- •Харківський національний універсистет радіоелектроніки
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
- •Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
Харківський національний університет радіоелектроніки ім. М.К. Янгеля
Факультет електронної техніки
Кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв
КВАЛІФІКАЦІЙНИЙ ІСПИТ - БАКАЛАВР
за напрямом підготовки 0908 – «Електроніка»
Студент _________________________________________ гр.________
(прізвище, ім’я та по батькові)
Номер залікової книжки __________ Дата _____________
БІЛЕТ № 15
№ 15 |
Вопрос/задача |
Примечание |
1 |
Основы физики распыления материала, коэффициент катодного распыления. Классификация типов ионного распыления: режим линейных каскадов, режим тепловых пиков. |
|
2 |
Основные типы термоэлектронных катодов и их характеристики. Эмиссионная способность, эффективность и срок службы термоэлектронных катодов. |
|
3 |
α-частицы, ускоренные разностью потенциалов 1.5 кВ, влетают в область однородного магнитного поля с напряженностью 1.2 кА/м. Найти силу, действующую на частицы, если векторы скорости и магнитного поля ортогональны? |
|
Завідувач кафедри МЕЕПП Ю. О. ГОРДІЄНКО
проф., д. ф.-м. н.
Ведучий дисципліни МЕЕПП О. С. СОРОКА
доц., к. ф.-м. н.
Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
Харківський національний університет радіоелектроніки ім. М.К. Янгеля
Факультет електронної техніки
Кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв
КВАЛІФІКАЦІЙНИЙ ІСПИТ - БАКАЛАВР
за напрямом підготовки 0908 – «Електроніка»
Студент _________________________________________ гр.________
(прізвище, ім’я та по батькові)
Номер залікової книжки __________ Дата _____________
БІЛЕТ № 16
№ 16 |
Вопрос/задача |
Примечание |
1 |
Физические особенности автоэлектронных катодов. Автоэлектронный проектор Мюллера. Сканирующий туннельный микроскоп. |
|
2 |
Методы измерения работы выхода электронов. Метод прямых Ричардсона. |
|
3 |
Определить кинетическую энергию электрона, движущегося в однородном магнитном поле с индукцией 0.12 Тл по окружности 0.5 мм. |
|
Завідувач кафедри МЕЕПП Ю. О. ГОРДІЄНКО
проф., д. ф.-м. н.
Ведучий дисципліни МЕЕПП О. С. СОРОКА
доц., к. ф.-м. н.
Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни
Харківський національний університет радіоелектроніки ім. М.К. Янгеля
Факультет електронної техніки
Кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв
КВАЛІФІКАЦІЙНИЙ ІСПИТ - БАКАЛАВР
за напрямом підготовки 0908 – «Електроніка»
Студент _________________________________________ гр.________
(прізвище, ім’я та по батькові)
Номер залікової книжки __________ Дата _____________
БІЛЕТ № 17
№ 17 |
Вопрос/задача |
Примечание |
1 |
Виды фокусировки: электростатическая, магнитная, электростатическая периодическая, магнитная периодическая. Охарактеризовать принципы фокусировки. |
|
2 |
Вольтамперная характеристика вакуумного термоэмиссионного диода. Режимы работы вакуумного термоэмиссионного диода. |
|
3 |
Найти отношение заряда частицы к ее массе, если она, влетая со скоростью 106 м/с в область однородного магнитного поля напряженностью 200 кА/м, движется по окружности радиусом 8.3 см. |
Абсолютная магнитная проницаемость вакуума μ0=4π10-7 Гн/м. |
Завідувач кафедри МЕЕПП Ю. О. ГОРДІЄНКО
проф., д. ф.-м. н.
Ведучий дисципліни МЕЕПП О. С. СОРОКА
доц., к. ф.-м. н.
