
- •Кафедра напівпровідникової електроніки
- •Курсова робота
- •На тему: “Сенсори температури та деформації”
- •Основні напрямки практичного використання hk
- •Розробка сенсорів та їх характеристики
- •1.2. Терморезистиіші вимірювальні перетворювачі
- •Сенсори температури з hk
- •2.1. Сучасний стан напівпровідникової термометрії
- •2.2. Мініатюрні широкодіапазонні термометри опору на основі hk GaAs
- •2.3 Модифікації термометрів: тоагн-1, тоагя-2, тоагн-3
- •2.4. Вплив термообробки на властивості термочутливих елементів з n-GaAs і спосіб виготовлення термометрів опору
- •2.5.Високочутливий давач температури
- •2.6. Термометр опору із hk GaP
- •2.7. Термометр опору із hk GaAsP
- •2.8. Сенсор температури (hk n-Ge)
- •2.9. Низькотемпературний термометр (hk Te-Se)
- •Сенсори деформації
- •3.1. Сенсор деформації на основі стрічкового кристала n-GaAs
- •2.2. Метод вимірювання деформації (фототензорезистор)
- •3.3. Напівпровідниковий тешорезистор (hk Те)
- •3.4. Тензорезистор з точковим контактом (Те - Au)
- •3.5. Давач гідростатичного тиску (hk Те)
- •3.6. Напівпровідниковий тензодавач на основі гетероструктури (Te-GaAs)
- •3.7. Сенсор для одночасного вимірювання деформації і температури
- •3.8. Багатофункціональний сенсор
- •4. Розрахункова частина
- •4.1 Розрахунок основних параметрів терморезисторів на основі нк
- •Параметри терморезистора з hк GaP0,4As0,6
- •Деякі параметри промислових терморезисторів
- •Розрахунок сталої часу терморезистора з нк
Міністерство освіти і науки України
НУ "Львівська політехніка"
ІТРЕ
Кафедра напівпровідникової електроніки
Курсова робота
з курсу : “Сенсори та фотоелектричні перетворювачі в біоелектроніці”
На тему: “Сенсори температури та деформації”
виконала: ст.гр.ФБЕ-5
Клим Галина
прийняв:
Губа С.К.
Львів-2003
ЗМІСТ
Вступ
Основні напрямки практичного використання Si, Si-Gе
Розробка сенсорів та їх характеристики
Терморезистиіші вимірювальні перетворювачі
2. Сенсори температури з HK
2.1 Сучасний стан напівпровідникової термометрії
2.2 Мініатюрні широкодіапазонні термометри опору на основі HK GaAs
2.3 Модифікації термометрів: ТОАГН-1, ТОАГЯ-2,ТОАГН-3
2.4 Вплив термообробки на властивості термочутливих елементів з n-GaAs і спосіб виготовлення термометрів опору
2.5 Високочутливий сенсор температури
2.6 Термометр опору із HK GaP
2.7 Термометр опору із HK GaAsP
2.8 Сенсор температури (НК n-Ge)
изькотемпературний термометр (НК Te-Se)
3.Сенсори деформації
3.1 Сенсор деформації на основі кристала n-GaAs
3.2 Метод вимірювання деформації (фототензорезистор)
3.3 Напівпровідниковий тензорезистор (НК Te)
3.4 Тензорезистор з точковим контактом (Te-Au)
3.5 Сенсор гідростатичного тиску (НК Te)
3.6 Напівпровідниковий тензодавач на основі гетероструктури (Te-GaAs)
3.7 Сенсор для одночасного вимірювання деформації і температури
3.8 Багатофункціональний сенсор
4. Розрахункова частина
4.1 Розрахунок основних параметрів терморезисторів на основі НК
5. Висновок
Література
ВСТУП
В сучасній техніці велику роль відіграють вимірювальні перетворювачі або сенсори, які є необхідними елементами автоматичних систем, систем збирання і обробки інформації, моніторингу. Приладобудування розвивається в напрямку мініатюризації сенсорів. Говорять про виникнення нової галузі - сенсоелектроніки. Сенсори, в порівнянні з традиційними вимірювальними перетворювачами, мають вищі метрологічні та експлуатаційні характеристики і значно дешевші. Щорічний приріст світового обсягу виробництва сенсорів складає 20 % при відсутності насичення ринку збуту. Найбільший приріст виробництва сенсорів очікується на давачі для автомобілів. У машинах останнього покоління передбачається застосування 50-100 сенсорів. Крім того, високоточні прилади потрібні для таких галузей, як медицина, енергетика, кріогеніка, для систем контролю технологічних процесів, наукових досліджень і т.п. Створення нових засобів вимірювальної техніки, конкурентноздатної на світовому ринку, можливе за умови випереджуючого розвитку технологічних, дослідно-конструкторських робіт в галузі сенсорики. В перспективі - розроблення нових класів сенсорів, наприклад, хімічних, біологічних, створення інтегральних давачів (які містять як чутливий елемент, так і схему обробки сигналу), багатоелементних і багатофункціональних. Передбачається створення нових типів сенсорів, які працюють за новими принципами і технологіями (з використанням скла, кераміки, надпровідників і т.д.). Технологічні процеси повинні забезпечувати як високі експлуатаційні характеристики давачів, так і мінімальні енергетичні і матеріальні затрати. Складність проблеми полягає в тому, що одних сенсорів потрібні одиниці, а інших – мільйони. Існують проблеми, пов'язані з налагоджуванням багатосерійного виробництва. Сучасні давачі високого класу дорогі (до 500 $), а чутливі елементи є досить складними структурами. Дані завдання частково вирішуються за допомогою ниткоподібних кристалів (HK).
В даний час мова йде не тільки про вдосконалення відомих типів сенсорів (підвищення чутливості, розширення температурного діапазону), а і про пошук нових принципів їх побудови: фізичних, технологічних, конструкційних.
Найбільш простий і дешевий – ампульний метод одержання HK. Основний його недолік - недостатнє керування процесами росту. Тому перед дослідниками стоїть завдання виділення головних технологічних параметрів та систем, які дозволили б зробити процес більш керованим, оптимізувати технологію шляхом моделювання процесів.
Переваги ампульного методу, крім простоти, полягають у можливості здійснення, одночасно з вирощуванням, легування HK, в тому числі складного, керування геометрією і електричними параметрами HK. З однієї партії (ампули) можна одержати до 1000 чутливих елементів, що не потребують додаткової обробки. За нашими даними, вартість одного сенсора (температури, тиску) не повинна перевищувати 2 $. Технологічна база лабораторії дозволяє після випуску дослідної партії давачів (до 200 шт. в рік) збільшити їх випуск до 3000 шт. в рік без суттєвих капіталовкладень. Провадяться роботи в напрямку створення інформаційно-вимірювальних систем, а також метрологічної атестації давачів (сенсорів).