- •Езжев а.С. Физические основы пластической деформации
- •6. Холодная пластическая деформация поликристалла
- •7. Деформация при повышенных температурах
- •8. Основные понятия и законы деформирования
- •9. Контактное трение
- •1. Кристаллическое строение вещества
- •1.1. Понятие кристаллической решетки. Модель кристалла
- •1.2. Типы кристаллической решетки, явление полиморфизма
- •Параметры решетки, базис, координационное число
- •В гексагональной плотноупакованной ячейке 17 атомов. На гпу ячейку
- •1.4 Плотность упаковки атомов в решетке
- •2. Индексация плоскостей и направлений
- •2.1. Индексация плоскостей
- •Индексация направлений
- •Точечные дефекты кристаллической решетки
- •3.1. Понятие кристаллической структуры, моно и поликристаллы
- •3.2. Вакансии, дислоцированные и примесные атомы
- •3.3. Движение атомов в кристалле, механизмы диффузии
- •4. Деформация монокристалла
- •Понятие напряжения и деформации
- •4.2. Механизм сдвиговой деформации
- •4.3. Напряжение сдвига атомных плоскостей
- •5. Дислокации
- •5.1. Понятие дислокации
- •Механизм перемещения дислокации
- •5.3. Плотность дислокаций
- •5.4. Краевая дислокация
- •5.5. Винтовая дислокация
- •. Смешанная дислокация
- •5.7. Контур и вектор Бюргерса
- •5.8. Размножение дислокаций при пластическом
- •6. Холодная пластическая деформация
- •6.1. Система скольжения
- •6.2. Внутрикристаллитная и межкристаллитная деформации
- •Нанокристаллические материалы
- •Полосчатость микроструктуры, текстура, остаточные напряжения
- •6.5. Упрочнение при холодной пластической деформации.
- •Деформация при повышенных температурах
- •7.1. Возврат и рекристаллизация
- •7.2. Объемная диаграмма рекристаллизации
- •Виды деформации при обработке давлением
- •8. Основные понятия и законы деформирования
- •8.1. Закон наименьшего сопротивления
- •8.2. Условие постоянства объема. Смещенный объем. Скорость деформации
- •8.3. Закон неравномерности деформаций и дополнительных
- •8.4. Закон подобия и моделирование процессов
- •9. Контактное трение
- •9.1. Понятие контактного касательного напряжения. Парность сил трения
- •9.2. Виды трения
- •9.3. Граничные условия. Законы Амонтона-Кулона и Зибеля
- •Основные факторы, влияющие на контактное трение.
- •. Активные силы контактного трения
- •Литература
5. Дислокации
5.1. Понятие дислокации
Представим себе кристалл в виде параллелепипеда, верхняя часть которого сдвинута относительно нижней на одно межатомное расстояние, причем зафиксировано положение, когда сдвиг охватил не всю поверхность скольжения от правой грани до левой, а лишь часть этой плоскости (см. рис. 25).
АВСD - участок плоскости скольжения, в котором произошел сдвиг, АВ - граница этого участка. На поперечном разрезе параллелепипеда видно, что в результате сдвига под плоскостью сдвига содержится n вертикальных
атомных плоскостей ( 8 ), а над плоскостью сдвига n+1 вертикальных
атомных плоскостей ( 9 ). Лишнюю неполную атомную плоскость называют экстраплоскостью. Экстраплоскость действует, как клин, изгибая решетку
вокруг своего нижнего края.
Искажение решетки является не точечным, а линейным, оно распростра-
нено вдоль всей линии АВ. Такие линейные несовершенства решетки называются дислокациями. Над дислокацией атомы в кристалле уплотнены, а под ней - раздвинуты. Атом на самой кромке экстраплоскости имеет меньше соседей, чем другие атомы.
Механизм перемещения дислокации
Выше говорилось о том, что значительное (на несколько порядков) расхождение теоретического и экспериментального усилий сдвига атомных плоскостей можно объяснить только тем, что не все атомы, лежащие в плоскости сдвига, сдвигаются одновременно. Очевидно, сдвиг происходит последовательно от атома к атому и в этом случае усилие сдвига должно быть меньше, чем при одновременном сдвиге всех атомов. Для понимания этого процесса рассмотрим модель движения гусеницы (см. рис. 26) и модель перемещения ковра (см. рис. 27) [5].
Гусеница перемещается не путем подъема всех лапок одновременно и перескока на шаг ( это потребовало бы от нее большого усилия ), а путем последовательного подъема одной пары лапок и перестановки их в новое место. Когда все лапки последовательно выполнят эту операцию, гусеница переместится на шаг, и такой режим движения требует от нее значительно меньших усилий.
Точно так же происходит перемещение ковра по полу в случае прокатывания на нем складки. Это требует значительно меньших усилий, чем если бы мы тащили ковер целиком.
Возвращаясь к дислокации, можно представить, что экстраплоскость перемещается по плоскости скольжения от одного края кристалла к другому, и когда она выйдет на его свободную поверхность, верхняя часть кристалла сместится относительно нижней на одно межатомное расстояние «в», (см. рис. 28).
Такое представление о механизме сдвиговой деформации, как скольжение дислокаций, приводит в соответствие теорию и эксперимент в части необходимых напряжений для относительного сдвига атомных плоскостей.
Рассмотрим механизм перемещения дислокации на атомном уровне, ( рис. 29 ).
Как известно, силы взаимодействия атомов зависят от расстояния. В зоне дислокации расстояния атомов 3 и 4 от краевого атома 1 экстраплоскости 1-11 увеличены и связи между этими атомами утрачены. Под действием сдвигающей силы Р смещение плоскостей приводит к уменьшению расстояния 1-4 и увеличению расстояния 2-4, в результате чего связь между атомами 1 и 4 восстанавливается, а между атомами 2 и 4 обрывается. Дислокация перемещается на одно мажатомное расстояние.
В полной аналогии с моделью гусеницы общее перемещение атомной плоскости происходит путем последовательного перемещения дислокации – аналога лапки гусеницы. Движение дислокации – это процесс последовательного разрыва и восстановления связей кристаллической решетки. Пробег дислокации от одной границы кристалла до другой есть элементарный акт деформации кристалла на одно межатомное расстояние. Из совокупности пробегов дислокаций складывается общая деформация кристаллического тела.
