
- •Основы электроники Учебное пособие
- •Предисловие
- •Оглавление
- •Введение
- •Полупроводниковые приборы
- •1.1 Электропроводность радиоматериалов
- •1.2 Кристаллическое строение и зонная структура полупроводников
- •1.3 Электропроводность собственных полупроводников
- •1.4 Электропроводность примесных полупроводников
- •1.5 Токи в полупроводниках
- •1.6 Неравновесное состояние полупроводников
- •1.7 Фундаментальная система уравнений для полупроводников
- •1.8 Электронно-дырочные переходы
- •1.9 Полупроводниковые диоды
- •1.11 Полевые транзисторы
- •1.12 Биполярные транзисторы
- •1.13 Свойства и применение транзисторов
- •1.14 Цифровые ключи на транзисторах
- •1.15 Тиристоры
- •1.16 Приборы силовой электроники
- •1.17 Фотоэлектрические и излучающие приборы
- •Контрольные вопросы к разделу 1 Полупроводниковые приборы
- •2 Элементы и узлы аналоговых устройств
- •2.1 Классификация аналоговых устройств
- •2.2 Усилители
- •2.3 Интегральные операционные усилители
- •2.4 Обратная связь в усилителях
- •2.5 Функциональные узлы на основе оу
- •2.6 Электронные регуляторы и аналоговые ключи
- •Контрольные вопросы к разделу 2 Элементы и узлы аналоговых устройств
- •3 Цифровые интегральные микросхемы
- •3.1 Общие сведения
- •3.2 Основы алгебры логики
- •3.3 Параметры цифровых интегральных микросхем
- •3.4 Семейства цифровых имс
- •3.5 Комбинационные устройства
- •3.6 Триггеры
- •3.7 Счетчики
- •3.8 Регистры
- •Контрольные вопросы к разделу 3 Элементы и узлы цифровых устройств
- •4 Микроэлектронные преобразователи сигналов
- •4.1 Классификация преобразователей
- •4.2 Аналоговые перемножители сигналов
- •4.3 Микроэлектронные компараторы и преобразователи уровня
- •4.4 Микроэлектронные выпрямители и стабилизаторы напряжения
- •4.5 Цифро-аналоговые преобразователи
- •4.6 Аналого-цифровые преобразователи
- •4.7 Импульсные и нелинейные устройства
- •Контрольные вопросы к разделу 4 Микроэлектронные преобразователи и генераторы импульсных сигналов
- •5 Большие и сверхбольшие интегральные схемы
- •5.1 Поколения микропроцессоров
- •5.2 Структуры микропроцессоров
- •5.3 Микроэвм
- •5.4 Запоминающие устройства
- •5.5 Оперативные запоминающиеся устройства
- •5.6 Постоянные запоминающие устройства
- •5.7 Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства
- •5.8 Цифроаналоговые преобразователи
- •5.9 Аналого-цифровые преобразователи
- •Большие и сверхбольшие интегральные схемы
- •6 Основы наноэлектроники
- •6.1 Физические основы наноэлектроники
- •6.2 Основные способы создания наноструктур
- •6.3 Квантовые наноструктуры: ямы, нити, точки
- •6.4 Нанодиоды
- •6.5 Нанотранзисторы
- •6.6 Оптоэлектронные приборы на наноструктурах
- •6.7 Квантово – точечные клеточные автоматы и беспроводная электронная логика
- •Контрольные вопросы к разделу 6 Основы Наноэлектроники
- •7 Приборы функциональной электроники
- •7.1 Введение в функциональную электронику
- •7.2 Приборы с зарядовой связью
- •7.3 Фотоприемные пзс
- •7.4 Кмоп – фотодиодные сбис
- •7.5 Акустоэлектронные приборы
- •7.6 Магнитоэлектронные приборы
- •Контрольные вопросы к разделу 7 Приборы функциональной электроники
- •Список литературы
- •Приложение a (обязательное) Перечень принятых обозначений
- •Приложение б (обязательное) Перечень принятых сокращений
- •Приложение в Задачи по основным темам курса «Электроника»
Контрольные вопросы к разделу 1 Полупроводниковые приборы
Охарактеризуйте основные свойства проводников, полупроводников и диэлектриков.
Охарактеризуйте электропроводность полупроводников.
Что называется генерацией и рекомбинацией носителей заряда?
Как определить плотность тока в ПП?
Что называется подвижностью носителей заряда?
Дайте определение основным и неосновным носителям заряда.
