
- •Езжев а.С. Физические основы пластической деформации
- •6. Холодная пластическая деформация поликристалла
- •7. Деформация при повышенных температурах
- •8. Основные понятия и законы деформирования
- •9. Контактное трение
- •1. Кристаллическое строение вещества
- •1.1. Понятие кристаллической решетки. Модель кристалла
- •1.2. Типы кристаллической решетки, явление полиморфизма
- •Параметры решетки, базис, координационное число
- •В гексагональной плотноупакованной ячейке 17 атомов. На гпу ячейку
- •1.4 Плотность упаковки атомов в решетке
- •2. Индексация плоскостей и направлений
- •2.1. Индексация плоскостей
- •Индексация направлений
- •Точечные дефекты кристаллической решетки
- •3.1. Понятие кристаллической структуры, моно и поликристаллы
- •3.2. Вакансии, дислоцированные и примесные атомы
- •3.3. Движение атомов в кристалле, механизмы диффузии
- •4. Деформация монокристалла
- •Понятие напряжения и деформации
- •4.2. Механизм сдвиговой деформации
- •4.3. Напряжение сдвига атомных плоскостей
- •5. Дислокации
- •5.1. Понятие дислокации
- •Механизм перемещения дислокации
- •5.3. Плотность дислокаций
- •5.4. Краевая дислокация
- •5.5. Винтовая дислокация
- •. Смешанная дислокация
- •5.7. Контур и вектор Бюргерса
- •5.8. Размножение дислокаций при пластическом
- •6. Холодная пластическая деформация
- •6.1. Система скольжения
- •6.2. Внутрикристаллитная и межкристаллитная деформации
- •Нанокристаллические материалы
- •Полосчатость микроструктуры, текстура, остаточные напряжения
- •6.5. Упрочнение при холодной пластической деформации.
- •Деформация при повышенных температурах
- •7.1. Возврат и рекристаллизация
- •7.2. Объемная диаграмма рекристаллизации
- •Виды деформации при обработке давлением
- •8. Основные понятия и законы деформирования
- •8.1. Закон наименьшего сопротивления
- •8.2. Условие постоянства объема. Смещенный объем. Скорость деформации
- •8.3. Закон неравномерности деформаций и дополнительных
- •8.4. Закон подобия и моделирование процессов
- •9. Контактное трение
- •9.1. Понятие контактного касательного напряжения. Парность сил трения
- •9.2. Виды трения
- •9.3. Граничные условия. Законы Амонтона-Кулона и Зибеля
- •Основные факторы, влияющие на контактное трение.
- •. Активные силы контактного трения
- •Литература
Параметры решетки, базис, координационное число
В общем случае элементарная ячейка кристаллической решетки представляет собой наклонный параллелепипед (рис. 8).
Если поместить начало координат в одну из вершин ячейки, то расстояния а,b,c до ближайших вершин и углы a, b, g между координатными осями называют параметрами кристаллической решетки.
Параметры a, b, c выражаются в ангстремах 1А=10-8см (у металлов параметры решеток находятся в пределах 2-6 А.).
Базис решетки- это число атомов, приходящихся на одну элементарную ячейку.
В объемно центрированной ячейке всего 9 атомов ( 8 по вершинам куба и 1 в центре). Однако каждый из угловых атомов принадлежит данной ячейке только на 1/8, т.к. он одновременно принадлежит 8 соприкасающимся ячейкам. Поэтому на ячейку приходится (8 х 1/8) + 1 = 2 атома. Базис ОЦК - 2 атома.
В гранецентрированной ячейке всего 14 атомов ( 8 по вершинам куба и 6 в центрах боковых граней ). Каждый угловой атом принадлежит ячейке на 1/8, каждый центральный атом – на 1/2 . Поэтому базис ГЦК ( 8 х 1/8) + ( 6 х 1/2 ) = 4 атома.
В гексагональной плотноупакованной ячейке 17 атомов. На гпу ячейку
от 12 угловых атомов приходится только по 1/6 , от 2 атомов, лежащих в центрах оснований, - по 1/2, и только 3 атома, расположенные внутри ячейки, полностью принадлежат ей. Таким образом, базис ГПУ решетки - (12 х 1/6) + (2 х 1/2) + 3 = 6 атомов.
