммируется с входным сигналом – положительная ОС (ПОС), если вычитается из входного сигнала – отрицательная ОС (ООС).
В качестве цепей ОС используются пассивные цепи, коэффициенты преобразования и частотные характеристики которых существенно влияют на свойства усилителя.
Рисунок 2.19 – ОС в усилители
ООС широко используют в усилителях на основе ОУ.
В зависимости от способа получения сигнала ОС различают: ОС по напряжению, по току и комбинированную. В зависимости от способа введения сигнала ОС во входную цепь различают: последовательную, параллельную и комбинированную. Последовательную ООС по напряжению и параллельную по току выполняют в соответствии с рисунком 2.20.
Для количественной оценки ОС используют коэффициент β, который показывает, какая часть выходного сигнала поступает на вход усилителя.
Обратная связь оказывает влияние на все основные характеристики усилителя.
Коэффициент передачи усилителя, охваченного ООС, составит:
КU ОС = UВЫХ /UВХ,
где UВХ=U1ВХ + β∙ UВЫХ, U1ВХ – напряжение непосредственно на входе усилителя.
Учитывая, что коэффициент передачи усилителя без ОС равен КU=UВЫХ/U1ВХ получим
.
(2.62)
а) последовательная ООС по напряжению |
б) параллельная ООС по току |
Рисунок 2.20 – Виды ОС
Величина А=(1+ β∙КU) называется глубиной ОС.
Входное сопротивление для усилителя с последовательной ООС определится, как
RВХ ОС= UВХ /IВХ=(U’ВХ +β∙UВЫХ)/ IВХ=(U’ВХ +β∙КU ∙U’ВХ)/ IВХ
Учитывая, что U’ВХ= IВХ∙∙ RВХ , где RВХ – входное сопротивление усилителя без ОС получим
RВХ ОС= RВХ∙∙(1+ β∙КU). (2.63)
Входное сопротивление для усилителя с параллельной ООС
RВХ ОС= RВХ /(1+ β∙КU). (2.64)
Выходное сопротивление для усилителя с ООС по напряжению
RВЫХ ОС= RВЫХ /(1+ β∙КU), (2.65)
где RВЫХ ОС – выходное сопротивление усилителя без ОС.
Выходное сопротивление для усилителя с ООС по току
RВЫХ ОС= RВЫХ ∙(1+ β∙КU). (2.66)
Важными преимуществами ОУ с ООС являются: уменьшение в А раз частотных (в соответствии с рисунком 2.21) и нелинейных искажений, вносимых усилителем. Указанные свойства определяют широкое применение ОУ с ООС.
Рисунок 2.21 – АЧХ усилителя без ООС и с ООС
Если подавать UОС в фазе с напряжением генератора входного сигнала UВХ (т. е. подключать выход четырехполюсника КОС к неинвертирующему входу), то ОУ оказывается охваченным ПОС. В формуле для расчета KU ОС это отражается как изменение знака у KU ОС
КU ПОС = КU /(1-β∙КU). (2.67)
Из этой формулы видно, что ПОС способствует увеличению коэффициента усиления ОУ по сравнению с КU. Однако введение ПОС в усилителе сопровождается ухудшением стабильности (устойчивости) его режима, увеличением частотных и нелинейных искажений, уменьшением динамического диапазона уровней усиливаемых сигналов. Поэтому ПОС в усилителях используется редко.
При глубокой ПОС, если β∙КU >1, происходит самовозбуждение ОУ. Это явление, как полезное, широко используется в автогенераторах.