
- •Кафедра напівпровідникової електроніки
- •Курсова робота
- •На тему: “Сенсори температури та деформації”
- •Основні напрямки практичного використання hk
- •Розробка сенсорів та їх характеристики
- •1.2. Терморезистиіші вимірювальні перетворювачі
- •Сенсори температури з hk
- •2.1. Сучасний стан напівпровідникової термометрії
- •2.2. Мініатюрні широкодіапазонні термометри опору на основі hk GaAs
- •2.3 Модифікації термометрів: тоагн-1, тоагя-2, тоагн-3
- •2.4. Вплив термообробки на властивості термочутливих елементів з n-GaAs і спосіб виготовлення термометрів опору
- •2.5.Високочутливий давач температури
- •2.6. Термометр опору із hk GaP
- •2.7. Термометр опору із hk GaAsP
- •2.8. Сенсор температури (hk n-Ge)
- •2.9. Низькотемпературний термометр (hk Te-Se)
- •Сенсори деформації
- •3.1. Сенсор деформації на основі стрічкового кристала n-GaAs
- •2.2. Метод вимірювання деформації (фототензорезистор)
- •3.3. Напівпровідниковий тешорезистор (hk Те)
- •3.4. Тензорезистор з точковим контактом (Те - Au)
- •3.5. Давач гідростатичного тиску (hk Те)
- •3.6. Напівпровідниковий тензодавач на основі гетероструктури (Te-GaAs)
- •3.7. Сенсор для одночасного вимірювання деформації і температури
- •3.8. Багатофункціональний сенсор
- •4. Розрахункова частина
- •4.1 Розрахунок основних параметрів терморезисторів на основі нк
- •Параметри терморезистора з hк GaP0,4As0,6
- •Деякі параметри промислових терморезисторів
- •Розрахунок сталої часу терморезистора з нк
Деякі параметри промислових терморезисторів
Параметри |
Марка терморезистора |
||
|
КМТЧ |
ММТ-9 |
KMT-1l |
Номінальний опір, кОм |
20 - 1000 |
0,001 - 5,0 |
100 - 3000 |
TKO, %/К |
4,5 - 6 |
2,4 - 3,4 |
>4 |
T, C |
115 |
- |
2,5 |
Робочий інтервал температур |
-20 - +120 |
-60 - +120 |
0 - +120 |
Як бачимо, терморезистори з HK з від'ємним TKO не поступаються за величиною TKO керамічним аналогам, а їх стала часу на декілька порядків нижча. Згадані вище терморезистори з HK Ge з додатним TKO (-0,5 %/К) за величиною TKO є порівняльні з дротяними платиновими термометрами (TKO -0,4 %/К) і характеризуються меншою інерційністю та габаритами.
Однак, необхідно зауважити, що таке порівняння є не цілком правомірним, оскільки беруться до уваги характеристики безкорпусних HK. Поміщення HK в корпус збільшує як габарити, так і інерційність терморезистора.
Розрахунок сталої часу терморезистора з нк
За побудованою залежністю U(I) рис. 16 знаходимо P:
P=UI (18)
-
T, 0C
150
100
50
U, В
15
7,5
4,2
I, мА
1,5
1,5
1,5
Р, мВт
6,3
11,25
22,5
Визначаємо коефіцієнт розсіювання H (за графіками рис. 17, рис. 18, даними п.1) :
мВт/0C
(19)
Визначаємо сталу часу:
c
5. Висновок
Проаналізувавши отриманий результат і порівнявши його з табличними даними можна побачити, що стала часу t, стала, яка характеризує швидкодію терморезистора, не суттєво відрізняється від табличного значення.
Література
Байцар Р.І., Варшава С.С., Напівпровідникові мікросенсори., Львів, Вид-во Лв ЦНТЕІ, 2001.- 288с.
Вайнберг В.В., Варшава С.С., Полех Л.Н., Низкотемпературные свойства нитевидных кристалов телурида // УФЖ.- 1993.- Т.38, №12.- с.1830-1836.
Локонь Г.П., Кузілевич Л.П., Дослідження можливості використання ниткоподібних кристалів германію як датчиків опору для вимірювання середніх температур // Вісник НУ “Львівська політехніка”, - 2001. - №423.- с.76-80.
Визначення основних параметрів терморезисторів: Методичні вказівки до лабораторної роботи №1 з курсу “Мікроелектронні сенсори”, для студентів базового непрямку 6.09080 “Електроніка” / Укл.: І.П. Островський.- Львів: Вид-во НУ “Львівська політехніка”, 2002.- 12 с.