Кристаллическая решетка характеризуется также координационным числом К, которое показывает число атомов, расположенных на ближайшем одинаковом расстоянии от любого атома. Для ОЦК решетки К = 8, для ГЦК и ГПУ решеток К = 12. Чем выше координационное число, тем большая плотность упаковки атомов в ячейке.
1.4 Плотность упаковки атомов в решетке
При моделировании кристаллической решетки в виде соприкасающихся шаров между ними образуются пустоты.
Так, например, три шара, прикрытые сверху одним шаром, образуют пустоту, называемую тетраэдрической (см. рис. 9,а), т. к. линии, соединяющие центры этих шаров, образуют тетраэдр. В тетраэдрическую пустоту можно вписать шар радиусом 0,22 R, где R - радиус шаров (атомов ячейки). Другой случай, когда три шара первого слоя прикрыты сверху не одним шаром, а треугольником из шаров, повернутым на 600 относительно первого слоя. Пустоту, образованную шестью шарами, называют октаэдрической, т.к. линии, соединяющие центры этих шаров, образуют октаэдр (см. рис. 9, в). В нее можно вписать шар радиусом 0,41 R. На каждый шар приходится 1 эктаэдрическая и 2 тетраэдрические пустоты.
Наличие пустот в элементарной ячейке определяет плотность упаковки атомов в решетке. Плотностью упаковки называется отношение объема, занятого атомами, к объему ячейки. Так, плотность упаковки ОЦК равна 0,68, а упаковок ГЦК и ГПУ - 0,74.
2. Индексация плоскостей и направлений
в кристаллической решетке
2.1. Индексация плоскостей
Для обозначения плоскостей и направлений в кристаллической решетке используют индексы, связанные с координатными осями [3].
Для кубической решетки систему координат строят следующим образом. Начало координат помещают в одной из вершин элементарной ячейки, ось «х» направляют в сторону наблюдателя, ось «у» направляют горизонтально вправо и ось «z» - вертикально вверх.
Положение плоскости определяется отрезками, отсекаемыми ею на координатных осях. За единицу измерения вдоль каждой оси принимают параметр ( период ) решетки в направлении данной оси. Чтобы не иметь дело с бесконечностями, а также дробными числами, используют величины, обратные отрезкам, отсекаемым плоскостью на координатных осях, причем отношение этих величин приводят к отношению трех наименьших целых чисел. Совокупность таких чисел ( h,k,l ), заключенная в круглые скобки, называется индексами Миллера.
Индексы плоскости отыскиваются следующим образом. Определяются отрезки А, В и С, которые этой плоскостью отсекаются на осях координат.
Записываются величины, обратные отсекаемым отрезкам, например: 1/А, 1/В,1/С. Полученные дроби приводят к общему знаменателю, например,
это будет число D. Целые числа h = D / А, k = D / В, l = D / С и являются индексами данной плоскости.
Определим,
например, индексы плоскости, которая
отсекает на осях координат отрезки А
=
,
В = 2 и С =
.
Отношения
:
:
=
=
.
Общий знаменатель D = 2.
Индексами
плоскости
являются величины h
=
,
k
=
,
l
=
.
Обозначение плоскости (416).
В гексагональной решетке начало координат помещают в центре основания ячейки и в плоскости основания проводят три координатные оси x, y, u, расположенные под 1200 и ось z вертикально вверх. Такая 4-х индексная система Миллера - Бравэ содержит четвертый индекс i, который ставят на третьем месте ( h, k, i, l ). Дополнительный индекс i вычисляется через индексы h и k: i = - ( h + k ). В случае, если отрезок отсекается плоскостью на отрицательном направлении координатной оси, то над соответствующим индексом ставится черта.
Примеры индексации плоскостей в кубической решетке показаны на рис. 10, а
в гексагональной плотноупакованной решетке – на рис. 11.
Непараллельные плоскости, имеющие одинаковое атомное строение (количество атомов и их расположение), кристаллографически эквивалентны.
Всю совокупность эквивалентных плоскостей обозначают индексом какой-либо одной плоскости, заключенным в фигурные скобки. Например, плоскости 100, 010, 001, 100, 010, 001. Их обозначают индексом одной какой-либо плоскости и заключают в фигурные скобки как семейство плоскостей 100 или 001. Другой пример, семейство 111. Это плоскости 111, 111,111, 111 и др. Если плоскость проходит через начало координат, то для удобства ее
индексации начало координат следует перенести в какую-либо соседнюю вершину элементарной ячейки.