Пример расчета:

Дано

1. Определение основных параметров.

(3 5) - падение напряжения на VT1

Примерно 20% тока ответвляется в параллельные ветви.

2. Выбор транзисторов.

По справочнику выбираем транзистор с паспортными параметрами не хуже расчетных: [Лист 2, табл.2.2]

В качестве VT1 выбираем КТ 817 А с параметрами:

Выбор VT2

Следовательно транзистор VT2 нужен и его расчетный ток

В качестве VT2 выбираем KT 660 Б с параметрами:

Выбор VT3

Следовательно транзистор VT3 нужен и его расчетный ток

В качестве VT3 выбираем KT 373 Б с параметрами:

.

Выбор VT4

В качестве VT4 (VT_y) выбираем КТ 375 Б по принципу унификации, чтобы схема была более ремонтопригодна.

3. Выбор стабилитрона V1

Предварительно выбираем КС 482 А [Лист 2, табл. 2.1]

С параметрами:

Выбор R2

Округляем до ближайшего меньшего стандартного значения.

По ряду Е24 [Лист 1, табл.1.1] выбираем R₂=330

Проверка стабилитрона по току.

Условие выполняется

В качестве R₂ выбираем по ряду E24 резистор марки МЛТ-0,125 R₂=330 Ом [Лист 1, табл.1.2]

Выбор резисторов

Определим суммарное значение сопротивлений R₃ и R₅ из условия, что ток через нагрузку должен быть основным (примерно 90%).

0,6 В – падение напряжения на открытом p-n переходе эмиттер-база.

Округляем до ближайшего стандартного значения по ряду Е24. [Лист 1, табл.1.2].

R₅=56Ом

Принимаем R₃=11 Ом.

_{Выбираем R3,R5: [Лист 1, табл. 1.2].}

_{R3=11 Ом МЛТ-2,0}

R₅=56 Ом МЛТ-2,0

Выбор R6

В качестве R6 выбираем: [Лист 1, табл.1.2].

R6=0,1 МОм МЛТ-1,125

Выбор R6

В качестве R7 выбираем: [Лист 1, табл.1.2].

R7=10 МОм МЛТ-1,0

Выбор R1

_{Выбираем ближайшее стандартное значение по ряду Е24: [Лист 1, табл.1.2]}

_{В качестве R1 выбираем:}

_{R1=1,3 кОм МЛТ-0,125.}

Назначение элементов стабилизатора.

_{С помощью падения напряжения на R1 от тока коллектора VT4 происходит изменение потенциала базы VT3. Т.о. изменяется величина токов базы составного транзистора и их Rк-э.}

_{R2 – задаёт ток стабилитрона и напряжение, т.е. выходит стабилитрон на рабочий участок ВАХ.}

_{R3,R4,R5 – сравнивающий делитель напряжения, задаёт UБЭ VT4, т.к. UБЭ VT4=UR5-UСТ, а UСТ≈const.}

_{R6,R7 – «подпор по току» базы транзисторов. Если бы их не было(разрыв), то при одновременном увеличении температуры и падении тока нагрузки, обратный ток базы возрастёт из-за увеличения концентрации неосновных носителей при увеличении температуры. Прямой ток базы уменьшится при снижении тока нагрузки. Т.к. знаки прямого и обратного токов базы противоположны, результирующий ток базы может стать равным нулю. При этом транзистор закроется, произойдет срыв режима стабилизации. Чтобы этого избежать вводят R6 и R7. Через них в базы транзисторов VT2 и VT3 будет добавляться небольшой ток, примерно равный паспортному обратному току этих транзисторов.}

_{(VT1,VT2,VT3) – составной регулирующий транзистор. При изменении величины потенциала базы VT3 будут изменяться токи в базах VT1,VT2,VT3. Это приведёт к изменению сопротивления между эмиттером и коллектором VT1. При этом будет изменяться UК-Э VT1, поддерживая UВЫХ примерно постоянным.}

_{VT4(VTy) – управляющий транзистор, при изменении напряжения на нагрузке изменяет ток базы регулирующего транзистора, т.о. «заставляет» его менять своё сопротивление.}

_{V1 – стабилитрон поддерживает напряжение между катодом и анодом постоянным, чтобы при изменении напряжения на нагрузке менялось напряжение UБЭ управляющего транзистора.}