
- •Могилёвский государственный университет продовольствия
- •Полупроводниковые приборы Сборник лабораторных работ №1, №2
- •1 Техника безопасности при выполнении лабораторных работ
- •1.1 Требования безопасности перед началом работы:
- •1.2 Требования безопасности при выполнении работы:
- •1.3 Требования безопасности в аварийных ситуациях:
- •1.4 Требования безопасности по окончании работы:
- •2 Лабораторная работа №1 «Исследование полупроводниковых диодов»
- •2.1 Общие сведения
- •2.1.1 Электропроводность полупроводников
- •2.1.2 Примесная проводимость полупроводников
- •2.1.3 Электронно-дырочный переход
- •2.1.4 Свойства полупроводниковых диодов
- •2.2 Порядок проведения экспериментов
- •2.2.4 По полученным данным (п.П. 2.2.1, 2.2.2) постройте графики iпр (uпр) и iобр (uобр).
- •2.3 Контрольные вопросы
- •2.4 Рекомендуемая литература
- •3 Лабораторная работа №2: «Исследование биполярных транзисторов»
- •3.1 Общие сведения
- •3.1.1 Биполярный транзистор. Общие понятия.
- •3.1.2 Схемы включения биполярных транзисторов.
- •3.1.3 Статические характеристики транзистора
- •3.1.4 Перечень формул для определения технических параметров схемы с общим эмиттером.
- •3.2 Порядок проведения экспериментов
- •3.3 Контрольные вопросы
- •3.4 Рекомендуемая литература
- •Полупроводниковые приборы Сборник лабораторных работ №1, №2
3.1.2 Схемы включения биполярных транзисторов.
Транзистор может быть включён в каскад усиления тремя различными способами: по схеме с общей базой (ОБ), по схеме с общим эмиттером (ОЭ) и по схеме с общим коллектором (ОК). Такая терминология указывает на то, какой из выходов транзистора является общим для входной и выходной цепи.
Схемы
включения транзисторов (рисунок 3.3)
имеют разные свойства, но принцип
усиления электрических колебаний в них
один и тот же. У всех трёх схем включения
коэффициент усиления по мощности
больше единицы.
В схеме с общей базой (рисунок 3.3,а) входной сигнал прикладывается к выводам эмиттера и базы (E1 — источник питания, задающий смещение на переходе база-эмиттер), а источник питания коллектора E2 (E2>>E1) и сопротивление нагрузки R включены между выводами коллектора и базы. Такой усилительный каскад обладает малым входным сопротивлением (порядка единиц Ом) и большим выходным (порядка сотен кОм)
а) б)
в)
Рисунок 3.3 — Схемы включения транзистора: а) с общей базой; б) с общим эмиттером; в) с общим коллектором.
Число,
показывающее, во сколько раз переменное
напряжение на выходе усилителя
превышает
напряжение сигнала на входе
,
называется коэффициентом усиления по
напряжению. Для схемы с общей базой
входным током является ток эмиттера и,
следовательно, коэффициент усиления
по напряжению будет равен:
,
где
— входное
сопротивление усилительного каскада
(сопротивление участка эмиттер-база).
Коэффициент усиления по току определяется как отношение приращения выходного тока к входному.
Для схемы с общей базой коэффициент усиления по току будет меньше единицы:
,
где
— приращение тока коллектора;
— приращение
тока эмиттера.
Коэффициент усиления α обычно лежит в пределах от 0,9 до 0,99.
Коэффициент усиления по мощности для транзистора равен произведению коэффициентов усиления по мощности и по напряжению:
.
Схема с общей базой даёт усиление по напряжению до тысячи и такого же порядка усиление по мощности.
Низкое входное сопротивление каскада с общей базой является его существенным недостатком. В многокаскадных схемах это сопротивление оказывает шунтирующее действие на сопротивление нагрузки предыдущего каскада и снижает его усиление по напряжению и мощности. Поэтому между каскадами, собранными по схеме с общей базой, приходится включать специальные согласующие устройства (например, понижающие трансформаторы), что ограничивает применение данной схемы в усилительных устройствах. Схема с общей базой в основном применяется во входных каскадах радиоприёмных устройств.
В схеме с общим эмиттером (рисунок 3.3,б) входной сигнал также прикладывается к выводам эмиттера и базы, а источник питания коллектора и последовательно соединённое с ним сопротивление нагрузки включены между выводами эмиттера и коллектора. Таким образом, вывод эмиттера является общим электродом для входных и выходных цепей.
Основной особенностью схемы с общим эмиттером является то, что входным током в ней является не ток эмиттера, а малый по величине ток базы . Поэтому входное сопротивление каскада с общим эмиттером значительно выше входного сопротивления схемы с общей базой и составляет сотни Ом. Выходное сопротивление схемы с общим эмиттером также достаточно велико (порядка десятков кОм). Благодаря вышеперечисленным свойствам схема с общим эмиттером получила в транзисторной технике наибольшее распространение.
Важнейшим достоинством схемы с общим эмиттером является большое усиление по току. В этой схеме коэффициент усиления по току равен отношению приращения тока коллектора к приращению тока базы, то есть:
.
Коэффициент усиления по напряжению для схемы с общим эмиттером имеет примерно такую же величину, как и для схемы с общей базой.
Коэффициент
усиления по мощности для схемы с общим
эмиттером
значительно выше, чем для схемы с общей
базой и может достигать нескольких
тысяч.
В схеме с общим коллектором (рисунок 3.3,в) входным током, как и в схеме с общим эмиттером, является ток базы, а выходным током, протекающим по сопротивлению нагрузки, является ток эмиттера. Поэтому коэффициент усиления по току для этой схемы можно найти по формуле:
.
Входное сопротивление схемы с общим коллектором очень велико (порядка десятков и сотен кОм), а выходное сопротивление наоборот мало и составляет лишь десятки или сотни Ом. Коэффициент усиления по напряжению в схеме с общей коллектором меньше единицы (0,9-0,95). Поэтому эта схема получила также название эмиттерный повторитель. Схема с общим коллектором в основном применяется для согласования сопротивлений между отдельными каскадами усилителя или между выходом усилителя и низкоомной нагрузкой.