Что называется донорной и акцепторной примесью?
Дайте определение дрейфового тока.
Дайте определение диффузионного тока.
Дайте определение общего тока в ПП.
Что называется временем жизни неравновесных носителей заряда?
Что называется диффузионной длиной?
Что называется p-n-переходом?
Поясните формирование p-n-перехода.
Поясните, какие составляющие токов наблюдаются в p-n-переходе?
Поясните причину образования контактной разности потенциалов p-n-перехода.
От чего зависит толщина p-n-перехода?
Какие носители заряда образуют p-n-переход?
Изобразите ВАХ p-n-перехода, объясните вид ВАХ.
Объясните свойства p-n-перехода при прямом включении.
Объясните свойства p-n-перехода при обратном включении.
Что называется электрическим пробоем p-n-перехода? Почему он происходит?
Что называется тепловым пробоем p-n-перехода? Почему он происходит?
Изобразите электрическую модель p-n-перехода. Поясните роль элементов модели.
Что называется барьерной емкостью p-n-перехода?
Что называется диффузионной емкостью p-n-перехода?
Что называется полупроводниковым диодом?
Что называется биполярным транзистором?
Изобразите схематическое устройство и условное графическое обозначение p-n-p транзистора.
Изобразите схематическое устройство и условное графическое обозначение n-p-n транзистора.
Дайте определение способам включения транзисторов с общей базой, с общим коллектором, общим эмиттером.
Изобразите устройство сплавного транзистора. Какие недостатки присущи такому транзистору?
Изобразите устройство планарного транзистора. Какие преимущества имеют такие транзисторы по сравнению со сплавными?
Поясните устройство планарного диффузионного транзистора.
Поясните устройство планарного эпитаксиального транзистора.
Изобразите и охарактеризуйте вид входных характеристик БТ.
Изобразите и охарактеризуйте вид выходных характеристик БТ.
Поясните принцип действия БТ.
Что называется коэффициентом передачи тока эмиттера ?
Что называется коэффициентом усиления тока базы ?
Как связаны между собой коэффициенты и ?
Приведите и охарактеризуйте уравнение токов транзистора.
Изобразите и охарактеризуйте формальную модель БТ, позволяющую определять H-параметры.
Что называется H-параметрами БТ?
Дайте определение H-параметров БТ?
Поясните, как определяются H-параметры по статическим характеристикам БТ?
Дайте определение полевым транзисторам (ПТ).
Изобразите устройство и поясните принцип действия ПТ с p-n-переходом.
Изобразите устройство и поясните принцип действия ПТ со структурой МДП.
Изобразите устройство и поясните принцип действия ПТ с барьером Шоттки.
Приведите условные графические обозначения ПТ разных типов и структур.
Приведите и охарактеризуйте вид передаточных характеристик ПТ.
Приведите и охарактеризуйте вид выходных характеристик ПТ.
Поясните, каким образом можно определить крутизну S по характеристикам ПТ?
Поясните, каким образом можно определить динамическое сопротивление по выходным характеристикам ПТ?
Охарактеризуйте основные справочные параметры ПТ.
Дайте определение Y-параметрам ПТ.
Поясните, как определяются Y-параметры ПТ?
Изобразите эквивалентную схему ПТ. Поясните роль всех элементов модели.
Охарактеризуйте эксплуатационные параметры биполярных транзисторов.
Охарактеризуйте эксплуатационные параметры полевых транзисторов.
Изобразите схему и поясните работу БТ в квазистатическом режиме.
Изобразите схему и поясните работу ПТ в квазистатическом режиме.
Охарактеризуйте усилительные свойства БТ при разных способах включения.
Охарактеризуйте усилительные свойства ПТ при разных способах включения.
Охарактеризуйте частотные свойства биполярных транзисторов.
Охарактеризуйте частотные свойства полевых транзисторов.
Охарактеризуйте шумовые свойства биполярных транзисторов.
Охарактеризуйте шумовые свойства полевых транзисторов.
Поясните работу цифрового ключа на БТ.
Поясните работу цифрового ключа на ПТ.
Поясните работу аналоговых ключей на БТ и ПТ.
Что называется тиристором?
Поясните устройство и принцип действия динистора.
Поясните устройство и принцип действия тринистора.
Что называется фотоэлектрическими приборами?
Поясните принцип действия светодиода.
Поясните принцип действия фотодиода.
Поясните принцип действия жидкокристаллического индикатора.