- •Основы электроники Учебное пособие
- •Предисловие
- •Оглавление
- •Введение
- •Полупроводниковые приборы
- •1.1 Электропроводность радиоматериалов
- •1.2 Кристаллическое строение и зонная структура полупроводников
- •1.3 Электропроводность собственных полупроводников
- •1.4 Электропроводность примесных полупроводников
- •1.5 Токи в полупроводниках
- •1.6 Неравновесное состояние полупроводников
- •1.7 Фундаментальная система уравнений для полупроводников
- •1.8 Электронно-дырочные переходы
- •1.9 Полупроводниковые диоды
- •1.11 Полевые транзисторы
- •1.12 Биполярные транзисторы
- •1.13 Свойства и применение транзисторов
- •1.14 Цифровые ключи на транзисторах
- •1.15 Тиристоры
- •1.16 Приборы силовой электроники
- •1.17 Фотоэлектрические и излучающие приборы
- •Контрольные вопросы к разделу 1 Полупроводниковые приборы
- •2 Элементы и узлы аналоговых устройств
- •2.1 Классификация аналоговых устройств
- •2.2 Усилители
- •2.3 Интегральные операционные усилители
- •2.4 Обратная связь в усилителях
- •2.5 Функциональные узлы на основе оу
- •2.6 Электронные регуляторы и аналоговые ключи
- •Контрольные вопросы к разделу 2 Элементы и узлы аналоговых устройств
- •3 Цифровые интегральные микросхемы
- •3.1 Общие сведения
- •3.2 Основы алгебры логики
- •3.3 Параметры цифровых интегральных микросхем
- •3.4 Семейства цифровых имс
- •3.5 Комбинационные устройства
- •3.6 Триггеры
- •3.7 Счетчики
- •3.8 Регистры
- •Контрольные вопросы к разделу 3 Элементы и узлы цифровых устройств
- •4 Микроэлектронные преобразователи сигналов
- •4.1 Классификация преобразователей
- •4.2 Аналоговые перемножители сигналов
- •4.3 Микроэлектронные компараторы и преобразователи уровня
- •4.4 Микроэлектронные выпрямители и стабилизаторы напряжения
- •4.5 Цифро-аналоговые преобразователи
- •4.6 Аналого-цифровые преобразователи
- •4.7 Импульсные и нелинейные устройства
- •Контрольные вопросы к разделу 4 Микроэлектронные преобразователи и генераторы импульсных сигналов
- •5 Большие и сверхбольшие интегральные схемы
- •5.1 Поколения микропроцессоров
- •5.2 Структуры микропроцессоров
- •5.3 Микроэвм
- •5.4 Запоминающие устройства
- •5.5 Оперативные запоминающиеся устройства
- •5.6 Постоянные запоминающие устройства
- •5.7 Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства
- •5.8 Цифроаналоговые преобразователи
- •5.9 Аналого-цифровые преобразователи
- •Большие и сверхбольшие интегральные схемы
- •6 Основы наноэлектроники
- •6.1 Физические основы наноэлектроники
- •6.2 Основные способы создания наноструктур
- •6.3 Квантовые наноструктуры: ямы, нити, точки
- •6.4 Нанодиоды
- •6.5 Нанотранзисторы
- •6.6 Оптоэлектронные приборы на наноструктурах
- •6.7 Квантово – точечные клеточные автоматы и беспроводная электронная логика
- •Контрольные вопросы к разделу 6 Основы Наноэлектроники
- •7 Приборы функциональной электроники
- •7.1 Введение в функциональную электронику
- •7.2 Приборы с зарядовой связью
- •7.3 Фотоприемные пзс
- •7.4 Кмоп – фотодиодные сбис
- •7.5 Акустоэлектронные приборы
- •7.6 Магнитоэлектронные приборы
- •Контрольные вопросы к разделу 7 Приборы функциональной электроники
- •Список литературы
- •Приложение a (обязательное) Перечень принятых обозначений
- •Приложение б (обязательное) Перечень принятых сокращений
- •Приложение в Задачи по основным темам курса «Электроника»
Федеральное агентство связи
Государственное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики»
А.Н. Игнатов
С.В. Калинин
В.Л. Савиных
Основы электроники Учебное пособие
Рекомендовано УМО по образованию
в области телекоммуникаций в качестве учебного пособия
для студентов, обучающихся по всем специальностям
направления 654400 - Телекоммуникации
Новосибирск
2005
УДК 621.385
Проф. Игнатов А.Н., доц. Вайспапир В.Я., доц. Калинин С.В., доц. Савиных В.Л. Основы электроники: Учебное пособие/СибГУТИ. – Новосибирск, 2005г. – 324с.
Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики,
параметры полупроводниковых электронных приборов, аналоговые и цифровые функциональные узлы электронной аппаратуры, большие и сверхбольшие интегральные микросхемы, основы наноэлектроники и функциональной электроники
Содержание пособия соответствует ГОС высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированных специалистов 654400 – «Телекоммуникации» и примерной рабочей программе курса «Электроника»
Для студентов всех форм обучения направления 654400 – «Телекоммуникации»
Иллюстраций – 228, таблиц – 43, библиография – 8 наименований
Кафедра технической электроники
Рецензенты: проф. Ю.М. Сподобаев, проф. Х.К. Арипов
Для студентов всех форм обучения
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве учебного пособия
© Сибирский государственный
университет телекоммуникаций
и информатики, 2005г.
Предисловие
Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальностям направления «Телекоммуникации». Оно соответствует требованиям государственного общеобразовательного стандарта высшего профессионального образования, и примерным программам курсов «Физические основы электротехники и электроника» и «Электроника».
Пособие написано на основе цикла лекций, читаемых авторами в СибГУТИ на кафедре «Техническая электроника» на протяжении ряда лет по указанным дисциплинам.
Пособие включает семь основных разделов, ориентированных на изучение студентами принципов и особенностей работы полупроводниковых приборов, элементов, функциональных узлов и устройств аналоговых и цифровых телекоммуникационных систем. Последние два раздела посвящены перспективным направлениям развития электроники: наноэлектронике и функциональной электронике.
Глава 1 написана совместно всеми авторами пособия. §1.1 – 1.8, 1.12 - доцентом Калининым С.В., §1.9 – доцентом Калининым С.В. и доцентом Савиных В.Л., §1.10 – доцентом Вайспапиром В.Я., §1.11, 1.13 – 1.18 – профессором Игнатовым А.Н. Главы 2, 3, 5 написаны профессором Игнатовым А.Н. и доцентом Савиных В.Л. Главы 4 и 7 – профессором Игнатовым А.Н. Глава 6 написана доцентом Калининым С.В. (§6.1 – 6.5) и профессором Игнатовым А.Н. (§6.6 – 6.8).
Авторы пособия выражают благодарность рецензентам: академику МАС, профессору ТУИТ Х. К. Арипову, профессору ПГАТИ Ю. М. Сподобаеву, доценту Брикману А.И. и доценту Фадеевой Н.Е. за полезные замечания и предложения, учтенные при подготовке рукописи к печати.