Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Б І Л Е Т И. Письмовий екзамен_ФЕПр (2012).doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
276.99 Кб
Скачать

Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни

Харківський національний університет радіоелектроніки ім. М.К. Янгеля

Факультет електронної техніки

Кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв

КВАЛІФІКАЦІЙНИЙ ІСПИТ - БАКАЛАВР

за напрямом підготовки 0908 – «Електроніка»

Студент _________________________________________ гр.________

(прізвище, ім’я та по батькові)

Номер залікової книжки __________ Дата _____________

БІЛЕТ № 9

№ 9

Вопрос/задача

Примечание

1

Влияние электрического поля на термоэмиссию (эффект Шоттки). Распределение термоэлектронов по скоростям.

2

Дать кинематическое определение плотности тока в металле и сформулировать закон Ома в дифференциальной форме. Как подсчитать сопротивления отрезка проводника неоднородного по сечению.

3

Охарактеризовать движение заряженной частицы, влетающей под углом в область постоянного электрического поля. Начальная ориентация скорости частицы относительно вектора электрического поля показана на рисунке.

Завідувач кафедри МЕЕПП Ю. О. ГОРДІЄНКО

проф., д. ф.-м. н.

Ведучий дисципліни МЕЕПП О. С. СОРОКА

доц., к. ф.-м. н.

Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни

Харківський національний університет радіоелектроніки ім. М.К. Янгеля

Факультет електронної техніки

Кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв

КВАЛІФІКАЦІЙНИЙ ІСПИТ - БАКАЛАВР

за напрямом підготовки 0908 – «Електроніка»

Студент _________________________________________ гр.________

(прізвище, ім’я та по батькові)

Номер залікової книжки __________ Дата _____________

БІЛЕТ № 10

№ 10

Вопрос/задача

Примечание

1

Термоэлектронные катоды. Особенности термоэлектронной эмиссии некоторых материалов.

2

Зависит ли ток насыщения термоэлектронной эмиссии от приложенного анодного напряжения?

3

Охарактеризовать движение заряженной частицы, движущейся параллельно силовым линиям магнитного поля. Пояснить область применения и принцип действия т. н. магнитной пробки или зеркала (см. рис.).

Завідувач кафедри МЕЕПП Ю. О. ГОРДІЄНКО

проф., д. ф.-м. н.

Ведучий дисципліни МЕЕПП О. С. СОРОКА

доц., к. ф.-м. н.

Міністерство освіти та науки, молоді та спорту україни

Харківський національний університет радіоелектроніки ім. М.К. Янгеля

Факультет електронної техніки

Кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв

КВАЛІФІКАЦІЙНИЙ ІСПИТ - БАКАЛАВР

за напрямом підготовки 0908 – «Електроніка»

Студент _________________________________________ гр.________

(прізвище, ім’я та по батькові)

Номер залікової книжки __________ Дата _____________

БІЛЕТ № 11

№ 11

Вопрос/задача

Примечание

1

Термоавтоэлектронная эмиссия. Уравнение Фаулера-Нордгейма. Распределение автоэлектронов по энергиям.

2

Изобразить качественно семейство ВАХ термоэмиссионного диода для различных значений температуры катода.

3

Дать определение силы Лоренца. Определить характер движения заряженной частицы, влетающей в постоянное магнитное поле (см. рис.). Определить величину циклотронной частоты электрона, если индукция магнитного поля составляет величину 0.2 Тл.

Завідувач кафедри МЕЕПП Ю. О. ГОРДІЄНКО

проф., д. ф.-м. н.

Ведучий дисципліни МЕЕПП О. С. СОРОКА

доц., к. ф.-м. н.